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이중 게이트로 조절되는 다이오드 구조를 이용한 발광소자

  • 기술번호 : KST2015135127
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광소자에 관한 발명으로서, 보다 구체적으로 이중 게이트로 조절되는 다이오드 구조를 이용한 발광소자에 관한 발명이다. 본 발명의 일측면은 P형 반도체; N형 반도체; 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체 사이에 연결된 반도체 필름; 상기 반도체 필름의 위에 위치하여, 상기 반도체 필름에 전기장을 인가하기 위한 제1 전극; 및 상기 반도체 필름의 아래에 위치하여, 상기 반도체 필름에 추가적인 전기장을 인가하기 위한 제2 전극을 구비하는 발광 소자를 제공한다.
Int. CL H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020080003994 (2008.01.14)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0971716-0000 (2010.07.15)
공개번호/일자 10-2009-0078177 (2009.07.17) 문서열기
공고번호/일자 (20100721) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.14)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영준 대한민국 서울 관악구
2 이강무 대한민국 경기 성남시 수정구
3 김헌석 대한민국 서울 양천구
4 천준호 대한민국 서울 서초구
5 권성훈 대한민국 서울 관악구
6 박찬형 대한민국 서울 송파구
7 정인영 대한민국 경기 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0029494-22
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0077289-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0491117-86
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0055329-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0055328-75
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0158056-35
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
P형 반도체; N형 반도체; 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체 사이에 연결된 반도체 필름; 상기 반도체 필름의 위에 위치하여, 상기 반도체 필름에 전기장을 인가하기 위한 제1 전극; 및 상기 반도체 필름의 아래에 위치하여, 상기 반도체 필름에 추가적인 전기장을 인가하기 위한 제2 전극을 구비하되, 상기 제1 전극에는 상기 반도체 필름의 상부에 반전 및 축적 중 어느 하나가 일어나도록 하는 제1 전압이 인가되고, 상기 제2 전극에는 상기 반도체 필름의 하부에 상기 반전 및 상기 축적 중 나머지 하나가 일어나도록 하는 제2 전압이 인가되며, 상기 반도체 필름의 상기 상부 및 상기 하부 사이의 터널링 현상으로 인하여 일어나는 전자-홀 재결합에 의하여 발광이 제어되는 발광 소자
2 2
제1 항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 반도체 필름 사이에 위치한 제1 절연체; 및 상기 제2 전극과 상기 반도체 필름 사이에 위치한 제2 절연체를 더 포함하는 발광 소자
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1 항에 있어서, 상기 제1 전극에 인가되는 제1 전압 및 상기 제2 전극에 인가되는 제2 전압은 서로 다른 값을 가지는 발광 소자
6 6
제1 항에 있어서, 상기 반도체 필름은 P형 또는 N형으로 도핑된 발광 소자
7 7
제1 항에 있어서, 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체에는 순방향 전류가 흐르도록 하는 전압이 인가된 발광 소자
8 8
제1 항에 있어서, 상기 P형 반도체, 상기 N형 반도체 및 상기 반도체 필름은 실리콘인 발광 소자
9 9
제1 항에 있어서, 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체 각각은 상기 반도체 필름의 측면에 연결된 발광 소자
10 10
(a) P형 반도체, N형 반도체 및 반도체 필름-상기 반도체 필름은 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체 사이에 연결됨-을 제공하는 단계; 및 (b) 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체에 순방향 전류가 흐르도록 하는 전압을 인가하고, 상기 반도체 필름의 상부에는 반전 및 축적 중 어느 하나가 일어나도록 하고, 상기 반도체 필름의 하부에는 상기 반전 및 상기 축적 중 나머지 하나가 일어나도록 하는 단계를 포함하고, 상기 반도체 필름의 상기 상부 및 상기 하부 사이의 터널링 현상으로 인하여 일어나는 전자-홀 재결합에 의하여 상기 반도체 필름의 발광이 제어되는 발광 방법
11 11
삭제
12 12
제10 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 제1 절연체를 사이에 두고 상기 반도체 필름과 이격된 제1 전극에 인가된 제1 전압에 의하여 상기 반도체 필름의 상기 상부에 상기 반전 및 상기 축적 중 상기 어느 하나가 일어나고, 제2 절연체를 사이에 두고 상기 반도체 필름과 이격된 제2 전극에 인가된 제2 전압에 의하여 상기 반도체 필름의 상기 하부에 상기 반전 및 상기 축적 중 상기 나머지 하나가 일어나도록 하는 발광 방법
13 13
제10 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 면 발광이 일어나는 발광 방법
14 14
제10 항에 있어서, 상기 반도체 필름은 P형 또는 N형으로 도핑된 발광 방법
15 15
제10 항에 있어서, 상기 P형 반도체, 상기 N형 반도체 및 상기 반도체 필름은 실리콘인 발광 방법
16 16
제10 항에 있어서, 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체 각각은 상기 반도체 필름의 측면에 연결된 발광 방법
17 17
(a) P형 반도체, N형 반도체 및 반도체 필름-상기 반도체 필름은 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체 사이에 연결됨-을 제공하는 단계; 및 (b) 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체에 순방향 전류가 흐르도록 하는 전압을 인가하고, 상기 반도체 필름의 상부 및 하부 사이의 터널링 현상이 일어나도록 함으로써, 상기 터널링 현상으로 인하여 일어나는 전자-홀 재결합에 의하여 상기 반도체 필름이 발광하도록 하는 단계 를 포함하는 발광 방법
18 18
제17 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 면 발광이 일어나는 발광 방법
19 19
제17 항에 있어서, 상기 반도체 필름은 P형 또는 N형으로 도핑된 발광 방법
20 20
제17 항에 있어서, 상기 P형 반도체, 상기 N형 반도체 및 상기 반도체 필름은 실리콘인 발광 방법
21 21
제17 항에 있어서, 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체 각각은 상기 반도체 필름의 측면에 연결된 발광 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101442800 KR 대한민국 FAMILY
2 US20110050121 US 미국 FAMILY
3 WO2009091176 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2009091176 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011050121 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.