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고정된 자화방향을 갖는 고정층(Pinned layer)과;가변적으로 회전되는 자화방향을 갖는 자유층(Free layer)과;비자성물질로 상기 자유층과 고정층 사이에 게재되는 비자성층(Spacer)과; 소자의 상단 또는 하단에 도전물질로 형성되어 소자 외부의 온도변화에 따라 온도가 변화되는 접촉층; 그리고상기 소자의 상기 접촉층 반대측 단부에 도전물질로 형성되는 단열층을 포함하여 구성되고:상기 단열층은,상기 접촉층보다 열전도도가 낮은 물질로 형성됨을 특징으로 하는 스핀토크오실레이터를 이용한 온도 감지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 스핀토크오실레이터로부터 생성되는 출력신호를 검출하는 검출기를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 스핀토크오실레이터를 이용한 온도 감지 센서
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제 3 항에 있어서,상기 온도감지센서는,복수개의 상기 스핀토크오실레이터가 병렬로 연결된 스핀토크오실레이터 어레이를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 스핀토크오실레이터를 이용한 온도 감지 센서
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제 4 항에 있어서,상기 스핀토크오실레이터 어레이는,복수의 행과 열로 배열된 매트릭스구조로 구성됨을 특징으로 하는 스핀토크오실레이터를 이용한 온도 감지 센서
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제 3 항에 있어서,상기 검출기는,상기 스핀토크오실레이터의 상하단 온도차이에 의한 전하이동으로 발생된 출력신호를 감지함을 특징으로 하는 스핀토크오실레이터를 이용한 온도 감지 센서
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제 3 항에 있어서,상기 스핀토크오실레이터는,인가전류를 자화방향을 특정 벡터로 형성시키는 편극층(Polarized layer)을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 스핀토크오실레이터를 이용한 온도 감지 센서
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제 3 항에 있어서,상기 자유층은,강자성 물질로 형성되는 층으로;NiFe, CoFe, CoFeB, Fe 합금, Co 합금 또는 Ni 합금 중 어느 하나 이상을 포함하는 물질로 구성됨을 특징으로 하는 스핀토크오실레이터를 이용한 온도 감지 센서
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제 3 항에 있어서,상기 고정층은,강자성 물질로 형성되는 층으로;NiFe, CoFe, CoFeB, Fe 합금, Co 합금 또는 Ni 합금 중 어느 하나 이상을 포함하는 물질로 구성됨을 특징으로 하는 스핀토크오실레이터를 이용한 온도 감지 센서
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제 7 항에 있어서,상기 편극층은,강자성 물질로 형성되는 층으로;NiFe, CoFe, CoFeB, Fe 합금, Co 합금 또는 Ni 합금 중 어느 하나 이상을 포함하는 물질로 구성됨을 특징으로 하는 스핀토크오실레이터를 이용한 온도 감지 센서
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제 4 항에 있어서,상기 복수개의 스핀토크오실레이터들은,적어도 둘 이상의 서로 다른 출력 주파수 특성을 갖는 소자의 조합으로 구성됨을 특징으로 하는 스핀토크오실레이터를 이용한 온도 감지 센서
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제 11 항에 있어서,상기 서로 다른 주파수 특성은,상기 스핀토크오실레이터들의 적층 면적을 서로 다르게 형성함에 의해 구현됨을 특징으로 하는 스핀토크오실레이터를 이용한 온도 감지 센서
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