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멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134538
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자는 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성된 제 1 저항 변화 영역, 제 1 저항 변화 영역 상에 형성된 전하 포획 영역, 전하 포획 영역 상에 형성된 제 2 저항 변화 영역, 제 2 저항 변화 영역 상에 형성된 게이트 및 반도체 기판 내에 서로 분리되어 형성된 소오스와 드레인을 포함한다. 멀티 펑션, 저항 변화, 메모리
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01)
출원번호/일자 1020090051660 (2009.06.10)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0132856 (2010.12.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.10)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 서유정 대한민국 서울특별시 동대문구
3 안호명 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전종일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, 신관 ***호 (역삼동, 과학기술회관)(리더스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0352042-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0594596-83
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0143471-17
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0143482-19
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0473411-31
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2011.09.22 수리 (Accepted) 7-1-2011-0034885-77
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.10.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0039812-16
9 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0704971-39
10 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2012.01.02 수리 (Accepted) 7-8-2012-0000063-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 제 1 저항 변화 영역; 상기 제 1 저항 변화 영역 상에 형성된 전하 포획 영역; 상기 전하 포획 영역 상에 형성된 제 2 저항 변화 영역; 상기 제 2 저항 변화 영역 상에 형성된 게이트; 및 상기 반도체 기판 내에 서로 분리되어 형성된 소오스와 드레인을 포함하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 저항 변화 영역은 페로브스카이트계 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 저항 변화 영역은 PbZrTiO3, PrCaMnO3, BaTiO3, SrTiO3, 또는 SrZrO3로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 저항 변화 영역은 Nb2O5, TiO2, NiO 또는 Al2O3로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획 영역은 금속 나노 크리스탈 또는 반도체 나노 크리스탈로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획 영역은 실리콘질화막 또는 비정질 폴리 실리콘으로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 저항 변화 영역은 페로브스카이트계 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 제 2 저항 변화 영역은 PbZrTiO3, PrCaMnO3, BaTiO3, SrTiO3, 또는 SrZrO3로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 저항 변화 영역은 Nb2O5, TiO2, NiO 또는 Al2O3로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자
10 10
반도체 기판 상에 제 1 저항 변화층을 형성하는 단계; 상기 제 1 저항 변화층 상에 전하 포획층을 형성하는 단계; 상기 전하 포획층 상에 제 2 저항 변화층을 형성하는 단계; 상기 제 2 저항 변화층 상에 게이트층을 형성하는 단계; 상기 제 1 저항 변화층, 상기 전하 포획층, 상기 제 2 저항 변화층, 상기 게이트층을 각각 식각하여 제 1 저항 변화 영역, 제 전하 포획 영역, 제 2 저항 변화 영역, 게이트를 형성하는 단계; 및 상기 반도체 기판 내에 서로 분리하여 소오스와 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자의 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 저항 변화층을 형성하는 단계에서, 상기 제 1 저항 변화층을 페로브스카이트계 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 제 1 저항 변화층을 형성하는 단계에서, 상기 제 1 저항 변화층을 PbZrTiO3, PrCaMnO3, BaTiO3, SrTiO3, 또는 SrZrO3로 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자의 제조 방법
13 13
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 저항 변화층을 형성하는 단계에서, 상기 제 1 저항 변화층을 Nb2O5, TiO2, NiO 또는 Al2O3로 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자의 제조 방법
14 14
제 10 항에 있어서, 상기 전하 포획층을 형성하는 단계에서, 상기 전하 포획층을 금속 나노 크리스탈 또는 반도체 나노 크리스탈로 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자의 제조 방법
15 15
제 10 항에 있어서, 상기 전하 포획층을 형성하는 단계에서, 상기 전하 포획층을 실리콘질화막 또는 비정질 폴리 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자의 제조 방법
16 16
제 10 항에 있어서, 상기 제 2 저항 변화층을 형성하는 단계에서, 상기 제 2 저항 변화층을 페로브스카이트계 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 제 2 저항 변화층을 형성하는 단계에서, 상기 제 2 저항 변화층을 PbZrTiO3, PrCaMnO3, BaTiO3, SrTiO3, 또는 SrZrO3로 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자의 제조 방법
18 18
제 10 항에 있어서, 상기 제 2 저항 변화층을 형성하는 단계에서, 상기 제 2 저항 변화층을 Nb2O5, TiO2, NiO 또는 Al2O3로 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자의 제조 방법
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1 WO2010143770 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2010143770 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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