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고전압 반도체 소자의 필드 리미팅 링 및 이의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015131667
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고전압 반도체 소자의 필드 리미팅 링의 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 필드 리미팅 링의 동작 특성을 유지 내지는 향상시킴에 가장 중요한 팩터인 링 접합의 접합 깊이(junction depth)를 효율적으로 증가시킬 수 있는 필드 리미팅 링의 형성 방법에 관한 것이다. 본 명세서에서 개시하는 필드 리미팅 링의 형성 방법은 필드 리미팅 링이 형성될 부분을 트렌치 식각(trench etching)하는 단계를 포함하고, (a)전력용 반도체 소자의 웨이퍼(기판) 표면에 증착된 포토 레지스트를 사진 공정으로 패터닝(patterning)하고, 상기 패터닝된 포토 레지스트를 통해 상기 트렌치 식각을 하는 단계; (b)도펀트(dopant)를 상기 식각된 부분에 이온 주입하는 단계; 및 (c)상기 이온 주입된 도펀트를 열 공정(thermal treatment)을 통해 확산시키는 단계를 포함하여 구현되는 것이 본 발명의 과제를 해결한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/7811(2013.01) H01L 29/7811(2013.01)
출원번호/일자 1020080092820 (2008.09.22)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1029328-0000 (2011.04.07)
공개번호/일자 10-2010-0033787 (2010.03.31) 문서열기
공고번호/일자 (20110415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.22)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성만영 대한민국 서울 중랑구
2 김요한 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0664798-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0206611-90
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0030839-17
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0332255-52
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0640648-36
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0640649-82
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0546360-56
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.01.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0004047-96
12 등록결정서
Decision to grant
2011.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0124223-68
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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(a)고전압 반도체 소자의 웨이퍼(기판) 표면에 증착된 포토 레지스트를 사진 공정으로 패터닝(patterning)하고, 상기 패터닝된 포토 레지스트를 통해 상기 반도체 소자의 필드 리미팅 링이 형성된 부분을 트렌치 식각(trench etching)하는 단계; (b)도펀트(dopant)를 상기 식각된 부분에 이온 주입(ion implementation)하는 단계; 및 (c)상기 이온 주입된 도펀트를 열 공정(thermal treatment)을 통해 확산시키는 단계를 포함하며, 상기 트렌치 식각으로 인해, 상기 반도체 소자의 필드 리미팅 링의 접합 깊이를 증가시키기 위한 상기 열 공정의 시간을 감소시킬 수 있고, 상기 (b)단계는 상기 증착된 포토 레지스트를 마스크로 활용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 필드 리미팅 링의 형성 방법
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제 3 항의 방법을 컴퓨터에서 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 전력기반조성사업센터(전력산업기반기금) 페어차일드코리아반도체(주) 전력산업연구개발 초고압 Silicon IGBT 기반연구