요약 | 본 발명의 커패시터리스 디램 셀 제조방법은, 기판 상에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 형성하는 단계; 및 상기 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 수직방향으로 패터닝하여 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계;를 포함한다. |
---|---|
Int. CL | H01L 27/108 (2006.01) H01L 21/8242 (2006.01) |
CPC | H01L 27/10802(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020120041245 (2012.04.20) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-1221445-0000 (2013.01.07) |
공개번호/일자 | 10-2012-0062651 (2012.06.14) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130111) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | 10-2010-0071736 (2010.07.26) |
관련 출원번호 | 1020100071736 |
심사청구여부/일자 | Y (2012.04.20) |
심사청구항수 | 6 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 최양규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
2 | 한진우 | 대한민국 | 대전 유성구 |
3 | 최지민 | 대한민국 | 대전 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2012.04.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0314035-25 |
2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.06.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0376108-48 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.08.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0691192-72 |
4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.08.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0691191-26 |
5 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.01.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0005003-97 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판 상에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 형성하는 단계; 및상기 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 수직방향으로 패터닝하여 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 타입의 반도체 및 제2 타입의 반도체가 각각 P형 반도체, N형 반도체일 경우, 상기 제1 타입 및 제2 타입의 반도체를 각각 형성하는 물질은, 상기 제2 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지가 상기 제1 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지보다 낮고, 상기 제1 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지가 상기 제2 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지보다 높도록 하는 물질인 2단자의 커패시터리스 디램 셀 제조방법 |
2 |
2 기판 상에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 형성하는 단계; 및상기 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 수직방향으로 패터닝하여 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 타입의 반도체 및 제2 타입의 반도체가 각각 N형 반도체, P형 반도체일 경우, 상기 제1 타입 및 제2 타입의 반도체를 각각 형성하는 물질은, 상기 제2 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지가 상기 제1 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지보다 높고, 상기 제1 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지가 상기 제2 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지보다 낮도록 하는 물질인 2단자의 커패시터리스 디램 셀 제조방법 |
3 |
3 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판은 벌크 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 2단자의 커패시터리스 디램 셀 제조방법 |
4 |
4 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 형성하는 단계는, 상기 기판 상에서 에피택셜 성장을 통하여 형성하거나 상기 기판 상에 이온주입을 실시하여 형성하는 것을 특징으로 하는 2단자의 커패시터리스 디램 셀 제조방법 |
5 |
5 제4항에 있어서,상기 이온주입을 실시하는 경우, 상기 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2단자의 커패시터리스 디램 셀 제조방법 |
6 |
6 삭제 |
7 |
7 삭제 |
8 |
8 제1항 또는 제2항의 방법으로 제조된 2단자의 커패시터리스 디램 셀 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | KR101201853 | KR | 대한민국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1221445-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20120420 출원 번호 : 1020120041245 공고 연월일 : 20130111 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130103 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 21/8242 발명의 명칭 : 커패시터리스 디램 셀 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 139,500 원 | 2013년 01월 08일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 120,400 원 | 2015년 12월 29일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 120,400 원 | 2016년 12월 27일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 120,400 원 | 2018년 01월 02일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 164,000 원 | 2019년 01월 07일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 164,000 원 | 2020년 01월 06일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [분할출원]특허출원서 | 2012.04.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0314035-25 |
2 | 의견제출통지서 | 2012.06.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0376108-48 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.08.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0691192-72 |
4 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.08.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0691191-26 |
5 | 등록결정서 | 2013.01.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0005003-97 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345144879 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0082583 |
연구과제명 | 나노원천 융합메모리 소자기술 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200906~201205 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1711002831 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0031848 |
연구과제명 | 초저전력 전자융합 소자 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201109~202008 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | 기타 |
과제고유번호 | 1345144879 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0082583 |
연구과제명 | 나노원천 융합메모리 소자기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200906~201205 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415122071 |
---|---|
세부과제번호 | 10035320 |
연구과제명 | 차세대 메모리용 3D 적층 신소자 및 핵심소재 공정기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 서울대학교산학협력단 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201003~201502 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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