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저항 변화 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134829
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 저항 변화 비휘발성 메모리 소자는 반도체 기판, 반도체 기판의 소정의 영역이 식각되어 형성된 리세스, 리세스에 저항 변화 물질로 형성된 채널 영역, 반도체 기판 내에, 채널 영역의 양측면에 인접하여 형성된 소오스와 드레인 및 채널 영역 상에 형성된 게이트를 포함한다. 저항 변화, 메모리, 비휘발성
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090051662 (2009.06.10)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1007032-0000 (2011.01.03)
공개번호/일자 10-2010-0132858 (2010.12.20) 문서열기
공고번호/일자 (20110112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.10)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 안호명 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전종일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, 신관 ***호 (역삼동, 과학기술회관)(리더스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0352057-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0594597-28
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판; 상기 반도체 기판의 소정의 영역이 식각되어 형성된 리세스; 상기 리세스에 저항 변화 물질로 형성된 채널 영역; 상기 반도체 기판 내에, 상기 채널 영역의 양측면에 인접하여 형성된 소오스(1510)와 드레인; 및 상기 채널 영역 상에 형성된 게이트를 포함하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 채널 영역은 페로브스카이트계 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 채널 영역은 PbZrTiO3, PrCaMnO3, BaTiO3, SrTiO3, 또는 SrZrO3로 형성된 것을 특징으로 하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 채널 영역은 NiO, MgO, TiO2, ZrO2, HfO2 또는 CeO2로 형성된 것을 특징으로 하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 채널 영역은 GeSTe로 형성된 것을 특징으로 하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 채널 영역의 하부에 형성된 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자
8 8
반도체 기판의 소정의 영역을 식각하여 리세스를 형성하는 단계; 상기 리세스에 저항 변화 물질로 채널 영역을 형성하는 단계; 상기 채널 영역 상에 게이트를 형성하는 단계; 및 상기 반도체 기판 내에, 상기 채널 영역의 양측면에 인접하여 소오스와 드레인를 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 채널 영역을 형성하는 단계에서, 상기 채널 영역은 페로브스카이트계 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 채널 영역을 형성하는 단계에서, 상기 채널 영역은 PbZrTiO3, PrCaMnO3, BaTiO3, SrTiO3, 또는 SrZrO3로 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 채널 영역을 형성하는 단계에서, 상기 채널 영역은 NiO, MgO, TiO2, ZrO2, HfO2 또는 CeO2로 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
12 12
제 8 항에 있어서, 상기 채널 영역을 형성하는 단계에서, 상기 채널 영역은 GeSTe로 형성된 것을 특징으로 하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
13 13
제 8 항에 있어서, 상기 리세스를 형성하는 단계 후에, 상기 리세스에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 저항 변화 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.