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광 변조기와 그 제조 및 동작방법과 광 변조기를 포함하는 광학장치

  • 기술번호 : KST2015174186
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광 변조기와 그 제조 및 동작방법과 광 변조기를 포함하는 광학장치에 관해 개시되어 있다. 광 변조기는 게이팅(gating) 동작에서 게이트 온(ON)일 때, 광학-전기 변환소자에서 발생되는 전하와 전기-광학 변환소자에 잔류하는 전하가 상기 전기-광학 변환소자를 우회하여 흐를 수 있도록 구비된 게이트 트랜지스터를 포함한다.
Int. CL G01J 1/44 (2006.01) H03K 17/00 (2006.01)
CPC G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01)
출원번호/일자 1020090053996 (2009.06.17)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1638974-0000 (2016.07.06)
공개번호/일자 10-2010-0135548 (2010.12.27) 문서열기
공고번호/일자 (20160713) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.29)
심사청구항수 38

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용철 대한민국 경기 수원시 영통구
2 장재형 대한민국 서울특별시 송파구
3 박용화 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 박창수 대한민국 대전광역시 유성구
5 송종인 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0367088-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0511037-17
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0056083-99
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0754464-57
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1269719-38
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-1269718-93
10 등록결정서
Decision to grant
2016.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0313587-22
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수직으로 적층된 전기-광학 변환소자 및 광학-전기 변환소자를 포함하는 광 변조기에 있어서,상기 광학-전기 변환소자에서 상기 전기-광학 변환소자로 전달되는 신호를 게이팅하고,게이팅 온(ON)에서 상기 광학-전기 변환소자에서 발생되는 전하와 상기 전기-광학 변환소자에 잔류하는 전하가 상기 전기-광학 변환소자를 우회하여 흐를 수 있도록 구비된 게이트 트랜지스터를 포함하는 광 변조기
2 2
제 1 항에 있어서,상기 광학-전기 변환소자, 상기 전기-광학 변환소자 및 상기 게이트 트랜지스터는 단위화소를 이루고, 상기 단위 화소들로 이루어진 어레이를 포함하는 광 변조기
3 3
제 2 항에 있어서,상기 어레이의 상기 게이트 트랜지스터들을 동시에 제어하기 위한 제어수단이 구비된 광 변조기
4 4
제 3 항에 있어서,상기 게이트 트랜지스터와 상기 제어수단은 파워 트랜지스터로 연결되어 있는 광 변조기
5 5
제 2 항에 있어서,상기 어레이는 복수의 블록으로 이루어지고, 각 블록은 적어도 2개의 단위 화소를 포함하며, 각 블록별로 게이트 트랜지스터가 제어되는 광 변조기
6 6
제 1 항에 있어서,상기 광학-전기 변환소자와 상기 전기-광학 변환소자 사이에 전하 증폭수단이 더 구비되어 있고,상기 광학-전기 변환소자의 출력단은 상기 게이트 트랜지스터와 상기 전하 증폭수단에 공유되며,상기 두 변환소자와 상기 전하 증폭수단과 상기 게이트 트랜지스터는 단위화소를 이루는 광 변조기
7 7
제 1 항에 있어서,상기 광학-전기 변환소자 및 상기 전기-광학 변환소자는 단위화소를 이루고,상기 두 변환소자는 게이트층(Anode층)을 공유하며,상기 게이트 트랜지스터는 상기 게이트층에 연결되고 상기 단위화소 외부에 구비된 광 변조기
8 8
제 7 항에 있어서,복수의 상기 단위화소들로 어레이를 이루고 상기 게이트 트랜지스터는 상기 어레이 외부에 구비된 광 변조기
9 9
제 8 항에 있어서,상기 어레이는 복수의 블록을 포함하고, 각 블록은 적어도 2개의 상기 단위화소를 포함하며, 상기 어레이 외부에 상기 각 블록과 일대 일로 대응하는 게이트 트랜지스터들이 구비된 광 변조기
10 10
제 9 항에 있어서,상기 각 블록과 대응하는 게이트 트랜지스터와 상기 각 블록에 포함된 단위화소들 사이에 각각 부하(load)가 구비되어 있는 광 변조기
11 11
제 1 항에 있어서,상기 광학-전기 변환소자는 2-포트(port)를 갖는 HPT인 광 변조기
12 12
제 1 항에 있어서,상기 광학-전기 변환소자는 3-포트를 갖는 HPT인 광 변조기
13 13
제 11 항에 있어서,상기 전기-광학 변환소자 상에 상기 HPT의 이미터, 베이스 및 컬렉터가 순차적으로 적층되어 있고, 상기 게이트 트랜지스터의 컬렉터는 상기 HPT의 이미터에 연결된 광 변조기
14 14
제 11 항에 있어서,상기 전기-광학 변환소자 상에 상기 HPT의 컬렉터, 베이스 및 이미터가 순차적으로 적층되어 있고, 상기 게이트 트랜지스터의 이미터는 상기 HPT의 컬렉터에 연결된 광 변조기
15 15
제 12 항에 있어서,상기 전기-광학 변환소자 상에 상기 HPT의 이미터, 베이스 및 컬렉터가 순차적으로 적층되어 있고, 상기 게이트 트랜지스터의 컬렉터는 상기 베이스에 연결된 광 변조기
16 16
제 6 항에 있어서,상기 게이트 트랜지스터는 제1 HBT이고, 상기 전하 증폭수단은 제2 HBT인 광 변조기
17 17
제 7 항에 있어서,상기 광학-전기 변환소자는 APD인 광 변조기
18 18
광 변조기의 게이팅 방법에 있어서,상기 광 변조기는 청구항 1에 기재된 광 변조기이고,상기 게이트 트랜지스터의 게이트에 게이팅 전압 신호를 인가하는 광 변조기의 게이팅 방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 게이팅 전압 신호는 펄스파, 사인파 또는 삼각파인 광 변조기의 게이팅 방법
20 20
광 변조기를 포함하는 광학장치에 있어서,상기 광 변조기는,수직으로 적층된 전기-광학 변환소자 및 광학-전기 변환소자를 포함하고,상기 광학-전기 변환소자에서 상기 전기-광학 변환소자로 전달되는 신호를 게이팅하고, 게이팅 온(ON)에서 상기 광학-전기 변환소자에서 발생되는 전하와 상기 전기-광학 변환소자에 잔류하는 전하가 상기 전기-광학 변환소자를 우회하여 흐를 수 있도록 구비된 게이트 트랜지스터를 포함하는 광학장치
21 21
광학-전기 변환소자 및 전기-광학 변환소자를 수직으로 적층하는 단계; 및 상기 광학-전기 변환소자에서 상기 전기-광학 변환소자로 전달되는 신호를 게이팅(gating) 하기 위한 게이트 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하고,상기 게이트 트랜지스터는 게이팅 온(ON)에서 상기 광학-전기 변환소자에서 발생되는 전하와 상기 전기-광학 변환소자에 잔류하는 전하를 상기 전기-광학 변환소자를 우회하여 흐르게 하는 광 변조기 제조방법
22 22
제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자 및 전기-광학 변환소자를 수직으로 적층하는 단계는,상기 전기-광학 변환소자를 형성하는 단계; 및상기 전기-광학 변환 소자 상에 상기 광학-전기 변환소자를 형성하는 단계;를 더 포함하는 광 변조기 제조방법
23 23
제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자 및 상기 전기-광학 변환소자를 수직으로 적층하는 단계는,상기 광학-전기 변환소자를 형성하는 단계; 및상기 광학-전기 변환 소자 상에 상기 전기-광학 변환소자를 형성하는 단계;를 더 포함하는 광 변조기 제조방법
24 24
제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자에서 발생되는 전하를 증폭시키기 위한 전하 증폭수단을 더 형성하고, 상기 광학-전기 변환소자의 출력단이 상기 게이트 트랜지스터와 상기 전하 증폭수단에 공유되도록 형성하는 광 변조기 제조방법
25 25
제 21 항 또는 제 24 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자 및 상기 전기-광학 변환소자를 수직으로 적층하는 단계에서,상기 광학-전기 변환소자가 적어도 이미터층, 베이스층 및 컬렉터층을 포함하는 것일 때, 상기 컬렉터층이 광 입사면이 되도록 적층하는 광 변조기 제조방법
26 26
제 21 항 또는 제 24 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자 및 상기 전기-광학 변환소자를 수직으로 적층하는 단계에서,상기 광학-전기 변환소자가 적어도 이미터층, 베이스층 및 컬렉터층을 포함하는 것일 때, 상기 이미터층이 광 입사면이 되도록 적층하는 광 변조기 제조방법
27 27
제 22항 또는 제 23항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자와 상기 전기-광학 변환소자 사이에 게이트층을 더 형성하고, 상기 게이트 트랜지스터와 상기 게이트층을 연결하는 광 변조기 제조방법
28 28
제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자와 상기 전기-광학 변환소자와 상기 게이트 트랜지스터를 단위 화소 영역에 형성하는 광 변조기 제조방법
29 29
제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자와 상기 전기-광학 변환소자는 단위 화소 영역에 형성하는 광 변조기 제조방법
30 30
제 24 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자, 상기 전기-광학 변환소자, 상기 게이트 트랜지스터 및 상기 전하 증폭수단은 단위 화소 영역에 형성하는 광 변조기 제조방법
31 31
제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자와 상기 게이트 트랜지스터는 동시에 형성되는 광 변조기 제조방법
32 32
제 24 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자, 상기 게이트 트랜지스터 및 상기 전하 증폭수단은 동시에 형성되는 광 변조기 제조방법
33 33
제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자는 2-포트(port) 또는 3-포트를 갖는 HPT인 광 변조기 제조방법
34 34
제 33 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자가 2-포트를 갖는 HPT일 때, 상기 광학-전기 변환소자의 이미터와 상기 게이트 트랜지스터의 컬렉터를 연결하는 광 변조기 제조방법
35 35
제 33 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자가 2-포트를 갖는 HPT일 때, 상기 광학-전기 변환소자의 컬렉터와 상기 게이트 트랜지스터의 이미터를 연결하는 광 변조기 제조방법
36 36
제 33 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자가 3-포트를 갖는 HPT일 때, 상기 광학-전기 변환소자의 베이스와 상기 게이트 트랜지스터의 컬렉터를 연결하는 광 변조기 제조방법
37 37
제 24 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자, 상기 게이트 트랜지스터 및 상기 전하 증폭수단은 HPT이고, 상기 광학-전기 변환소자의 이미터는 상기 게이트 트랜지스터의 컬렉터 및 상기 전하 증폭수단의 베이스에 연결하는 광 변조기 제조방법
38 38
제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자는 포토 다이오드 또는 애벌란치 포토 다이오드(Avalanche Photo Diode)인 광 변조기의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08675272 US 미국 FAMILY
2 US20100321755 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010321755 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8675272 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.