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탄소나노튜브 네트워크에 기반한 박막형 태양전지

  • 기술번호 : KST2015135547
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판, 상기 기판 위에 배치된 도핑된 탄소나노튜브의 네트워크를 구비한 제1 도전형 박막 층, 상기 제1 도전형 박막 층과 p-n 접합을 이루는 제2 도전형 반도체 박막 층, 상기 제1 도전형 박막 층의 적어도 일부에 형성된 제1 전극, 및 상기 제2 도전형 반도체 박막 층의 적어도 일부에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막형 태양전지가 제공된다.
Int. CL H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01)
출원번호/일자 1020090012660 (2009.02.17)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1062906-0000 (2011.08.31)
공개번호/일자 10-2010-0093627 (2010.08.26) 문서열기
공고번호/일자 (20110906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.17)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영준 대한민국 서울 관악구
2 김용협 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 황농문 대한민국 서울특별시 서초구
4 임형욱 대한민국 서울특별시 성북구
5 김헌석 대한민국 서울 양천구
6 정용빈 대한민국 경기도 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0095535-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0038576-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0469506-96
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0840018-28
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0043537-19
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0121348-05
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0143838-70
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0143836-89
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0293247-72
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투광성 기판; 상기 투광성 기판 상에 배치되고, 핑거 그리드 형태를 가지는 제1 전극; 상기 제1 전극 및 상기 투광성 기판의 적어도 일부분 상에 배치되고, p형 또는 n형으로 도핑된 탄소나노튜브가 서로 얽혀 있는 네트워크를 구비하는 제1 도전형 박막 층; 상기 제1 도전형 박막 층과 반대 도전형을 가지도록 도핑되며 p-n 접합을 이루도록 접촉하는 제2 도전형 반도체 박막 층; 및 상기 제2 도전형 반도체 박막 층의 적어도 일부에 형성된 제2 전극을 포함하되, 상기 제1 도전성 박막 층은 7 nm 내지 300 nm의 두께를 가지는 상기 탄소나노튜브의 네트워크를 구성하는 박막형 태양전지
2 2
제1 항에 있어서, 상기 제1 도전형 박막 층이 p형 탄소나노튜브를 포함할 경우, 상기 제2 도전형 반도체 층은 n형 도핑된 실리콘(Si), 티타늄 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 및 알루미늄, 보론, 갈륨 중 적어도 한 원소가 주입된 아연 산화물로 이루어진 군 중에서 선택되는 1종 이상의 반도체를 포함하는 박막형 태양전지
3 3
제1 항에 있어서, 상기 제1 도전형 박막 층이 n형 탄소나노튜브를 포함할 경우, 상기 제2 도전형 반도체 층은 p형 도핑된 실리콘, 구리 산화물, 갈륨 구리 산화물, 및 나트륨, 칼륨, 리튬등 적어도 한 원소가 주입된 니켈 구리 산화물로 이루어진 군 중에서 선택되는 1종 이상의 반도체를 포함하는 박막형 태양전지
4 4
삭제
5 5
제1 항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체 박막 층은 미세결정 실리콘 박막 층인 박막형 태양전지
6 6
제1 항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체 박막 층이 실리콘으로 이루어진 경우 도펀트의 도핑 농도는 1015cm-3 내지 1022cm-3인 박막형 태양전지
7 7
제1 항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체 박막 층의 두께는 1um 내지 5um인 박막형 태양전지
8 8
제1 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 금속 또는 투명 도전성 산화막으로 이루어진 박막형 태양전지
9 9
삭제
10 10
투광성 기판을 제공하는 단계; 상기 투광성 기판 상에 핑거 그리드 형태를 가지는 제1 전극을 형성하는 단계; p형 또는 n형으로 도핑된 탄소나노튜브를 용매에 분산시킨 분산 용액을 제조하는 단계; 상기 투광성 기판 및 상기 제1 전극의 적어도 일부분 상에 상기 분산 용액을 도포하여 탄소나노튜브 네트워크를 구비한 제1 도전형 박막 층을 7 nm 내지 300 nm의 두께로 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 박막 층과 반대 도전형을 가지는 제2 도전형 반도체 박막 층을 상기 제1 도전형 박막 층 위에 증착하여 p-n 이종접합구조를 형성하는 단계; 및 상기 제2 도전형 반도체 박막 층의 적어도 일부에 제2 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 도핑된 탄소나노튜브의 분산액의 도포는 딥코팅, 스핀코팅 또는 스프레이코팅 중 어느 하나의 방법으로 수행되는 박막형 태양전지의 제조방법
12 12
제10 항에 있어서, 상기 제1 도전형 박막 층이 p형 탄소나노튜브를 포함할 경우, 상기 제2 도전형 반도체 층은 n형 도핑된 실리콘(Si), 티타늄 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 및 알루미늄, 보론, 갈륨 중 적어도 한 원소가 주입된 아연 산화물로 이루어진 군 중에서 선택되는 1종 이상의 반도체를 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법
13 13
제10 항에 있어서, 상기 제1 도전형 박막 층이 n형 탄소나노튜브를 포함할 경우, 상기 제2 도전형 반도체 층은 p형 도핑된 실리콘, 구리 산화물, 갈륨 구리 산화물, 및 나트륨, 칼륨, 리튬 중 적어도 한 원소가 주입된 니켈 구리 산화물로 이루어진 군 중에서 선택되는 1종 이상의 반도체를 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법
14 14
제10 항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체 박막 층은 미세결정 실리콘 박막 층인 박막형 태양전지의 제조방법
15 15
제14 항에 있어서, 상기 미세결정 실리콘 박막 층의 증착은 에칭가스 고온의 필라멘트에 의해 실란(SiH4)과 수소를 분해시키는 저온증착기술에 의해 수행되는 박막형 태양전지의 제조방법
16 16
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.