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3차원 가상 공간 상의 기하학적 물체에 관한 다각형 모델 와 에 대한 컴퓨터를 이용한 침투 깊이 연산 방법에 있어서,형태 공간에서 충돌 회피 형태가 선택되는 S1 단계;상기 S1 단계에서 선택된 충돌 회피 형태에 연속 충돌 검출(CCD)을 적용하여 접촉 공간에서 투사되는 과정으로, 소스 형태(source configuration) qs를 타겟 형태(target configuration) qt로 투사하는 아웃 프로젝션이 수행되는 S2 단계;다각형 모델 와 의 공통 오리진에서 지역 접촉 공간(LCS)으로 투사되는 인 프로젝션이 수행되는 S3 단계; 및상기 인 프로젝션을 통해 투사된 형태에 대한 샘플 분류가 수행되는 S4 단계를 포함하되,상기 S4 단계에서 수행되는 샘플 분류 결과에 따라 최종 침투 깊이가 산출되거나, 최종 침투 깊이가 산출될 때까지 상기 소스 형태 또는 타겟 형태를 변경하여 상기 S2 단계 내지 S4 단계가 반복되는 것을 특징으로 하는 다각형 모델의 침투 깊이 연산방법
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제1항에 있어서,상기 S1 단계의 충돌 회피 형태는 상기 S2 단계에서 사용되는 최초 소스 형태로서 아래의 식으로 표현되는 것을 특징으로 하는 다각형 모델의 침투 깊이 연산방법
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제1항에 있어서,상기 S1 단계에서 충돌 회피 형태 선택은 최대 선명성을 갖는 공간상의 지점을 검출하여 충돌 회피 형태를 선택을 수행하는 것으로, 상기 최대 선명성을 갖는 공간상의 지점은 (a) 움직이지 않는 물체의 AABB(axis-aligned bounding box)를 연산하고, 그리드(grid)와 함께 AABB를 화소화하는 단계, (b) 그리드 내부의 각 점으로부터 물체의 거리를 연산하는 단계, (c) 충돌 가능한 근 거리에 있는 그리드 점을 제거하는 단계, (d) 주변 형태와 비교하고, 물체와 더 근거리에 있는 점을 제거하고, 1차원 또는 2차원의 최대 거리 형태를 찾는 단계, (e) AABB의 경계상에 남아 있는 형태를 제거하는 단계, (f) 다시 주변 형태와 비교하면서, 물체와 근거리에 있는 점을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다각형 모델의 침투 깊이 연산방법
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제1항에 있어서,상기 S2 단계에서 CCD는 보수적 전진 기법(C2A)을 사용하고, 는 이동에 의해 움직일 수 있지만, 는 고정된다고 하면, 가 와 접촉하는 시간(τ)은 아래의 식으로 표현되는 것을 특징으로 하는 다각형 모델의 침투 깊이 연산방법
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제1항에 있어서,상기 S3 단계의 인 프로젝션은 지역 접촉 공간(LCS)가 구성되는 S3-1 단계; 및 가우스-사이델 알고리즘을 사용하여 로부터 LCS로 인 프로젝션이 수행되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다각형 모델의 침투 깊이 연산방법
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제5항에 있어서,상기 S3-1 단계는 상기 S2 단계에서 아웃 프로젝션이 수행된 형태의 접촉 특징(contact feature)을 찾아 LCS를 구성하며, 상기 LCS는 접촉 공간에서의 선형 볼록 원뿔 모양(linear convex cone)인 것을 특징으로 하는 다각형 모델의 침투 깊이 연산방법
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제1항에 있어서,상기 S4 단계는상기 S3 단계에서 인 프로젝션이 수행된 형태(qi)가 접촉 가능 형태라면, 부터 qi까지의 유클리드 거리를 계산하여 최종 침투 깊이를 산출하고 알고리즘을 종료하는 것을 특징으로 하는 다각형 모델의 침투 깊이 연산방법
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제1항에 있어서,상기 S4 단계는상기 S3 단계에서 인 프로젝션이 수행된 형태(qi)가 충돌 회피 형태라면, qi는 소스 형태(qs≡qi)로 설정하고, 오리진은 타겟 형태(qt≡)로 설정한 후 상기 S2 단계로 진행하는 것을 특징으로 하는 다각형 모델의 침투 깊이 연산방법
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제1항에 있어서,상기 S4 단계는상기 S3 단계에서 인 프로젝션이 수행된 형태(qi)가 충돌 가능 상태라면, qi를 타겟 형태(qt≡qi)로 설정하고, 이전의 접촉 형태 qi-1는 소스 형태(qs≡qi-1)로 설정한 후 상기 S2 단계로 진행하는 것을 특징으로 하는 다각형 모델의 침투 깊이 연산방법
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