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전자 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015118549
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시 형태는 전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.실시 형태에 따른 전자 소자는, 제1전극; 상기 제1전극과 이격되어 배치된 제2전극; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 배치된 브릿지(bridge)부 및 상기 브릿지부의 일단과 연결된 지지부를 포함하는 전도층; 을 포함하고, 상기 브릿지부는 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 하나에 전기적으로 연결되고, 상기 지지부에서 상기 브릿지부의 일단과 연결된 부분은 상기 지지부의 측면과 중심선(center line)이 교차(cross)되는 부분이고, 상기 중심선은 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이를 이등분(bisection)하는 선이다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 29/0657(2013.01) H01L 29/0657(2013.01)
출원번호/일자 1020130082145 (2013.07.12)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1444880-0000 (2014.09.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.12)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 이병현 대한민국 대전 유성구
3 최지민 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0629009-82
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0377246-88
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0721767-32
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0721766-97
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0593168-25
6 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2014.09.19 수리 (Accepted) 2-1-2014-0516397-78
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1전극;상기 제1전극과 이격되어 배치된 제2전극; 및상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 배치된 브릿지(bridge)부 및 상기 브릿지부의 일단과 연결된 지지부를 포함하는 전도층; 을 포함하고,상기 브릿지부는 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 하나에 전기적으로 연결되고,상기 지지부에서 상기 브릿지부의 일단과 연결된 부분은 상기 지지부의 측면과 중심선(center line)이 교차(cross)되는 부분이고,상기 중심선은 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이를 이등분(bisection)하는 선인, 전자 소자
2 2
제1전극;상기 제1전극과 이격되어 배치된 제2전극; 및상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 배치된 브릿지(bridge)부 및 상기 브릿지부의 일단과 연결된 지지부를 포함하는 전도층; 을 포함하고,상기 브릿지부는 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 하나에 전기적으로 연결되고,상기 제1전극과 상기 브릿지부 사이에 배치된 하나 이상의 제1유전막; 및상기 제2전극과 상기 브릿지부 사이에 배치된 하나 이상의 제2유전막; 을 더 포함하는, 전자 소자
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 브릿지부는 일단부 및 중앙부를 포함하고,상기 일단부는 상기 지지부와 연결되고,상기 중앙부는 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 어느 하나와 전기적으로 연결되고,상기 일단부는 상기 중앙부가 연결된 전극 방향으로 휜(bent) 형상인, 전자 소자
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1전극, 상기 제2전극 및 상기 지지부 아래에 배치된 절연층; 및상기 절연층 아래에 배치된 기판; 을 더 포함하고,상기 브릿지부는 상기 기판과 상기 절연층의 두께만큼 이격된, 전자 소자
5 5
삭제
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 지지부는 제1지지부 및 제2지지부를 포함하고,상기 제1지지부는 상기 브릿지부의 일단에 연결되고,상기 제2지지부는 상기 브릿지부의 타단에 연결된, 전자 소자
7 7
제6항에 있어서,상기 브릿지부는 일단부, 타단부 및 중앙부를 포함하고,상기 일단부는 상기 제1지지부와 연결되고,상기 타단부는 상기 제2지지부와 연결되고,상기 중앙부는 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 어느 하나와 전기적으로 연결되고,상기 일단부 및 상기 타단부는 상기 중앙부가 연결된 전극 방향으로 휜 형상인, 전자 소자
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1전극, 상기 제2전극 및 상기 전도층은 금속물질 및 반도체물질 중 적어도 하나를 포함하고,상기 제1전극의 물질과 상기 제2전극의 물질은 서로 같은, 전자 소자
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1전극의 일함수(work function)와 상기 제2전극의 일함수는 서로 같은, 전자 소자
10 10
기판 상에 절연층을 형성하고, 상기 절연층 상에 전도층을 형성하는 단계;상기 전도층을 패터닝(patterning)하여 브릿지부 및 상기 브릿지부의 일단에 위치하는 지지부를 형성하는 단계;상기 절연층 상에 희생층(sacrificial layer), 제1전극 및 제2전극을 형성하는 단계;상기 희생층, 상기 희생층 아래에 형성된 절연층 및 상기 브릿지부 아래에 형성된 절연층을 제거하는 단계; 및용액을 상기 기판 상에 채우고, 상기 용액을 건조하는 단계; 를 포함하고,상기 제1전극과 상기 브릿지부 사이의 거리는 상기 제2전극과 상기 브릿지부 사이의 거리와 같은, 전자 소자의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 용액은 모세관력(capillary force)에 의해 상기 제1전극과 상기 브릿지부 사이 및 상기 제2전극과 상기 브릿지부 사이에 침투되고,상기 용액이 건조되면 상기 브릿지부는 정지마찰(stiction)현상에 의해 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 어느 하나와 전기적으로 연결되는, 전자 소자의 제조방법
12 12
청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
13 13
제10항에 있어서,상기 희생층, 상기 희생층과 접촉하는 절연층 및 상기 브릿지부와 접촉하는 절연층을 제거하는 단계와 상기 용액을 상기 기판 상에 채우고, 상기 용액을 건조하는 단계 사이에는상기 브릿지부와 마주하는 상기 제1전극의 일면에 제1유전막을 형성하고, 상기 제1전극의 일면과 마주하는 상기 브릿지부의 일면에 제2유전막을 형성하고, 상기 제2전극과 마주하는 상기 브릿지부의 타면에 제3유전막을 형성하고, 상기 브릿지부와 마주하는 상기 제2전극의 일면에 제4유전막을 형성하는 단계; 를 더 포함하는, 전자 소자의 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 제1유전막과 상기 제2유전막 사이의 거리는 상기 제3유전막과 상기 제4유전막 사이의 거리와 같은, 전자 소자의 제조방법
15 15
제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1전극, 상기 제2전극 및 상기 전도층은 금속물질 및 반도체물질 중 적어도 하나를 포함하고,상기 제1전극의 물질과 상기 제2전극의 물질은 서로 같은, 전자 소자의 제조방법
16 16
제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1전극의 일함수와 상기 제2전극의 일함수는 서로 같은, 전자 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.