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플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015132058
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자를 개시한다. 본 발명은 종래의 1T-DRAM 소자의 플로팅 바디에 전하(정공)를 포획하는 나노크리스탈을 주입하여 정공들을 포획함으로써, 전원이 제거되어도 프로그램된 전하를 유지할 수 있는 비휘발성 기능을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는, 종래의 1T-DRAM 소자의 제조 공정에 이온 주입공정만을 추가하여 제조가 가능하므로, 그 제조공정이 간단하고 저비용으로 제조가 가능하다. 또한, 본 발명은 소오스 영역 및 드레인 영역의 사이의 채널 영역에 홈부를 형성하고, 홈부로부터 게이트 절연막을 성장시킴으로써 채널 영역에 형성된 홈부가 게이트 절연막의 하부를 수용하도록 하고, 채널 영역에 수용된 게이트 절연막의 양 측면에 전하를 포획하는 나노크리스탈 입자들을 형성함으로써 국소적인 프로그램이 가능하고, 이에 따라서 멀티 비트 프로그램이 가능하다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020090130678 (2009.12.24)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1039803-0000 (2011.06.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 안호명 대한민국 서울시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0801305-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0016145-56
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0157788-04
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0364666-96
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0364681-71
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0296414-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
매립 절연막을 내부에 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 표면에 형성된 홈부로부터 성장되어 상기 반도체 기판의 표면보다 돌출되도록 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상부에 형성된 게이트 전극층; 상기 게이트 절연막 양측에, 상기 반도체 기판의 표면 아래에 형성된 소오스 영역 및 드레인 영역; 및 상기 매립 절연막 및 상기 게이트 절연막 사이에 형성되고, 전하를 포획하는전하 포획영역들을 내부에 포함하는 채널 영역;을 포함하고, 상기 채널 영역은 상기 소오스 영역과 상기 게이트 절연막의 하부 사이에 형성되어, 상기 소오스 영역 부근에서 발생된 정공을 포획하는 제 1 전하 포획 영역, 및 상기 드레인 영역과 상기 게이트 절연막의 하부 사이에 형성되어, 상기 드레인 영역 부근에서 발생된 정공을 포획하는 제 2 전하 포획 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전하 포획 영역 및 상기 제 2 전하 포획 영역은 Si, Ge, 및 Au 이온 중 어느 하나를 주입하여 형성된 나노크리스탈로 구성되는 것을 특징으로 하는 플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 단결정 실리콘 층으로 형성된 제 1 층; 상기 제 1 층 상부에, 상기 매립 절연막이 형성된 제 2 층; 및 상기 제 2 층 위에 단결정 실리콘으로 형성되고, 상기 홈부, 상기 채널 영역, 상기 소오스 영역 및 상기 드레인 영역이 형성된 제 3 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자
5 5
(a) 매립 절연막을 포함하는 반도체 기판위에 홈부를 형성하는 단계; (b) 상기 홈부의 양측에 전하 포획 영역을 형성하는 단계; (c) 상기 홈부로부터 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 게이트 절연막과 소오스 영역 사이 및 상기 게이트 절연막과 드레인 영역 사이에 상기 전하 포획 영역이 위치하도록 상기 소오스 영역 및 상기 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 (a) 단계는 불순물을 도핑하여 채널영역을 형성하는 단계; 및 상기 채널 영역의 중심에 상기 홈부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 단결정 실리콘층으로 구현된 제 1 층; 상기 제 1 층의 상부에 형성된 매립 절연막인 제 2 층; 및 상기 매립 절연막의 상부에, 단결정 실리콘층으로 구현된 제 3 층을 포함하고, 상기 홈부는 상기 제 3 층에 형성된 것을 특징으로 하는 플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 (b1) 상기 채널 영역에 이온 주입 공정을 수행하는 단계; 및 (b2) 이온 주입 공정이 수행된 반도체 기판에 열처리를 수행하여 상기 전하 포획 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (b1) 단계에서, 홈부를 통해서 주입된 이온들은 매립 절연막에 위치하고, 홈부 이외의 영역을 통해서 주입된 이온들은 상기 제 3 층의 하부에 위치하도록, Si, Ge, 및 Au 중 어느 하나에 대해서 이온 주입 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 (b2) 단계에서 열처리를 수행하여 상기 제 3 층의 하부에 위치한 이온들을 나노크리스탈로 형성시켜, 나노크리스탈들로 구성된 전하 포획 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
11 11
매립 절연막을 내부에 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 표면에 형성된 홈부로부터 성장되어 상기 반도체 기판의 표면보다 돌출되도록 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상부에 형성된 게이트 전극층; 상기 게이트 절연막 양측에, 상기 반도체 기판의 표면 아래에 형성된 소오스 영역 및 드레인 영역; 상기 매립 절연막 및 상기 게이트 절연막 사이에 형성된 채널 영역; 및 상기 채널 영역 중, 상기 소오스 영역 및 상기 게이트 절연막 사이에 형성된 제 1 전하 포획 영역 및 상기 드레인 영역 및 상기 게이트 절연막 사이에 형성된 제 2 전하 포획 영역을 포함하는 플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법으로서, 상기 소오스 영역을 접지하고, 상기 게이트 전극층에 제 1 프로그램 전압을 인가하며, 상기 드레인 영역에 제 2 프로그램 전압을 인가하여, 상기 드레인 영역 부근에서 발생된 정공을 상기 제 2 전하 포획 영역에 형성된 나노크리스탈에 포획시킴으로써 상기 제 2 전하 포획 영역에 전하를 프로그램하고, 상기 드레인 영역을 접지하고, 상기 게이트 전극층에 제 1 프로그램 전압을 인가하며, 상기 소오스 영역에 제 2 프로그램 전압을 인가하여, 상기 소오스 영역 부근에서 발생된 정공을 상기 제 1 전하 포획 영역에 형성된 나노크리스탈에 포획시킴으로써 상기 제 1 전하 포획 영역에 전하를 프로그램하는 것을 특징으로 하는 플로팅 바디 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.