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단원자층 증착법을 이용한 양자점 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015161055
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점 형성 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 단원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)를 이용하여 양자점을 형성하는 방법에 관한 것으로, 이러한 방법을 적용하여 높은 공간 밀도를 갖고 균일한 크기를 갖는 나노미터 크기의 양자점 형성을 제어할 수 있다.단원자층 증착법(atomic layer deposition), 핵생성 (nucleation), 양자점 (quantum dot), 나노 결정 (nanocrystal)
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01)
출원번호/일자 1020060001407 (2006.01.05)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0742644-0000 (2007.07.19)
공개번호/일자 10-2007-0073464 (2007.07.10) 문서열기
공고번호/일자 (20070725) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.01.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임성수 대한민국 서울 관악구
2 이문상 대한민국 서울 양천구
3 김기수 대한민국 서울 관악구
4 김기범 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이정순 대한민국 서울특별시 종로구 경희궁길 **, *층 리앤권법률특허사무소 (신문로*가, 서광빌딩)
2 권혁록 대한민국 서울특별시 종로구 경희궁길 **, *층 리앤권법률특허사무소 (신문로*가, 서광빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0008125-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0001213-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0043274-25
5 의견서
Written Opinion		 2007.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0097984-86
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.02.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0097986-77
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0385574-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단원자층 증착 방법을 사용하여 양자점을 형성하는 방법에 있어서, 물질의 전구체(precursor)를 챔버내에 유입하여 챔버내에 위치하는 기판 표면에 상기 물질의 전구체의 흡착물을 형성하는 단계; 상기 기판 표면에 형성된 상기 물질의 전구체의 흡착물을 환원시키거나 반응시켜 상기 물질의 양자점을 상기 기판 표면에 형성하는 단계를 한 싸이클(cycle)로 하여 이 싸이클(cycle)을 일정회수 반복하여 상기 기판 표면에 상기 물질의 양자점을 형성하는 양자점 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 흡착물 형성 단계 다음에 흡착 후 남아있는 상기 물질의 전구체의 물리적 흡착물들을 퍼지(purge) 과정를 통하여 제거하는 단계를 더 포함하는 특징으로 하는 양자점 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 물질의 양자점을 상기 기판 표면에 형성하는 단계 다음에 불활성 가스를 사용하여 반응 후 남아있는 잔여물을 퍼지(purge) 과정를 통하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 양자점 형성 후 상기 물질의 전구체 주입 양을 줄이고 상기 싸이클을 더 반복하여 새로운 양자점 형성을 최소화하고 상기 양자점의 크기를 증가시키는 양자점 성장 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 양자점 형성 후 후처리를 통하여 증착된 양자점을 개질하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 기판을 전처리한 후 상기 물질의 전구체를 주입하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.