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ＣＮＴ 박막 트랜지스터 및 이를 적용하는 디스플레이

  • 기술번호 : KST2015132313
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 분해성 고분자 기판을 이용하는 CNT 박막 트랜지스터(Flexable and transparent Carbon Nano Tube Thin film Transistor)와 이를 적용하는 디스플레이에 관해 기술된다. 기판은 자연분해될 수 있는 고분자 재료로 형성되며, 기판 위에 투명 유기물질에 반도체성 CNT가 분산되어 있는 CNT 채널이 마련된다. 상기 채널의 양측에는 투명 유기물질에 도전성 CNT가 분사되어 있는 소스와 드레인 전극이 접촉된다. 상기 채널의 위 또는 아래에는 투명 유기물질에 도전성 CNT가 분산되어 있는 게이트가 위치하고, 상기 채널과 게이트 사이에는 투명 유기 물질에 의한 게이트 절연층이 개재된다.
Int. CL G02F 1/136 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0541(2013.01) H01L 51/0541(2013.01) H01L 51/0541(2013.01) H01L 51/0541(2013.01) H01L 51/0541(2013.01) H01L 51/0541(2013.01) H01L 51/0541(2013.01) H01L 51/0541(2013.01) H01L 51/0541(2013.01) H01L 51/0541(2013.01)
출원번호/일자 1020080119950 (2008.11.28)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1022494-0000 (2011.03.08)
공개번호/일자 10-2010-0061071 (2010.06.07) 문서열기
공고번호/일자 (20110316) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.28)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철진 대한민국 서울특별시 강남구
2 박상민 대한민국 대전광역시 서구
3 김선국 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0824364-87
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2008.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-5058894-90
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0273109-30
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0297374-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0593107-66
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0657922-39
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0657920-48
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0115436-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기물질과 유기물질 내에서 상호 연계된 전기적 경로를 형성하는 반도체성 SWCNT(Single-Walled Carbon Nano Tube)를 포함하는 채널 층; 상기 채널층의 양측에 전기적으로 접촉되는 것으로 유기물질과 유기물질 내에서 상호 연계된 전기적 경로를 형성하는 것으로 SWCNT(Single-Walled Carbon Nano Tube), DWCNT(Double-Walled Carbon Nano tube) 또는 MWCNT(Munti-Walled Carbon Nano Tube) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 소스/드레인 전극; 상기 채널층에 대응하는 것으로, 유기물질과 유기물질 내에서 상호 연계된 전기적 경로를 형성하는 것으로 SWCNT(Single-Walled Carbon Nano Tube), DWCNT(Double-Walled Carbon Nano tube) 또는 MWCNT(Munti-Walled Carbon Nano Tube) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 게이트 층; 상기 채널층 과 게이트 층 사이에 마련되는 것으로 절연성 유기물질에 의한 게이트 절연 층; 그리고 상기 층들과 전극을 지지하는 분해성 고분자 기판;를 구비하며, 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 층 중 적어도 어느 하나의 유기 물질은 투명 유기 물질인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 전분, 에스테르, 셀룰로오스, PHA, PHB, PBAT, PLA, PBS, PCL, PVA, PGA, PCL 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 기판은 투명한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
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5 5
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6 6
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7 7
제 1 항에 있어서, 투명 유기 물질은 PI(Polyimide), 파릴렌(Parylene), PMMA(Polymethly Methacrylate), PVA(Polyvinylalcohol), PVP(polyvinylphenol), PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), PANI(Polyaniline), Polypyrrole 중의 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
8 8
삭제
9 9
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10 10
제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 채널 층에 I, O, Br 중의 적어도 어느 하나가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
11 11
제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 채널 층에 K, Cs, N 중에 적어도 어느 하나가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
12 12
제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 채널층은 p형 유기물질과 n 형 유기물질 중의 어느 하나를 포함하며, 상기 p 형 유기 물질은 펜타센(Pentacene), 폴리사이오펜(Poly-thiophene), P3AT (Poly(3-alkylThiophene ), 폴리아세틸렌 (Polyacetylene), PTV(Poly(thienylene-vinylene), P3HT(Poly(3-hexylthiophene), BPT2 중에서 선택된 적어도 어느 하나이며, n 형 유기 물질은 TCNQ(tetracyanoquinodimethane), C60 (Fullerene) 중의 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 채널 층이 함유하는 유기 물질은 p 형 유기물질이며, 상기 채널 층은 I, O, Br 중의 적어도 어느 하나를 더 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
14 14
제 12 항에 있어서, 상기 채널 층이 함유하는 유기 물질은 n 형 유기물질이며, 상기 채널 층에 K, Cs, N 중에 적어도 어느 하나가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
15 15
제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 채널층은 유기물질과 반도체성 CNT를 포함하는 제1층과, p형과 n형 중의 어느 하나의 불순물을 포함하는 제2층을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 채널 층의 유기 물질은 절연성 유기물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
17 17
제 15 항에 있어서, 상기 채널 층의 유기물질은 p 형 유기물질과 n 형 유기 물질 중의 어느 하나를 포함하며, 상기 p 형 유기 물질은 펜타센(Pentacene), 폴리사이오펜(Poly-thiophene), P3AT (Poly(3-alkylThiophene), 폴리아세틸렌 (Polyacetylene), PTV(Poly(thienylene-vinylene), P3HT(Poly(3-hexylthiophene), BPT2 중에서 선택된 적어도 어느 하나이며, n 형 유기 물질은 TCNQ(tetracyanoquinodimethane), C60 (Fullerene) 중의 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
18 18
제 15 항에 있어서, 상기 채널 층의 유기물질은 PI, 파릴렌(Parylene), PMMA, PVA, PVP 중에서 선택된 어느 하나의 유기 절연물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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21 21
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 박막 트랜지스터를 적용한 디스플레이
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1 US2010133516 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 국제과학기술협력재단, 한국과학재단 한국과학재단, 고려대학교 산학협력단 과학기술국제화사업, 국가지정연구실사업(NRL) (3차년도)급성 호흡기 감염 조기진단을 위한 탄소나노튜브 기반 고감도 나노바이오센서 개발,[NRL-1차년도]플렉서블 투명전도성 CNT-Polymer박막 기술