요약 | 광 변조기와 그 제조 및 동작방법과 광 변조기를 포함하는 광학장치에 관해 개시되어 있다. 광 변조기는 게이팅(gating) 동작에서 게이트 온(ON)일 때, 광학-전기 변환소자에서 발생되는 전하와 전기-광학 변환소자에 잔류하는 전하가 상기 전기-광학 변환소자를 우회하여 흐를 수 있도록 구비된 게이트 트랜지스터를 포함한다. |
---|---|
Int. CL | G01J 1/44 (2006.01) H03K 17/00 (2006.01) |
CPC | G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090053996 (2009.06.17) |
출원인 | 삼성전자주식회사, 광주과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-1638974-0000 (2016.07.06) |
공개번호/일자 | 10-2010-0135548 (2010.12.27) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20160713) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2014.05.29) |
심사청구항수 | 38 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
2 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 조용철 | 대한민국 | 경기 수원시 영통구 |
2 | 장재형 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
3 | 박용화 | 대한민국 | 경기도 용인시 수지구 |
4 | 박창수 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
5 | 송종인 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 | |
2 | 광주과학기술원 | 광주광역시 북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.06.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0367088-72 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.05.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0511037-17 |
5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2015.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2015.09.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0056083-99 |
7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.10.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0754464-57 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.12.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-1269719-38 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1269718-93 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2016.04.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0313587-22 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 수직으로 적층된 전기-광학 변환소자 및 광학-전기 변환소자를 포함하는 광 변조기에 있어서,상기 광학-전기 변환소자에서 상기 전기-광학 변환소자로 전달되는 신호를 게이팅하고,게이팅 온(ON)에서 상기 광학-전기 변환소자에서 발생되는 전하와 상기 전기-광학 변환소자에 잔류하는 전하가 상기 전기-광학 변환소자를 우회하여 흐를 수 있도록 구비된 게이트 트랜지스터를 포함하는 광 변조기 |
2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 광학-전기 변환소자, 상기 전기-광학 변환소자 및 상기 게이트 트랜지스터는 단위화소를 이루고, 상기 단위 화소들로 이루어진 어레이를 포함하는 광 변조기 |
3 |
3 제 2 항에 있어서,상기 어레이의 상기 게이트 트랜지스터들을 동시에 제어하기 위한 제어수단이 구비된 광 변조기 |
4 |
4 제 3 항에 있어서,상기 게이트 트랜지스터와 상기 제어수단은 파워 트랜지스터로 연결되어 있는 광 변조기 |
5 |
5 제 2 항에 있어서,상기 어레이는 복수의 블록으로 이루어지고, 각 블록은 적어도 2개의 단위 화소를 포함하며, 각 블록별로 게이트 트랜지스터가 제어되는 광 변조기 |
6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 광학-전기 변환소자와 상기 전기-광학 변환소자 사이에 전하 증폭수단이 더 구비되어 있고,상기 광학-전기 변환소자의 출력단은 상기 게이트 트랜지스터와 상기 전하 증폭수단에 공유되며,상기 두 변환소자와 상기 전하 증폭수단과 상기 게이트 트랜지스터는 단위화소를 이루는 광 변조기 |
7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 광학-전기 변환소자 및 상기 전기-광학 변환소자는 단위화소를 이루고,상기 두 변환소자는 게이트층(Anode층)을 공유하며,상기 게이트 트랜지스터는 상기 게이트층에 연결되고 상기 단위화소 외부에 구비된 광 변조기 |
8 |
8 제 7 항에 있어서,복수의 상기 단위화소들로 어레이를 이루고 상기 게이트 트랜지스터는 상기 어레이 외부에 구비된 광 변조기 |
9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 어레이는 복수의 블록을 포함하고, 각 블록은 적어도 2개의 상기 단위화소를 포함하며, 상기 어레이 외부에 상기 각 블록과 일대 일로 대응하는 게이트 트랜지스터들이 구비된 광 변조기 |
10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 각 블록과 대응하는 게이트 트랜지스터와 상기 각 블록에 포함된 단위화소들 사이에 각각 부하(load)가 구비되어 있는 광 변조기 |
11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 광학-전기 변환소자는 2-포트(port)를 갖는 HPT인 광 변조기 |
12 |
12 제 1 항에 있어서,상기 광학-전기 변환소자는 3-포트를 갖는 HPT인 광 변조기 |
13 |
13 제 11 항에 있어서,상기 전기-광학 변환소자 상에 상기 HPT의 이미터, 베이스 및 컬렉터가 순차적으로 적층되어 있고, 상기 게이트 트랜지스터의 컬렉터는 상기 HPT의 이미터에 연결된 광 변조기 |
14 |
14 제 11 항에 있어서,상기 전기-광학 변환소자 상에 상기 HPT의 컬렉터, 베이스 및 이미터가 순차적으로 적층되어 있고, 상기 게이트 트랜지스터의 이미터는 상기 HPT의 컬렉터에 연결된 광 변조기 |
15 |
15 제 12 항에 있어서,상기 전기-광학 변환소자 상에 상기 HPT의 이미터, 베이스 및 컬렉터가 순차적으로 적층되어 있고, 상기 게이트 트랜지스터의 컬렉터는 상기 베이스에 연결된 광 변조기 |
16 |
16 제 6 항에 있어서,상기 게이트 트랜지스터는 제1 HBT이고, 상기 전하 증폭수단은 제2 HBT인 광 변조기 |
17 |
17 제 7 항에 있어서,상기 광학-전기 변환소자는 APD인 광 변조기 |
18 |
18 광 변조기의 게이팅 방법에 있어서,상기 광 변조기는 청구항 1에 기재된 광 변조기이고,상기 게이트 트랜지스터의 게이트에 게이팅 전압 신호를 인가하는 광 변조기의 게이팅 방법 |
19 |
19 제 18 항에 있어서,상기 게이팅 전압 신호는 펄스파, 사인파 또는 삼각파인 광 변조기의 게이팅 방법 |
20 |
20 광 변조기를 포함하는 광학장치에 있어서,상기 광 변조기는,수직으로 적층된 전기-광학 변환소자 및 광학-전기 변환소자를 포함하고,상기 광학-전기 변환소자에서 상기 전기-광학 변환소자로 전달되는 신호를 게이팅하고, 게이팅 온(ON)에서 상기 광학-전기 변환소자에서 발생되는 전하와 상기 전기-광학 변환소자에 잔류하는 전하가 상기 전기-광학 변환소자를 우회하여 흐를 수 있도록 구비된 게이트 트랜지스터를 포함하는 광학장치 |
21 |
21 광학-전기 변환소자 및 전기-광학 변환소자를 수직으로 적층하는 단계; 및 상기 광학-전기 변환소자에서 상기 전기-광학 변환소자로 전달되는 신호를 게이팅(gating) 하기 위한 게이트 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하고,상기 게이트 트랜지스터는 게이팅 온(ON)에서 상기 광학-전기 변환소자에서 발생되는 전하와 상기 전기-광학 변환소자에 잔류하는 전하를 상기 전기-광학 변환소자를 우회하여 흐르게 하는 광 변조기 제조방법 |
22 |
22 제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자 및 전기-광학 변환소자를 수직으로 적층하는 단계는,상기 전기-광학 변환소자를 형성하는 단계; 및상기 전기-광학 변환 소자 상에 상기 광학-전기 변환소자를 형성하는 단계;를 더 포함하는 광 변조기 제조방법 |
23 |
23 제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자 및 상기 전기-광학 변환소자를 수직으로 적층하는 단계는,상기 광학-전기 변환소자를 형성하는 단계; 및상기 광학-전기 변환 소자 상에 상기 전기-광학 변환소자를 형성하는 단계;를 더 포함하는 광 변조기 제조방법 |
24 |
24 제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자에서 발생되는 전하를 증폭시키기 위한 전하 증폭수단을 더 형성하고, 상기 광학-전기 변환소자의 출력단이 상기 게이트 트랜지스터와 상기 전하 증폭수단에 공유되도록 형성하는 광 변조기 제조방법 |
25 |
25 제 21 항 또는 제 24 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자 및 상기 전기-광학 변환소자를 수직으로 적층하는 단계에서,상기 광학-전기 변환소자가 적어도 이미터층, 베이스층 및 컬렉터층을 포함하는 것일 때, 상기 컬렉터층이 광 입사면이 되도록 적층하는 광 변조기 제조방법 |
26 |
26 제 21 항 또는 제 24 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자 및 상기 전기-광학 변환소자를 수직으로 적층하는 단계에서,상기 광학-전기 변환소자가 적어도 이미터층, 베이스층 및 컬렉터층을 포함하는 것일 때, 상기 이미터층이 광 입사면이 되도록 적층하는 광 변조기 제조방법 |
27 |
27 제 22항 또는 제 23항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자와 상기 전기-광학 변환소자 사이에 게이트층을 더 형성하고, 상기 게이트 트랜지스터와 상기 게이트층을 연결하는 광 변조기 제조방법 |
28 |
28 제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자와 상기 전기-광학 변환소자와 상기 게이트 트랜지스터를 단위 화소 영역에 형성하는 광 변조기 제조방법 |
29 |
29 제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자와 상기 전기-광학 변환소자는 단위 화소 영역에 형성하는 광 변조기 제조방법 |
30 |
30 제 24 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자, 상기 전기-광학 변환소자, 상기 게이트 트랜지스터 및 상기 전하 증폭수단은 단위 화소 영역에 형성하는 광 변조기 제조방법 |
31 |
31 제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자와 상기 게이트 트랜지스터는 동시에 형성되는 광 변조기 제조방법 |
32 |
32 제 24 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자, 상기 게이트 트랜지스터 및 상기 전하 증폭수단은 동시에 형성되는 광 변조기 제조방법 |
33 |
33 제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자는 2-포트(port) 또는 3-포트를 갖는 HPT인 광 변조기 제조방법 |
34 |
34 제 33 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자가 2-포트를 갖는 HPT일 때, 상기 광학-전기 변환소자의 이미터와 상기 게이트 트랜지스터의 컬렉터를 연결하는 광 변조기 제조방법 |
35 |
35 제 33 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자가 2-포트를 갖는 HPT일 때, 상기 광학-전기 변환소자의 컬렉터와 상기 게이트 트랜지스터의 이미터를 연결하는 광 변조기 제조방법 |
36 |
36 제 33 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자가 3-포트를 갖는 HPT일 때, 상기 광학-전기 변환소자의 베이스와 상기 게이트 트랜지스터의 컬렉터를 연결하는 광 변조기 제조방법 |
37 |
37 제 24 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자, 상기 게이트 트랜지스터 및 상기 전하 증폭수단은 HPT이고, 상기 광학-전기 변환소자의 이미터는 상기 게이트 트랜지스터의 컬렉터 및 상기 전하 증폭수단의 베이스에 연결하는 광 변조기 제조방법 |
38 |
38 제 21 항에 있어서, 상기 광학-전기 변환소자는 포토 다이오드 또는 애벌란치 포토 다이오드(Avalanche Photo Diode)인 광 변조기의 제조방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US08675272 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20100321755 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2010321755 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US8675272 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1638974-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20090617 출원 번호 : 1020090053996 공고 연월일 : 20160713 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160428 청구범위의 항수 : 38 유별 : G01J 1/44 발명의 명칭 : 광 변조기와 그 제조 및 동작방법과 광 변조기를 포함하는 광학장치 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,527,000 원 | 2016년 07월 07일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 876,000 원 | 2019년 06월 19일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 876,000 원 | 2020년 06월 18일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.06.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0367088-72 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.05.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0511037-17 |
5 | 선행기술조사의뢰서 | 2015.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | 선행기술조사보고서 | 2015.09.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0056083-99 |
7 | 의견제출통지서 | 2015.10.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0754464-57 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.12.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-1269719-38 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1269718-93 |
10 | 등록결정서 | 2016.04.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0313587-22 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345095927 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A1603 |
연구과제명 | 과학기술응용및학제간융합 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
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