| 1 |
1
내부구성부품이 실장되도록 리모트콘트롤러의 측면부와 하단부 외측을 구성하는 하우징과;상기 하우징 상면에 구비되어 사용자에 의해 키입력을 위해 터치되는 터치플레이트; 그리고상기 터치플레이트를 통해 열리 전달되도록 상기 하우징 내부에 구비되는 다수개의 스핀열전 발광소자들을 포함하여 구성되고:상기 스핀열전 발광소자는,소자 상단에 구비되어 외부열을 소자 내부로 전달하도록, 금속성 도전 물질로 형성되는 접촉층과;외부로부터 전달된 열에너지에 의해 자성 벡터와 같은 방향의 스핀 극성을 띤 전류가 흐르도록 강자성 금속물질로 구성되는 자성층(Ferromagnetic layer)과;상기 자성층 하부에 구비되는 반도체층; 그리고상기 자성층 및 반도체층 사이에 구비되어 상기 자성층과 반도체층을 구분하도록 비자성 금속물질로 형성되는 터널배리어를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 터치플레이트는,상기 하우징 보다 열전도율이 높은 물질로 형성됨을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 접촉층은,금(Au), 크롬(Cr) 또는 금(Au)과 크롬(Cr)의 합금으로 형성됨을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은,n형 반도체, i형 반도체 및 p형 반도체의 접합으로 구성되는 n-i-p 형 반도체임을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은,n형 반도체 및 p형 반도체의 접합으로 구성되는 n-p 형 반도체임을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 자성층은,철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 호이슬러 합금(Heusler alloy), 코발트 합금(Co-based alloy), 철 합금(Fe-based alloy) 또는 반도체 합금(half-metal alloy)의 자성물질로 형성됨을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 터널배리어는,금속산화막(Aluminum oxide(AlOx) 또는 산화마그네슘(MgO)), 그래핀 또는 비자성 금속 물질(Cu, Ru 또는 Ta 등)로 형성됨을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
| 8 |
8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소자의 상기 접촉층 반대측 단부에 도전물질로 형성되는 단열층을 더 포함하여 구성되고:상기 단열층은,상기 접촉층보다 열전도도가 낮은 물질로 형성됨을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 스핀열전 발광소자는,일측단부가 상기 터치플레이트에 접하여 구비됨을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서,상기 터치플레이트에는,입력 키의 종류와 위치가 표시됨을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
| 11 |
11
제 8 항에 있어서,상기 스핀열전 발광소자들에는 각각 출력되는 광신호를 편광시키기 위한 편광필터가 구비되고,상기 편광필터들은 각각 다른 편광특성을 갖는 편광필터임을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
| 12 |
12
제 8 항에 있어서,상기 스핀열전 발광소자들은,서로 동일 층은 구성하는 구성물질이 서로 다르게 형성됨을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
| 13 |
13
제 8 항에 있어서,상기 스핀열전 발광소자들은,서로 다른 배치형태로 설치됨을 특징으로 하는 스핀열전 발광소자를 이용한 리모트콘트롤러
|
