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MTJ소자를 이용한 열 감지 센서

  • 기술번호 : KST2015116363
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MTJ 소자를 이용하여 온도변화를 감지하는 온도 감지 센서에 관한 것으로. 본 발명은 외부로부터 전달된 열에너지에 의해 자성 벡터가 역전 가능한 자유층(Free layer)과; 고정된 자화방향을 갖는 고정층(Pinned layer)과; 비자성물질로 상기 자유층과 고정층 사이에 게재되는 터널 베리어; 그리고 소자의 상단 또는 하단에 도전물질로 형성되어 소자 외부의 온도변화에 따라 온도가 변화되는 접촉층을 포함하여 구성되는 자기터널접합(MTJ)소자를 포함하여 구성된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 개별적인 자화 특성을 갖는 MTJ 소자들을 조합하여 열 감지센서를 구성하므로, 온도변화 량을 정밀하게 측정할 수 있고, 측정범위 역시 다양한 범위로 설계할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G01K 7/36 (2006.01) G01K 7/00 (2006.01)
CPC G01K 7/36(2013.01) G01K 7/36(2013.01)
출원번호/일자 1020130056750 (2013.05.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0136340 (2014.11.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이석희 대한민국 대전 서구
2 백승헌 대한민국 경기 성남시 분당구
3 박민규 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권형석 대한민국 서울특별시 마포구 성암로 ***, ***호(상암동)(율목특허법률사무소)
2 김주광 대한민국 서울특별시 종로구 새문안로*길 **, 도렴빌딩 ***호 (도렴동)(특허법인남촌)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0443535-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0008523-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0218685-78
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0507487-99
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0615508-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0713963-42
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0713962-07
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0649376-62
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1133840-10
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1133839-74
12 [특허 등 절차 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)
2014.12.10 무효 (Invalidation) 1-1-2014-1199853-38
13 보정요구서
Request for Amendment
2014.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0230619-04
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2015.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0018945-90
18 등록결정서
Decision to grant
2015.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0063429-40
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
외부로부터 전달된 열에너지에 의해 자성 벡터가 역전 가능한 자유층(Free layer)과;고정된 자화방향을 갖는 고정층(Pinned layer)과;비자성물질로 상기 자유층과 고정층 사이에 게재되는 터널 베리어; 그리고 소자의 상단 또는 하단에 도전물질로 형성되어 소자 외부의 온도변화에 따라 온도가 변화되는 접촉층을 포함하여 구성되는 자기터널접합(MTJ)소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 MTJ소자를 이용한 열 감지 센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 MTJ 소자는,상기 MTJ 소자의 상기 접촉층 반대측 단부에 도전물질로 형성되는 단열층을 더 포함하여 구성되고:상기 단열층은,상기 접촉층보다 열전도도가 낮은 물질로 형성됨을 특징으로 하는 MTJ소자를 이용한 열 감지 센서
3 3
제 2 항에 있어서,상기 열 감지센서는,복수개의 상기 MTJ소자들이 연결된 MTJ소자 어레이를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 MTJ소자를 이용한 열 감지 센서
4 4
제 3 항에 있어서,상기 MTJ소자 어레이는,적어도 둘 이상의 서로 다른 자화 특성을 갖는 MTJ소자들의 조합으로 구성됨을 특징으로 하는 MTJ소자를 이용한 열 감지 센서
5 5
제 4 항에 있어서,상기 서로 다른 자화 특성은,상기 MTJ소자들의 적층 면적을 서로 다르게 형성함에 의해 구현됨을 특징으로 하는 MTJ소자를 이용한 열 감지 센서
6 6
제 4 항에 있어서,상기 서로 다른 자화 특성은,상기 MTJ소자들의 자성층의 두께를 서로 다르게 형성함에 의해 구현됨을 특징으로 하는 MTJ소자를 이용한 열 감지 센서
7 7
제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 MTJ소자 어레이는,MTJ소자들이 복수의 행과 열로 배열된 매트릭스구조로 형성됨을 특징으로 하는 MTJ소자를 이용한 열 감지 센서
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제 7 항에 있어서,상기 자유층은,강자성 물질로 형성되는 층으로;NiFe, CoFe, CoFeB, Fe 합금, Co 합금 또는 Ni 합금 중 어느 하나 이상을 포함하는 물질로 구성됨을 특징으로 하는 MTJ소자를 이용한 열 감지 센서
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제 7 항에 있어서,상기 고정층은,강자성 물질로 형성되는 층으로;NiFe, CoFe, CoFeB, Fe 합금, Co 합금 또는 Ni 합금 중 어느 하나 이상을 포함하는 물질로 구성됨을 특징으로 하는 MTJ소자를 이용한 열 감지 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.