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산소 플라즈마를 이용한 탄소 패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015141037
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산소 플라즈마를 이용한 탄소 패턴 형성방법을 제공한다. 탄소 패턴 형성방법은 기판 상에 탄소막을 형성하는 단계, 상기 탄소막 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계 및 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하고 산소 라디칼을 식각제로 사용하여 상기 탄소막을 식각하는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우, 상대적으로 낮은 에너지를 가지는 산소 라디칼에 의해 식각이 이루어지므로 고분자 등 유연한 소재로 이루어진 플렉시블 기판에 효과적으로 사용될 수 있으며, 축전결합형 플라즈마 공정을 통해 탄소막을 식각함으로써 대면적의 균일한 패터닝 및 높은 해상도와 재현성을 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01)
CPC G03F 7/36(2013.01) G03F 7/36(2013.01) G03F 7/36(2013.01) G03F 7/36(2013.01)
출원번호/일자 1020090049347 (2009.06.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0130695 (2010.12.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성기훈 대한민국 경기도 고양시 일산서구
2 한귀남 대한민국 경기도 군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0338153-73
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0115223-57
3 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0296237-30
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
기판 상에 탄소막을 형성하는 단계; 상기 탄소막 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하고 산소 라디칼을 식각제로 사용하여 상기 탄소막을 식각하는 단계를 포함하는 탄소 패턴 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 탄소막을 식각하는 단계는, 축전결합형 플라즈마 공정을 통해 수행하는 것인 탄소 패턴 형성방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 축전결합형 플라즈마 공정은, 50 내지 150mTorr의 챔버 압력 및 100 내지 500W의 플라즈마 파워로 수행되는 것인 탄소 패턴 형성방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 탄소막을 식각하는 단계를 수행한 후에, 패터닝된 탄소막 상에 위치하는 마스크 물질을 제거하는 단계; 및 상기 마스크 물질이 제거된 기판을 열처리하는 단계를 더 포함하는 탄소 패턴 형성방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 탄소막은 탄소나노튜브막 또는 그라핀막인 것인 탄소 패턴 형성방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판인 것인 탄소 패턴 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정부출연기관 정부출연기관((재)한국산업기술재단) 산학협력중심대학육성사업(기술개발과제사업) 탄소나노튜브 투명 전극의 미세 패터닝 기술 개발