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반도체 패턴 구조물의 정보 측정 및 분석 방법

  • 기술번호 : KST2014047729
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 패턴 구조물의 정보 측정 및 분석 방법을 제공한다. 상기 측정 및 분석 방법은 측정 프로브를 사용하여 패턴 구조물의 형상 정보를 인식하는 제 1단계와, 제어기와 이송기를 사용하여 상기 패턴 구조물의 상단부에 측정 프로브를 물리적으로 접촉시키고, 상기 패턴 구조물의 접착 정보를 취득하여 상기 제어기로 전송하는 제 2단계와, 상기 패턴 구조물의 붕괴 형상 정보를 취득하여 상기 제어기로 전송하는 제 3단계를 구비함으로써, 일정 형상의 패턴 구조물을 이동시키어 측정 프로브의 단부에 접촉시킴과 아울러 상기 패턴 구조물의 접착 정보 및 붕괴 형상 정보를 용이하게 측정 및 분석할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/66 (2006.01.01)
CPC G03F 7/70616(2013.01) G03F 7/70616(2013.01) G03F 7/70616(2013.01) G03F 7/70616(2013.01) G03F 7/70616(2013.01)
출원번호/일자 1020070097838 (2007.09.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0907456-0000 (2009.07.06)
공개번호/일자 10-2009-0032521 (2009.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20090713) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태곤 대한민국 경기 안산시 단원구
2 박진구 대한민국 경기 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0699723-30
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0054973-20
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0603011-50
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.12.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0833162-72
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0833163-17
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0132128-13
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0301651-43
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0301650-08
11 등록결정서
Decision to grant
2009.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0279048-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
측정 프로브를 사용하여 이송 플레이트 상에 안착된 패턴 구조물의 형상 정보를 인식하는 제1단계; 패턴 구조물의 상단부에 측정 프로브를 물리적으로 접촉시켜 패턴 구조물의 접착 정보를 취득하여 제어기로 전송하는 제2단계; 및 패턴 구조물의 붕괴 형상 정보를 취득하여 제어기로 전송하는 제3단계; 를 포함하는 반도체 패턴 구조물의 정보 측정 및 분석 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1단계는 패턴 구조물을 이송 플레이트의 상면에 안착시키는 안착 단계와, 상기 이송 플레이트의 상면에 측정 프로브의 단부를 접촉하여 영점을 조정하는 영점 조정단계와, 상기 이송 플레이트 또는 측정 프로브를 이동 경로를 따라 이동시키는 제1이동단계와, 측정 프로브의 단부를 패턴 구조물의 외면을 따라 이동시켜 패턴 구조물의 폭과 수직 높이값(h)를 측정하여 얻어진 형상 정보를 제어기로 전송하는 높이 측정단계 를 포함하는 반도체 패턴 구조물의 정보 측정 및 분석 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2단계는 패턴 구조물의 상단부에 접촉하는 측정 프로브의 접촉 위치가 패턴 구조물의 수직 높이값(h)에서 일정 높이값(d)이 차감된 높이가 되도록 설정하여 측정 프로브를 접촉 위치로 위치시키는 제1접촉 위치 설정 단계와, 이송 플레이트 또는 측정 프로브를 이동 경로의 역 이동 경로를 따라 이동시키는 제2이동 단계와, 패턴 구조물의 상단부에 접촉되는 측정 프로브의 수직 휨 정보, 수평 휨 정보 및 비틀림 정보를 취득하여 얻어진 접착 정보를 제어기로 전송하는 제1패턴 구조물 정보 측정 단계 를 포함하는 반도체 패턴 구조물의 정보 측정 및 분석 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제3단계는 붕괴된 패턴 구조물의 상부에 측정 프로브의 위치를 설정하는 제1위치 설정 단계와, 이동 경로를 따라 이송 플레이트 또는 측정 프로브를 이동시키는 제3이동 단계와, 붕괴된 패턴 구조물의 붕괴 형상 정보를 화상 정보로 취득하여 얻어진 붕괴 형상 정보를 제어기로 전송하는 제1붕괴 형상 정보 취득 단계 를 포함하는 반도체 패턴 구조물의 정보 측정 및 분석 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제2단계는 측정 프로브의 단부를 이송 플레이트의 상면에 접촉한 후, 상기 이송 플레이트 또는 측정 프로브를 이동 경로의 역 이동 경로를 따라 이동시키는 제2'이동 단계와, 패턴 구조물에 접촉하는 측정 프로브의 접촉 위치가 패턴 구조물의 수직 높이값(h)에서 일정 높이값(d)이 차감된 높이가 되도록 설정하여 측정 프로브를 접촉 위치로 위치시키는 제2접촉 위치 설정 단계와, 패턴 구조물의 상단부에 접촉되는 측정 프로브의 수직 휩 정보, 수평 휩 정보 및 비틀림 정보를 취득하여 얻어진 접착 정보를 제어기로 전송하는 제2패턴 구조물 정보 측정 단계 를 포함하는 반도체 패턴 구조물의 정보 측정 및 분석 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 제3단계는 측정 프로브의 단부가 이송 플레이트의 상면에 접촉되도록 위치시킨 후, 이동 경로를 따라 이송 플레이트 또는 측정 프로브를 이동시키는 제3'이동 단계와 측정 프로브의 단부를 붕괴된 패턴 구조물의 외면을 따라 이동시켜 붕괴된 패턴 구조물의 폭과 수직 높이값을 측정하여 얻어진 붕괴 형상 정보를 제어기로 전송하는 제2붕괴 형상 정보 취득 단계 를 포함하는 반도체 패턴 구조물의 정보 측정 및 분석 방법
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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