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복수의 나노 구조의 네트워크로 이루어지는 채널막을 포함하는 소자 제조 방법에 있어서,
기판 상에, 전극과 교차하는 영역에서 폭이 증가하는 형상을 갖는 채널막을 형성하는 단계; 및
상기 채널막이 형성된 결과물 상에, 상기 채널막과 교차하는 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 소자 제조 방법
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2
제 1 항에 있어서,
상기 채널막은,
소정 폭의 라인형을 갖되, 전극과 교차하는 영역에서 폭이 증가하는 형상을 갖는
소자 제조 방법
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3
제 1 항에 있어서,
상기 채널막은,
소정 폭의 라인형을 갖되, 말단의 폭이 증가된 덤벨 형상인
소자 제조 방법
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4
제 1 항에 있어서,
상기 나노 구조는,
나노입자, 나노튜브 또는 나노선
를 포함하는 소자 제조 방법
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5
제 1 항에 있어서,
상기 채널막 형성 단계는,
상기 기판의 채널 영역 외의 영역에 비흡착성 물질막을 형성하는 단계; 및
상기 비흡착성 물질막이 형성된 기판을 나노 구조 용액에 넣어 상기 채널 영역에 채널막을 형성하는 단계
를 포함하는 소자 제조 방법
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6
제 5 항에 있어서,
상기 비흡착성 물질막 형성 단계는,
상기 기판의 채널 영역에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 소수성 분자를 포함하는 용액에 넣어, 상기 채널 영역 외의 영역에 소수성 분자막을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계
를 포함하는 소자 제조 방법
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7
제 1 항에 있어서,
상기 채널막 형성 단계는,
상기 나노 구조 용액에 포함된 복수의 나노 구조가 상기 채널 영역에 흡착되어 상호 네트워크를 형성함으로써, 상기 채널막을 형성하는
소자 제조 방법
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8
제 1 항에 있어서,
상기 기판은,
표면에 SiO2, Al2O3, ZrO2 또는 HfO2로 이루어지는 산화막이 형성된
소자 제조 방법
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9
복수의 나노 구조의 네트워크로 이루어지는 채널막을 포함하는 센서 소자에 있어서,
전극과 교차하는 영역에서 폭이 증가하는 형상을 갖는 채널막; 및
상기 채널막과 교차하는 전극
을 포함하는 센서 소자
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10
제 9 항에 있어서,
상기 채널막은,
소정 폭의 라인형을 갖되, 전극과 교차하는 영역에서 폭이 증가하는 형상을 갖는
센서 소자
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11
제 9 항에 있어서,
상기 채널막은,
소정 폭의 라인형을 갖되, 말단의 폭이 증가된 덤벨 형상인
센서 소자
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12
제 9 항에 있어서,
상기 나노 구조는,
나노입자, 나노튜브 또는 나노선
를 포함하는 센서 소자
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13
제 9 항에 있어서,
상기 채널막과 전극의 교차 영역은,
소정 물질을 감지하는 검지부인
센서 소자
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