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나노미터 수준의 미세 구멍을 가진 주형에 점성유체를 삽입하는 방법에 있어서, 상기 미세 구멍에 특정기체를 노출시켜 이를 충진 시킨 후 상기 특정기체 전량을 용해시킬 수 있는 용매에 노출하여 상기 미세 구멍에 순간적으로 발생하는 음압효과(또는 진공효과)에 의해 상기 용매가 미세 구멍에 채워지고, 상기 용매와 잘 섞이는 또 다른 용매들을 순차적으로 노출시켜 최종적으로 상기 점성유체로 교환되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 용매는 물인 것을 특징으로 하는 방법
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제 2항에 있어서, 상기 물과 함께 확산에 의한 용매 교환이 가능한 1차적인 또 다른 용매는 알콜류, 케톤류 및 에테르류로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 3항에 있어서, 상기 알콜류는 메틸알콜, 에틸알콜,프로필 알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 이소부틸알콜, 및 터셔리알콜로 이루어지는 군으로부터, 상기 케톤류는 아세톤, 메틸에틸 케톤, 디에틸 케톤 및 메틸부틸 케톤으로 이루어지는 군으로부터, 상기 에테르류는 메틸에테르, 메틸에틸에테르, 에틸에테르, 프로필에테르 및 부틸에테르로 이루어지는 군으로부터, 각각 선택되어지는 것을 특징으로 하는 방법
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제 3항에 있어서, 상기 1차적인 또 다른 용매와 확산에 의한 교환이 가능한 2차적인 또 다른 용매는 알콜류, 케톤류, 에테르류 및 극성을 갖는 방향성 용매로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 5항에 있어서, 상기 방향성 용매는 톨루엔 및 자일렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 특정기체는 암모니아인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 점성유체는 광 경화형 고분자전구체 또는 열 경화형 고분자전구체인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 주형은 알루미늄 양극산화 기법을 이용한 나노패턴을 갖는 주형인 것을 특징으로 하는 방법
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제 7항에 있어서, 상기 암모니아기체를 미세구멍에 충진하는 방법은, 상기 주형을 밀폐된 용기에 넣고 진공상태로 만든 후, 암모니아 액체를 노출시키거나 또는 기체 암모니아 봄베를 연결하여 용기를 암모니아 기체로 포화시켜 노출시킴으로써 충진하는 방법인 것을 특징으로 하는 방법
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알루미늄 양극산화 기술을 이용하여 반복적이고 그 크기가 나노미터 수준으로 제어된 미세 구조물을 제작하는 단계;제 1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법을 사용하여 점성유체를 주형에 충진하는 단계;상기 충진된 점성유체를 경화하는 단계; 및상기 경화된 점성유체를 이격하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노패턴의 정밀 복제 방법
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제 11항에 있어서, 상기 미세 구조물을 소수성 표면으로 개질하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴의 정밀 복제 방법
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제 11항에 있어서, 양극 산화 시간의 조절을 통해 상기 미세구조물의 구멍 패턴의 깊이를 조절하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로하는 나노 패턴의 정밀 복제 방법
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제 13항에 있어서,상기 구멍 패턴의 폭을 조절하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴의 정밀 복제 방법
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제 11항에 있어서, 상기 경화된 점성유체를 PS 기판, PMMA 기판, 실리콘 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼, 유리기판 및 석영기판으로 이루어지는 군으로부터 선택된 기판에 옮기는 것을 특징으로 하는 나노 패턴의 정밀 복제 방법
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