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하나의 바이리스터와 두 개의 트랜지스터들을 포함하는 뉴런 회로와 이를 포함하는 장치들

  • 기술번호 : KST2023003491
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 출력 전압의 크기와 펄스 폭을 감소시킬 수 있는 뉴런 회로가 개시된다. 뉴런 회로는 제1시냅스 회로로부터 출력된 일정한 입력 전류를 수신하는 컬렉터 전극과 접지에 접속된 이미터 전극을 포함하고, 상기 컬렉터 전극을 통해 컬렉터 신호를 출력하는 바이리스터와, 상기 컬렉터 신호에 의해 인에이블되고, 동작 전압을 그 안에 포함된 저항 값들을 이용하여 전압 분배하고, 상기 전압 분배의 결과에 해당하는 출력 전압을 제2시냅스 회로로 출력하는 전압 분배기를 포함한다.
Int. CL G06N 3/063 (2023.01.01) H01L 27/088 (2006.01.01) H10B 63/00 (2023.01.01)
CPC G06N 3/063(2013.01) H01L 27/088(2013.01) H10B 63/30(2013.01)
출원번호/일자 1020220048365 (2022.04.19)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0068259 (2023.05.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210154130   |   2021.11.10
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대전광역시 유성구
2 한준규 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2022-0419505-13
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2023-5023571-05
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.05.04 수리 (Accepted) 4-1-2023-5110236-33
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번호 청구항
1 1
제1시냅스 회로로부터 출력된 일정한 입력 전류를 수신하는 컬렉터 전극과 접지에 접속된 이미터 전극을 포함하고, 상기 컬렉터 전극을 통해 컬렉터 신호를 출력하는 바이리스터(biristor); 및상기 컬렉터 신호에 의해 인에이블되고, 동작 전압을 그 안에 포함된 저항 값들을 이용하여 전압 분배하고, 상기 전압 분배의 결과에 해당하는 출력 전압을 제2시냅스 회로로 출력하는 전압 분배기를 포함하는 뉴런 회로
2 2
제1항에 있어서,상기 바이리스터는 바이폴라 NPN 트랜지스터이고, 상기 바이폴라 NPN 트랜지스터의 베이스 전극은 플로팅(floating) 상태인 뉴런 회로
3 3
제1항에 있어서, 상기 전압 분배기는,상기 동작 전압을 공급하는 전압 라인에 접속된 제1전극, 상기 출력 전압을 출력하는 출력 노드에 접속된 제2전극, 및 상기 컬렉터 전극에 접속된 제1제어 단자를 포함하는 제1트랜지스터; 및상기 출력 노드에 접속된 제3전극, 상기 접지에 접속된 제4전극, 및 제2제어 단자를 포함하는 제2트랜지스터를 포함하고,상기 제1트랜지스터는 상기 저항 값들 중에서 제1값을 갖고,상기 제2트랜지스터는 상기 저항 값들 중에서 제2값을 갖는 뉴런 회로
4 4
제3항에 있어서,상기 제1트랜지스터는 n-타입 MOSFET, p-타입 MOSFET, 바이폴라 NPN 트랜지스터, 또는 바이폴라 PNP 트랜지스터이고,상기 제2트랜지스터는 n-타입 MOSFET, p-타입 MOSFET, 바이폴라 NPN 트랜지스터, 또는 바이폴라 PNP 트랜지스터인 뉴런 회로
5 5
제3항에 있어서,상기 제1트랜지스터와 상기 제2트랜지스터 각각이 바이폴라 트랜지스터일 때,상기 제1전극과 상기 제3전극 각각은 컬렉터 전극과 이미지 전극 중 어느 하나이고, 상기 제2전극과 상기 제4전극 각각은 상기 컬렉터 전극과 상기 이미지 전극 중 다른 하나이고,상기 제1제어 단자와 상기 제2제어 단자 각각은 베이스 전극인 뉴런 회로
6 6
뉴로모픽 회로를 포함하는 신경망 처리 유닛(Neural Processing Unit(NPU))에 있어서,상기 뉴로모픽 회로는,제1시냅스 회로;제2시냅스 회로; 및상기 제1시냅스 회로와 상기 제2시냅스 회로사이에 접속된 뉴런 회로를 포함하고,상기 뉴런 회로는,상기 제1시냅스 회로로부터 출력된 일정한 입력 전류를 수신하는 컬렉터 전극과 접지에 접속된 이미터 전극을 포함하고, 상기 컬렉터 전극을 통해 컬렉터 신호를 출력하는 바이리스터(biristor); 및상기 컬렉터 신호에 의해 인에이블되고, 동작 전압을 그 안에 포함된 저항 값들을 이용하여 전압 분배하고, 상기 전압 분배의 결과에 해당하는 출력 전압을 상기 제2시냅스 회로로 출력하는 전압 분배기를 포함하는 신경망 처리 유닛
7 7
제6항에 있어서,상기 제1시냅스 회로와 상기 제2시냅스 회로 각각은 불휘발성 메모리 장치 또는 휘발성 메모리 장치인 신경망 처리 유닛
8 8
제6항에 있어서, 상기 전압 분배기는,상기 동작 전압을 공급하는 전압 라인에 접속된 제1전극, 상기 출력 전압을 출력하는 출력 노드에 접속된 제2전극, 및 상기 컬렉터 전극에 접속된 제1제어 단자를 포함하는 제1트랜지스터; 및상기 출력 노드에 접속된 제3전극, 상기 접지에 접속된 제4전극, 및 제2제어 단자를 포함하는 제2트랜지스터를 포함하고,상기 제1트랜지스터는 상기 저항 값들 중에서 제1값을 갖고,상기 제2트랜지스터는 상기 저항 값들 중에서 제2값을 갖는 신경망 처리 유닛
9 9
뉴로모픽 회로를 포함하는 신경망 처리 유닛(Neural Processing Unit(NPU))을 포함하는 데이터 처리 장치에 있어서,상기 뉴로모픽 회로는,제1시냅스 회로;제2시냅스 회로; 및상기 제1시냅스 회로와 상기 제2시냅스 회로사이에 접속된 뉴런 회로를 포함하고,상기 뉴런 회로는,상기 제1시냅스 회로로부터 출력된 일정한 입력 전류를 수신하는 컬렉터 전극과 접지에 접속된 이미터 전극을 포함하고, 상기 컬렉터 전극을 통해 컬렉터 신호를 출력하는 바이리스터(biristor); 및상기 컬렉터 신호에 의해 인에이블되고, 동작 전압을 그 안에 포함된 저항 값들을 이용하여 전압 분배하고, 상기 전압 분배의 결과에 해당하는 출력 전압을 상기 제2시냅스 회로로 출력하는 전압 분배기를 포함하는 데이터 처리 장치
10 10
제9항에 있어서, 상기 전압 분배기는,상기 동작 전압을 공급하는 전압 라인에 접속된 제1전극, 상기 출력 전압을 출력하는 출력 노드에 접속된 제2전극, 및 상기 컬렉터 전극에 접속된 제1제어 단자를 포함하는 제1트랜지스터; 및상기 출력 노드에 접속된 제3전극, 상기 접지에 접속된 제4전극, 및 제2제어 단자를 포함하는 제2트랜지스터를 포함하고,상기 제1트랜지스터는 상기 저항 값들 중에서 제1값을 갖고,상기 제2트랜지스터는 상기 저항 값들 중에서 제2값을 갖는 데이터 처리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.