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광전자 셔터, 이의 동작 방법 및 광전자 셔터를 채용한 광학 장치

  • 기술번호 : KST2015174208
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광전자 셔터, 이의 동작 방법 및 광전자 셔터를 채용한 광학 장치가 개시된다. 개시된 광전자 셔터는, 포토트랜지스터의 전류 이득이 변조됨에 따라 입사된 입력광으로부터 발생되는 출력 신호가 이득변조되며, 발광다이오드에 의해 입력광에 대해 이득 변조된 출력광이 출력된다.
Int. CL G02F 1/015 (2006.01)
CPC G02F 1/015(2013.01) G02F 1/015(2013.01)
출원번호/일자 1020090049475 (2009.06.04)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1623960-0000 (2016.05.18)
공개번호/일자 10-2010-0130782 (2010.12.14) 문서열기
공고번호/일자 (20160525) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.29)
심사청구항수 30

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용철 대한민국 경기 수원시 영통구
2 장재형 대한민국 서울특별시 송파구
3 박용화 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 박창수 대한민국 대전광역시 유성구
5 송종인 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0339246-99
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0742866-28
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0511032-89
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0193818-68
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0503360-41
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0608075-17
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0608074-72
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0754838-29
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.12.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1234939-67
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1234936-20
13 등록결정서
Decision to grant		 2016.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0238495-37
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입사된 입력광으로부터 출력 신호를 발생시키는 포토트랜지스터; 상기 포토트랜지스터에 직렬로 연결되어 상기 출력 신호에 의해 출력광을 출력하는 발광다이오드; 및 상기 발광다이오드에 병렬로 설치된 커패시터;를 포함하며, 상기 포토트랜지스터의 전류 이득의 변조에 따라 상기 출력 신호가 이득 변조되는 광전자 셔터
2 2
제1 항에 있어서, 상기 발광다이오드와 포토트랜지스터가 기판 위에 수직으로 적층된 구조를 가지는 광전자 셔터
3 3
제2 항에 있어서, 상기 포토트랜지스터는 3극 구조의 이종접합 포토트랜지스터인 광전자 셔터
4 4
제2 항에 있어서, 상기 발광다이오드는, 기판 위에 순차적으로 적층된 P형 클래드층, 활성층 및 N형 클래드층을 포함하며, 상기 포토트랜지스터는 상기 발광다이오드로부터 순차적으로 적층된 콜렉터층, 베이스층, 및 에미터층을 포함하는 광전자 셔터
5 5
제4 항에 있어서, 상기 포토트랜지스터의 베이스에는 직류 바이어스 전압이 인가되는 직류 전원이 연결되며, 상기 포토트랜지스터의 에미터에는 베이스-에미터 전압의 국소적 진동을 위한 교류 전압이 인가되는 교류 전원이 연결되며, 상기 발광다이오드의 P형 클래드층에는 순방향 전압이 인가되는 광전자 셔터
6 6
제4 항에 있어서, 상기 에미터층의 상부에 마련된 에미터 전극은 투명한 도전성 물질로 형성되며, 상기 에미터 전극을 통해 입력광이 입사되는 광전자 셔터
7 7
제6 항에 있어서, 상기 에미터 전극에는 반사방지층이 마련된 광전자 셔터
8 8
제4 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 포토트랜지스터와 발광다이오드를 하나의 단위 화소로 하는 복수의 화소들의 배열 구조를 갖는 광전자 셔터
9 9
제8 항에 있어서, 상기 화소 각각의 발광다이오드의 P형 클래드층에는 순방향 전압이 공통적으로 인가되며, 상기 화소 각각의 포토트랜지스터의 베이스에는 직류 바이어스 전압이 인가되고, 상기 화소 각각의 포토트랜지스터의 에미터에는 베이스-에미터 전압의 국소적 진동을 위한 교류 전압이 공통적으로 인가되는 광전자 셔터
10 10
제2 항에 있어서, 상기 발광다이오드는 기판 위에 순차적으로 적층된 N형 클래드층, 활성층 및 P형 클래드층을 포함하며, 상기 포토트랜지스터는 상기 발광다이오드로부터 순차적으로 적층된 에미터층, 베이스층, 및 콜렉터층을 포함하는 광전자 셔터
11 11
제10 항에 있어서, 상기 콜렉터층의 상부에 마련된 콜렉터 전극은 투명한 도전성 물질로 형성되며, 상기 콜렉터 전극을 통해 입력광이 입사되는 광전자 셔터
12 12
제10 항에 있어서, 상기 발광다이오드와 포토다이오드 사이에는 터널접합층이 개재된 광전자 셔터
13 13
제10 항에 있어서, 상기 포토트랜지스터의 베이스에는 베이스 전류의 국소적 진동을 위한 베이스 전류 변조 수단이 연결되는 광전자 셔터
14 14
제13 항에 있어서, 상기 베이스 전류 변조 수단은, 상기 베이스 전류를 변조하는 전류 신호를 발생하는 제1 트랜지스터와, 상기 제1 트랜지스터에서 생성된 전류 신호에 의해 상기 포토트랜지스터의 베이스에 흐르는 바이어스 전류를 발생시키는 전류원을 포함하는 광전자 셔터
15 15
제14 항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터의 베이스에는 베이스 전류의 국소적 진동을 위한 교류 전압이 인가되며, 상기 제1 트랜지스터의 콜렉터는 상기 포토트랜지스터의 콜렉터에 연결되며, 상기 제1 트랜지스터의 에미터는 상기 포토트랜지스터의 베이스에 연결되는 광전자 셔터
16 16
제15 항에 있어서, 상기 전류원은 제2 트랜지스터이며, 상기 제2 트랜지스터의 콜렉터 및 베이스는 상기 제1 트랜지스터의 에미터에 연결되며, 상기 제2 트랜지스터의 에미터는 그라운드 또는 - 전원에 연결되는 광전자 셔터
17 17
제16 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 트랜지스터는 이종접합 바이폴라 트랜지스터인 광전자 셔터
18 18
제14 항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 포토트랜지스터, 제1 트랜지스터, 전류원 및 발광다이오드를 하나의 단위 화소로 하는 복수의 화소들의 배열 구조를 갖는 광전자 셔터
19 19
제18 항에 있어서, 상기 화소 각각의 발광다이오드의 N형 클래드층에는 그라운드 또는 -전압이 공통적으로 인가되며, 상기 화소 각각의 포토트랜지스터의 콜렉터에는 바이어스 전압이 공통적으로 인가되고, 상기 화소 각각의 제1 트랜지스터의 베이스에는 베이스 전류의 국소적 진동을 위한 교류 전압이 공통적으로 인가되는 광전자 셔터
20 20
제2 항에 있어서, 상기 발광다이오드와 포토트랜지스터 사이에는 상기 발광다이오드에서 방출된 출력광을 반사하는 반사층이 개재된 광전자 셔터
21 21
제20 항에 있어서, 상기 반사층은 분산 브래그 반사층인 광전자 셔터
22 22
제2 항 또는 제3 항에 있어서, 상기 기판은 유리, 사파이어 또는 GaAs로 형성된 광전자 셔터
23 23
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광다이오드는 GaP계 적색 발광 다이오드인 광전자 셔터
24 24
삭제
25 25
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 기재된 광전자 셔터의 동작 방법에 있어서, 상기 포토트랜지스터의 베이스-에미터 전압을 변조하여 상기 포토트랜지스터의 전류 이득을 변조하는 광전자 셔터의 동작 방법
26 26
제25 항에 있어서, 상기 포토트랜지스터의 베이스에는 직류 바이어스 전압이 인가하고, 상기 포토트랜지스터의 에미터에는 상기 베이스-에미터 전압의 국소적 진동을 위한 교류 전압을 인가하는 광전자 셔터의 동작 방법
27 27
제25 항에 있어서, 상기 베이스-에미터 전압의 변조 주파수를 입력광의 변조 주파수와 다르게 하는 광전자 셔터의 동작 방법
28 28
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 기재된 광전자 셔터의 동작 방법에 있어서, 상기 포토트랜지스터의 베이스 전류를 변조하여 상기 포토트랜지스터의 전류 이득을 변조하는 광전자 셔터의 동작 방법
29 29
제28 항에 있어서, 상기 베이스 전류의 변조 주파수를 입력광의 변조 주파수와 다르게 하는 광전자 셔터의 동작 방법
30 30
광전자 셔터를 채용한 광학 장치에 있어서, 상기 광전자 셔터는 입사된 입력광으로부터 출력 신호를 발생시키는 포토트랜지스터; 상기 포토트랜지스터에 직렬로 연결되어 상기 출력 신호에 의해 출력광을 출력하는 발광다이오드; 및 상기 발광다이오드에 병렬로 설치된 커패시터;를 포함하며, 상기 포토트랜지스터의 전류 이득의 변조에 따라 상기 출력 신호가 이득 변조되는 광학 장치
31 31
30항에 있어서, 피사체에 광을 조사하는 광원; 상기 광전자 셔터에서 출력되는 출력광을 수광하는 광 이미지 센서; 및 상기 광원, 광전자 셔터 및 광 이미지 센서를 제어하는 제어부를 더 포함하며, 상기 광전자 셔터는 상기 피사체에서 반사된 반사광을 이득 변조하여 출력광을 출력하며, 상기 광 이미지 센서는 출력광을 샘플링하여 상기 피사체에서 반사된 반사광의 위상지연을 검출하는 광학 장치
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1 US08581166 US 미국 FAMILY
2 US09151711 US 미국 FAMILY
3 US20100308211 US 미국 FAMILY
4 US20140034811 US 미국 FAMILY

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3 US8581166 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9151711 US 미국 DOCDBFAMILY
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