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헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015137236
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하기 화학식 1의 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자가 개시된다.003c#화학식 1003e#상기 화학식 1의 치환기에 대한 내용은 상세한 설명을 참고한다.
Int. CL C07D 235/18 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0059(2013.01) H01L 51/0059(2013.01) H01L 51/0059(2013.01) H01L 51/0059(2013.01) H01L 51/0059(2013.01) H01L 51/0059(2013.01)
출원번호/일자 1020130090425 (2013.07.30)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0014776 (2015.02.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.25)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김세훈 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 김미경 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 홍종인 대한민국 서울특별시 관악구
4 김동현 대한민국 경기도 용인시 기흥구
5 정성진 대한민국 서울특별시 관악구
6 조환희 대한민국 경기도 용인시 기흥구
7 추창웅 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0692498-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0735702-07
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
10 보정요구서
Request for Amendment
2020.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0183713-56
11 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0298012-86
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0570704-12
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.10.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1068238-37
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2020-1068237-92
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1 중, X1 내지 X4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 탄소수 60의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 탄소수 60의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 탄소수 60의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 탄소수 60의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 탄소수 10의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 탄소수 10의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 탄소수 10의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 탄소수 10의 헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 탄소수 60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 탄소수 60의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 탄소수 60의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 탄소수 60의 헤테로아릴기, -N(Q1)(Q2) 또는 -Si(Q3)(Q4)(Q5)이고, 여기서, Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 탄소수 20의 아릴기, 또는 탄소수 2 내지 탄소수 20의 헤테로아릴기이고;  L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 탄소수 10의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 탄소수 10의 시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 탄소수 10의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 탄소수 10의 헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 탄소수 60의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 탄소수 60의 헤테로아릴렌기이고; n 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이며;Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 탄소수 60의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 탄소수 60의 헤테로아릴기를 나타낸다
2 2
제 1 항에 있어서,X1 내지 X4는 서로 독립적으로, 수소, 또는 중수소를 나타내는 헤테로고리 화합물
3 3
제 1 항에 있어서,상기 화학식 1의 n 및 m은 각각 독립적으로 1 또는 2인 헤테로고리 화합물
4 4
제 1 항에 있어서,상기 화학식 1의 L1 및 L2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2a인 헤테로고리 화합물:상기 화학식 2a 중,Z1은 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 축합 다환기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기, 카르복시기, 또는 Si(Q3)(Q4)(Q5)를 나타내고, 여기서, Q3 내지 Q5는 서로 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 탄소수 20의 아릴기, 또는 탄소수 2 내지 탄소수 20의 헤테로아릴기이고, 여기서, Z1이 복수 개인 경우 각각의 Z1은 서로 다르거나 또는 동일하며;p는 1 내지 4의 정수이고;*는 결합을 나타낸다
5 5
제 4 항에 있어서,상기 Z1은 수소, 또는 중수소인 헤테로고리 화합물
6 6
제 1 항에 있어서,상기 화학식 1의 Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 화학식 3a 또는 3b인 헤테로고리 화합물:상기 화학식 3a 및 3b에서,Z1은 수소 원자, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 축합 다환기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기, 카르복시기, 또는 Si(Q3)(Q4)(Q5)를 나타내고, 여기서, Q3 내지 Q5는 서로 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 탄소수 20의 아릴기, 또는 탄소수 2 내지 탄소수 20의 헤테로아릴기이고, 여기서, Z1이 복수 개인 경우 각각의 Z1은 서로 다르거나 또는 동일하며;p는 1 내지 7의 정수이고;*는 결합을 나타낸다
7 7
제 1 항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물이 하기 화합물들 중 어느 하나인 헤테로고리 화합물: [화합물1]                 [화합물2] [화합물3]                  [화합물4] [화합물5]                [화합물6] [화합물7]                 [화합물8] [화합물9]                  [화합물10] [화합물11]                  [화합물12] [화합물13]                 [화합물14] [화합물15]                 [화합물16] [화합물17]                 [화합물18] [화합물19] [화합물20] [화합물21] [화합물22] [화합물23] [화합물24] [화합물25] [화합물26] [화합물27] [화합물28] [화합물29] [화합물30] [화합물31] [화합물32] [화합물33] [화합물34]
8 8
제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 개재된 유기층을 구비한 유기 발광 소자로서, 상기 유기층이 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자
9 9
제 8 항에 있어서,상기 유기층이 발광층인 유기 발광 소자
10 10
제 8 항에 있어서,상기 유기층이 청색 발광층인 유기 발광 소자
11 11
제 8 항에 있어서,상기 유기층이 발광층, 전자 주입층, 전자 수송층, 전자 주입 및 전자 수송기능을 동시에 갖는 기능층, 정공 주입층, 정공 수송층, 또는 정공 주입 및 정공 수송기능을 동시에 갖는 기능층을 포함하고, 상기 발광층은 안트라센계 화합물, 아릴아민계 화합물 또는 스티릴계 화합물을 포함하는 유기 발광 소자
12 12
제 8 항에 있어서,상기 유기층이 발광층, 전자 주입층, 전자 수송층, 전자 주입 및 전자 수송기능을 동시에 갖는 기능층, 정공 주입층, 정공 수송층, 또는 정공 주입 및 정공 수송기능을 동시에 갖는 기능층을 포함하고, 상기 발광층의 적색층, 녹색층, 청색층 또는 흰색층의 어느 한 층은 인광 화합물을 포함하는 유기 발광 소자
13 13
제 12 항에 있어서,상기 정공 주입층, 정공 수송층, 또는 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층이 전하 생성 물질을 포함하는 유기 발광 소자
14 14
제 13 항에 있어서,상기 전하 생성 물질이 p-도펀트인 유기 발광 소자
15 15
제 14 항에 있어서,상기 p-도펀트가 퀴논 유도체인 유기 발광 소자
16 16
제 14 항에 있어서,상기 p-도펀트가 금속 산화물인 유기 발광 소자
17 17
제 14 항에 있어서,상기 p-도펀트가 시아노기-함유 화합물인 유기 발광 소자
18 18
제 8 항에 있어서,상기 유기층이 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 수송층이 금속 착체를 포함하는 유기 발광 소자
19 19
제 8 항에 있어서,상기 유기층이 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 화합물을 사용하여 습식 공정으로 형성되는 유기 발광 소자
20 20
제 8 항의 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 소자의 제 1 전극이 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 평판 표시 장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09634257 US 미국 FAMILY
2 US20150034917 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015034917 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9634257 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.