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양자 우물 구조물을 포함하는 ＳＰＭ 프로브, ＳＰＭ 프로브에 양자 우물 구조물을 형성하는 방법 및 상기 ＳＰＭ 프로브를 포함하는 ＳＰＭ 장치
- 기술번호 : KST2015134955
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 문서는 팁에 형성된 양자 우물 구조물을 포함하는 SPM 프로브, SPM 프로브에 양자 우물 구조물을 형성하는 방법 및 상기 SPM 프로브를 포함하는 SPM 장치를 개시한다. 상기 양자 우물 구조물은 최적의 광학적 특성을 가지도록 프로브를 용이하게 튜닝할 수 있어서, 광학적 영상화 기법의 해상도를 나노스케일까지 구현할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/66 (2006.01.01) H01J 37/26 (2006.01.01) B82Y 35/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020080078047 (2008.08.08) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0019157 (2010.02.18) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 거절 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.08.08) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 홍승훈 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
| 2 | 김태경 | 대한민국 | 경기도 평택 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인다나 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.08.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0570886-62 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2008.08.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0101945-84 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2008.08.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0596305-66 |
| 4 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2008.10.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0757522-44 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.06.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0037862-76 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.06.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0267128-58 |
| 8 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2010.06.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0409953-49 |
| 9 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2010.09.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0395567-02 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 팁에 형성된 양자 우물 구조물을 포함하는 SPM 프로브 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 양자 우물 구조물은 수평 방향 단면의 평균 직경이 10 nm 내지 1 ㎛인 SPM 프로브 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 양자 우물 구조물은 수직 방향 두께가 1 nm 내지 1 ㎛인 SPM 프로브 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 양자 우물 구조물은 AlGaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs/AlGaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs/InGaAs, AlGaN/GaN, AlGaN/GaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/GaN/InGaN, ZnS/CdS/ZnS, ZnSe/ZnMgSSe/ZnMgSSe 또는 ZnS/MgZnS의 단일층 또는 다중층 구조인 SPM 프로브 |
| 5 |
5 SPM 프로브에 마스크층을 형성하고; SPM 프로브 팁의 첨단부를 제거하며; SPM 프로브에 양자 우물 구조물을 형성하고; SPM 프로브의 마스크층을 제거하는 과정을 포함하는 SPM 프로브 팁에 양자 우물 구조물을 형성하는 방법 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 마스크층을 PVD법 또는 CVD법으로 형성하는 방법 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서, PVD법은 열 기화법, DC 스퍼터링법, RF 스퍼터링법, 이온빔 스퍼터링법, 펄스 레이저 증착법 또는 분자빔 에피택시법이며; CVD법은 써멀 CVD법, 저압 CVD법, 플라즈마 향상 CVD법 또는 금속-유기 CVD법인 방법 |
| 8 |
8 제 5 항에 있어서, 마스크층은 알루미늄, 티타늄, 실리카, 산화 주석, 코발트, 팔라듐, 은, 크롬 또는 납을 포함하는 방법 |
| 9 |
9 제 5 항에 있어서, 마스크층은 두께가 10 nm 내지 100 nm인 방법 |
| 10 |
10 제 5 항에 있어서, 팁의 첨단부의 마스크층의 제거는 SPM 프로브 팁의 첨단부를 고체 기판으로 연마하여 수행하는 방법 |
| 11 |
11 제 5 항에 있어서, 팁의 첨단부의 마스크층의 제거를 CMP 공정에 의해 수행하는 방법 |
| 12 |
12 제 5 항에 있어서, 양자 우물 구조물을 열 기화법, DC 스퍼터링법, RF 스퍼터링법, 이온빔 스퍼터링법, 펄스 레이저 증착법, 분자빔 에피택시법, 써멀 CVD법, 저압 CVD법, 플라즈마 향상 CVD법 또는 금속-유기 CVD법으로 형성하는 방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 분자빔 에피택시법에서 증발원의 가열 온도가 500℃ 내지 1200℃이며, 결정 성장 온도가 500℃ 내지 700℃이고, 분자빔 입사 속도가 0 |
| 14 |
14 제 5 항에 있어서, 마스크층의 제거를 SPM 프로브를 부식액으로 처리하여 수행하는 방법 |
| 15 |
15 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 프로브를 포함하는 SPM 장치 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서, SPM이 FRET-NSOM인 장치 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US20100032719 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2010032719 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.08.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0570886-62 |
| 2 | 보정요구서 | 2008.08.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0101945-84 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2008.08.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0596305-66 |
| 4 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2008.10.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0757522-44 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2010.06.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0037862-76 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2010.06.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0267128-58 |
| 8 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.06.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0409953-49 |
| 9 | 거절결정서 | 2010.09.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0395567-02 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071064 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과06A1102 |
| 연구과제명 | 프런티어물리인력양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
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