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양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법
- 기술번호 : KST2015137324
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 전하수송입자와 양자점으로 구성된 양자발광층 및 전하수송층을 용액 공정(Solution process)으로 형성한 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자점 발광 소자는 기판과; 상기 기판 상에 형성된 양극과; 상기 양극 상에 형성되며 전하수송입자와 양자점이 혼합된 양자발광층; 및 상기 양자 발광층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어진다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100047397 (2010.05.20) |
| 출원인 | 엘지디스플레이 주식회사, 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1641367-0000 (2016.07.14) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0127897 (2011.11.28) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20160721) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2015.04.29) |
| 심사청구항수 | 8 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 엘지디스플레이 주식회사 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
| 2 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 곽정훈 | 대한민국 | 서울특별시 동작구 |
| 2 | 강호철 | 대한민국 | 경기도 고양시 일산서구 |
| 3 | 노영훈 | 대한민국 | 경기도 파주시 |
| 4 | 이창희 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
| 5 | 차국헌 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 6 | 이성훈 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 7 | 배완기 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 8 | 임재훈 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 9 | 이동구 | 대한민국 | 경상남도 함안군 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박영복 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 엘지디스플레이 주식회사 | 서울특별시 영등포구 | |
| 2 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.05.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0324793-14 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2010.05.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0331907-08 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.12.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5241074-12 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.10.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5199065-15 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.12.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5262372-95 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 8 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative) |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1253647-96 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 10 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2015.04.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0417009-90 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 12 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2016.03.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0212045-18 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2016.05.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0480025-11 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2016.05.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0480019-47 |
| 15 | 등록결정서 Decision to grant |
2016.06.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0473477-16 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판;상기 기판 상에 형성된 양극;상기 양극 상에 형성되며 전하수송입자와 양자점이 혼합된 양자발광층; 및상기 양자 발광층 상에 형성된 음극을 포함하되,상기 전하수송입자는 N-타입 산화물 나노 입자 및 P-타입 산화물 나노 입자를 포함하고,상기 N-타입 산화물 나노 입자 및 상기 P-타입 산화물 나노 입자는 상기 양자점보다 크고,상기 N-타입 산화물 나노 입자는 TiO2(Titanium dioxide), ZnO(Zinc oxide), InOx(Indium oxide), Al2O3(Aluminium oxide), ZrOx(Zirconium oxide), SnOx(Tin oxide), WOx(Tungsten oxide) 중 선택되어 이루어지며,상기 P-타입 산화물 나노 입자는 NiOx(Nickel Oxide), VOx(Vanadium oxide), MoOx(Molybdenum Oxide), CrOx(Chrome Oxide), BOx(Barium Oxide) 중 선택되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 양자점은 직경이 2㎚ 내지 20㎚인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 양자점은 2-6족 또는 3-5족 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 P-타입 산화물 나노 입자 및 상기 N-타입 산화물 나노 입자는 직경이 1㎚ 내지 100㎚인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자 |
| 6 |
6 삭제 |
| 7 |
7 삭제 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 삭제 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 삭제 |
| 12 |
12 삭제 |
| 13 |
13 기판 상에 형성된 양극을 형성하는 단계;상기 양극 상에 전하수송입자와 양자점이 혼합된 양자발광층을 형성하는 단계; 및상기 양자 발광층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 전하수송입자는 N-타입 산화물 나노 입자 및 P-타입 산화물 나노 입자를 포함하고,상기 N-타입 산화물 나노 입자 및 상기 P-타입 산화물 나노 입자는 상기 양자점보다 크고,상기 N-타입 산화물 나노 입자는 TiO2(Titanium dioxide), ZnO(Zinc oxide), InOx(Indium oxide), Al2O3(Aluminium oxide), ZrOx(Zirconium oxide), SnOx(Tin oxide), WOx(Tungsten oxide) 중 선택되어 이루어지며,상기 P-타입 산화물 나노 입자는 NiOx(Nickel Oxide), VOx(Vanadium oxide), MoOx(Molybdenum Oxide), CrOx(Chrome Oxide), BOx(Barium Oxide) 중 선택되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자의 제조 방법 |
| 14 |
14 삭제 |
| 15 |
15 제 13 항에 있어서,상기 양자발광층을 형성하는 단계는 상기 전하수송입자와 상기 양자점을 용매에 분산시켜 액상으로 코팅하는 용액 공정(Solution process)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자의 제조 방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 용액 공정은 잉크젯(Inkjet) 방식, 스핀 코팅(Spin Coating) 방식, 노즐 코팅(Nozzle Coating) 방식, 스프레이 코팅(Spray Coating) 방식 및 슬릿 코팅(Slit Coating) 방식 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자의 제조 방법 |
| 17 |
17 제 15 항에 있어서 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN102255019 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | US09073752 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | US20110284819 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN102255019 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | CN102255019 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | US2011284819 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 4 | US9073752 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1641367-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100520 출원 번호 : 1020100047397 공고 연월일 : 20160721 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160630 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 51/52 발명의 명칭 : 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
| 1 |
(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 357,000 원 | 2016년 07월 15일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 216,000 원 | 2019년 06월 17일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 216,000 원 | 2020년 06월 17일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.05.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0324793-14 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 | 2010.05.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0331907-08 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.12.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5241074-12 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.10.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5199065-15 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.12.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5262372-95 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 8 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1253647-96 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 10 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2015.04.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0417009-90 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 12 | 의견제출통지서 | 2016.03.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0212045-18 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2016.05.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0480025-11 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서 | 2016.05.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0480019-47 |
| 15 | 등록결정서 | 2016.06.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0473477-16 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345098739 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0093317 |
| 연구과제명 | 태양전지용 고분자-나노입자 하이브리드 합성 및 형태학 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200909~201509 |
| 기여율 | 0.25 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345128299 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0093304 |
| 연구과제명 | 고효율 태양 에너지 수집용 광학 구조 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200909~201509 |
| 기여율 | 0.25 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345128587 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0093319 |
| 연구과제명 | 고효율 고분자-나노입자 하이브리드 태양전지 구조 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200909~201509 |
| 기여율 | 0.25 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345134997 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0029611 |
| 연구과제명 | 태양전지용 고분자-나노입자 하이브리드 합성 및 형태학 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200909~201509 |
| 기여율 | 0.25 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
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