맞춤기술찾기
이전대상기술
나노기술을 이용한 고성능 전자빔(High performance electron beam using nanotechnology)
- 기술번호 : KST2018000272
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 나노기술을 이용한 고성능 전자빔에 관한 것으로, 보다 상세하게는 본 발명은 다수개의 메쉬홀(mesh hole)이 형성된 메쉬(mesh)가 구비된 게이트(gate)와, 다수개의 에미터(emiter)가 패터닝된 에미터군(emiter island)이 형성된 전계방출소자가 구비된 케소드(cathode)로 구성된 소형모듈로 상기 메쉬홀과 CNT 에미터 정렬로 전류 투과율이 증가되고, 게이트로의 전류누설을 저감시킴으로서 모듈의 안정성을 확보함으로써 낮은 전압에서 높은 전자를 방출하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔에 관한 것이 개시된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01J 1/304 (2016.09.13) H01J 1/46 (2016.09.13) H01J 1/90 (2016.09.13) H01J 9/02 (2016.09.13) H01B 3/08 (2016.09.13) H01B 3/12 (2016.09.13) |
| CPC | H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020160086104 (2016.07.07) |
| 출원인 | 티디에스 주식회사, 경희대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2018-0005880 (2018.01.17) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 공개 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2017.01.09) |
| 심사청구항수 | 21 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 티디에스 주식회사 | 대한민국 | 경기도 고양시 일산동구 |
| 2 | 경희대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박규창 | 대한민국 | 서울 광진구 |
| 2 | 강정수 | 대한민국 | 서울특별시 광진구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세중 | 대한민국 | 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2016.07.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0658102-14 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2016.07.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2016-0107750-94 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2016.08.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0789538-34 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2016.08.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5119911-67 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2017.01.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0022369-26 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.04.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5051859-42 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5086301-08 |
| 8 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2017.08.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0816973-40 |
| 9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2018.01.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0048655-69 |
| 10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2018.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0231203-48 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2018.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0374451-18 |
| 12 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2018.05.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0498889-76 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2018.06.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-0591211-57 |
| 14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2018.06.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0591212-03 |
| 15 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2018.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0739948-50 |
| 16 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2018.12.28 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2018-1317028-72 |
| 17 | 보정요구서 Request for Amendment |
2019.01.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2019-0006999-67 |
| 18 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2019.01.31 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2019-0114626-15 |
| 19 | 무효처분통지서 Notice for Disposition of Invalidation |
2019.02.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2019-0029638-84 |
| 20 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2019.02.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2019-0030357-84 |
| 21 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2019.03.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2019-0048043-18 |
| 22 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2019.04.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0241958-50 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164254-26 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 중앙부에 다수개의 에미터(410)가 배열된 에미터군(420)이 패터닝된 전계방출소자(400)가 위치되고, 상기 전계방출소자(400)에 전압을 공급하는 케소드전극(120)이 중앙에 형성되며, 양측으로 얼라인핀홀(110; align pin hole)이 형성되고, 게이트전극이 위치되는 모서리부가 모따기된 케소드(100; cathode)와; 상기 얼라인핀홀(110)에 삽입되는 복수개의 핀(210; pin)이 형성되고, 중앙에 전계방출홀(220)이 형성되며, 상기 전계방출홀(220)의 하측으로 상기 에미터군(420)에 정렬되는 메쉬홀(240)이 형성된 메쉬(250)가 결합되며, 일측 끝단 모서리부에 전극(270)이 형성되는 게이트(200; gate)와; 상기 케소드와 게이트를 고정하는 중앙에 핀삽입홀(310)이 형성된 핀고정부재(300)와;상기 게이트의 핀에 삽입되어 결합되며, 상기 게이트와 케소드의 사이에 위치되는 중앙에 핀삽입홀(140)이 형성된 인슐레이터(130)로 구성되며, 상기 게이트가 케소드의 상부에 일정거리 이격되게 위치되어 구성되는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 2 |
2 중앙에 전계방출홀(230)이 형성되고, 그 양측으로 A핀홀(260)이 형성되며, 상기 전계방출홀(230)의 하측으로 메쉬홀(240)이 형성된 메쉬(250)가 결합되어 형성되며, 일측 모서리에 전극(270)이 형성되는 게이트(200)와; 상기 핀홀(260)에 삽입되어 고정되는 핀부(510)가 형성되고, 상기 게이트를 지지하는 지지부(520)가 형성되는 몸체(530)와 상기 몸체의 하측의 중앙에 끼움홈(540)이 형성된 인슐레이터부재(500; Insulator part)와; 중앙에 다수개의 에미터(410)가 배열된 에미터군(420)이 패터닝된 전계방출소자(400)가 위치되고, 상기 인슐레이터부재(500)가 삽입되어 위치되며 중앙에 얼라인홀(110; Align hole)이 형성된 케소드홈(130)이 형성되고, 하측 중앙으로 케소드전극(120)이 형성되는 케소드(100)와; 상기 얼라인홀에 삽입되고, 상기 인슐레이터부재의 끼움홈에 끼움결합되는 핀부(610)와 상기 핀부와 일체로 형성되며 상기 케소드의 하측으로 위치되어 상기 케소드를 지지결합하는 헤드부(620)로 구성되는 픽스부재(600; Fix part)로 구성되며, 상기 게이트가 상기 케소드의 상부에 일정거리 이격되게 위치되어 구성되는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 3 |
3 중앙에 다수개의 에미터(410)가 배열된 에미터군(420)이 패터닝된 전계방출소자(400)가 위치되고, 상기 전계방출소자의 양측으로 중앙에 얼라인홀(140)이 형성된 케소드홈(130)이 형성되며, 하측 중앙으로 케소드전극(120)이 형성된 케소드(100)와; 상기 전계방출소자의 상측으로 일정거리 이격되어 위치되며, 일측 모서리부에 케소드에 위치되는 방향으로 전극(270)이 형성되고, 중앙에 전계방출홀(230)이 형성되며, 상기 전계방출홀의 양측으로 핀홀이 형성되며, 상기 전계방출홀(230)의 하측으로 다수개의 메쉬홀(240)이 형성된 메쉬(250)가 결합되며, 상기 전극(270)과 대칭이 되는 타측부가 모따기 되어 있는 게이트(200)와; 상기 게이트의 상측으로 일정거리 이격되어 위치되며, 중앙에 포커싱홀(710; focusing hole)이 형성되고, 상기 포커싱홀의 양측으로 핀홀(720)이 형성된 포커싱렌즈(700; Focusing lens)와; 상기 게이트의 핀홀과 포커싱렌즈의 핀홀에 삽입되어 상기 게이트와 포커싱렌즈를 고정하는 제1핀부(810)와 상기 제1핀부 하측으로 위치되며 상기 케소드홈에 삽입되어 위치되어 게이트와 케소드를 지지하는 몸체(820)와 상기 몸체의 하측으로 상기 얼라인홀(140)에 삽입되는 제2핀부(830)로 이루어지며, 상기 제2핀부의 중앙에 끼움홈(840)이 형성된 인슐레이터부재(800)와;상기 상기 인슐레이터부재의 끼움홈에 끼움결합되는 핀부(610)와 상기 핀부와 일체로 형성되며 상기 케소드의 하측으로 위치되어 상기 케소드를 지지결합하는 헤드부(620)로 구성되는 픽스부재(600; Fix part)로 구성되며,상기 포커싱렌즈와 게이트와의 사이에 인슐레이터 스페이서(850; insulater spacer)가 위치되며, 상기 게이트가 상기 케소드의 상부에 일정거리 이격되게 위치되어 구성되는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 4 |
4 중앙에 다수개의 에미터(410)가 배열된 에미터군(420)이 패터닝된 전계방출소자(400)가 위치되고, 상기 전계방출소자의 양측으로 중앙에 얼라인홀(140)이 형성된 케소드홈(130)이 형성되며, 하측 중앙으로 케소드전극(120)이 형성된 케소드(100)와; 상기 전계방출소자의 상측으로 일정거리 이격되어 위치되며, 중앙에 전계방출홀(230)이 형성되며, 상기 전계방출홀의 양측으로 전극(280)이 형성되며, 상기 전계방출홀(230)의 하측으로 다수개의 메쉬홀(240)이 형성된 메쉬(250)가 결합되는 게이트(200)와; 상기 케소드홈에 삽입되고, 상기 게이트를 지지하는 헤드부(910)와 상기 헤드부 하측으로 상기 얼라인홀(140)에 삽입되는 핀부(920)로 이루어지며, 중앙에 상기 게이트의 전극(280)이 삽입되도록 통공(930)이 형성된 상기 전계방출소자와 일정거리 이격시키는 인슐레이터부재(900)와;상기 인슐레이터부재의 핀부(920)가 삽입되는 통공(940)이 형성된 케소드 하측에 위치되는 결합부재(950)와;상기 결합부재(950)의 하측에 위치되어 결합되는 헤드부(960)와 상기 헤드부의 하측으로 형성되는 핀부(970)로 이루어지며, 중앙에 상기 게이트의 전극이 삽입되어 결합되는 통공(980)이 형성된 픽스부재(990)로 구성되며, 상기 게이트가 상기 케소드의 상부에 일정거리 이격되게 위치되어 구성되는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 5 |
5 중앙에 다수개의 에미터(410)가 배열된 에미터군(420)이 패터닝된 전계방출소자(400)가 위치되고, 상기 전계방출소자의 양측으로 중앙에 얼라인홀(140)이 형성된 케소드홈(130)이 형성되며, 하측 중앙으로 케소드전극(120)이 형성된 케소드(100)와; 상기 전계방출소자의 상측으로 일정거리 이격되어 위치되며, 일측 모서리부에 케소드에 위치되는 방향으로 전극(270)이 형성되고, 중앙에 전계방출홀(230)이 형성되며, 상기 전계방출홀의 양측으로 핀홀이 형성되며, 상기 전계방출홀(230)의 하측으로 다수개의 메쉬홀(240)이 형성된 메쉬(250)가 결합되어 이루어진 게이트(200)와; 상기 게이트의 상측으로 일정거리 이격되어 위치되며, 중앙에 포커싱홀(710; focusing hole)이 형성되고, 상기 포커싱홀의 양측으로 포커싱전극(750)이 형성된 포커싱렌즈(700; Focusing lens)와; 상기 게이트의 핀홀에 삽입되는 A핀부(10)와 상기 핀부(10)의 하측으로 케소드홈(130)에 위치되어 게이트를 지지하는 몸체(12)와 상기 몸체의 하측으로 상기 얼라인홀(140)에 삽입되는 B핀부(14)로 이루어지며, 중앙에 상기 포커싱전극(750)이 끼움되도록 통공(16)이 형성된 인슐레이터부재(18)와;상기 인슐레이터부재(18)의 하측 B핀부(14)가 삽입되는 통공(22)이 형성된 상기 인슐레이터부재(18)를 지지결합하는 제1의 인슐레이터스페이서(20)와;상기 인슐레이터스페이서(20)의 하측에 위치되며, 면접착되어 결합되는 헤드부(24)와 상기 헤드부 하측으로 형성된 핀부(26)로 이루어지며, 중앙에 상기 포커싱전극(750)이 끼움결합되는 통공(28)이 형성된 픽스부재(30)로 구성되며,상기 포커싱렌즈와 게이트사이에 위치되어 상기 포커싱렌즈를 지지하는 상기 인슐레이터부재(18)의 상측 핀부(10)에 끼움결합되어 위치되는 제2의 인슐레이터스페이서(32)로 구성되며, 상기 게이트가 상기 케소드의 상부에 일정거리 이격되게 위치되어 구성되는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 6 |
6 중심부와 상기 중심부를 축으로 상호 대칭되는 위치에 형성되며 상측으로 일정길이 돌출되어 구성되는 다수개의 전극(34)이 고정결합되고, 상측으로 케소드 안착부(36)가 형성된 베이스부재(30)와; 상기 베이스부재의 중앙에 위치된 전극(34)과 동일선상에 위치되어 전극이 결합되는 통공(42)이 형성되고, 그 상측으로 전계방출소자(44)가 결합된 케소드(40)와; 상기 케소드의 전계방출소자와 이격되게 위치되며, 중앙에 전계방출홀(52)이 형성되고, 상기 전계방출홀(52)의 양측으로 전극이 삽입되도록 형성된 얼라인홀(54)이 형성되고, 상기 전계방출홀(52) 하측으로 다수개의 메쉬홀(62)이 패터닝된 메쉬(64)가 결합되어 이루어지는 게이트(60)와; 상기 얼라인홀(54)에 삽입된 전극에 끼워져 결합되어 게이트를 고정시키는 메탈스페이서(66)로 구성되며, 상기 게이트가 상기 케소드의 상부에 일정거리 이격되게 위치되어 구성되는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 7 |
7 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트와 케소드간의 이격거리는 1~1000㎛ 이격되어 구성되는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 8 |
8 제 1 내지 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메쉬는 몰리브덴(Mo), 스테인리스(SUS) 또는 코바르(KOVAR)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 소재로 제조된 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 9 |
9 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 케소드는 몰리브덴(Mo), 스테인리스(SUS), 코바르(KOVAR), 유리, 세라믹 또는 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 소재로 제조된 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 전자빔 |
| 10 |
10 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메쉬는 메쉬홀과 메쉬홀간에 형성되는 메쉬와이어의 폭(mesh wire width)은 0 |
| 11 |
11 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메쉬의 피치(Pitch)는 0 |
| 12 |
12 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메쉬의 텐션(tension)은 1 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서,상기 인슐레이터는 세라믹 또는 유리재의 절연체인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 14 |
14 제 1 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 얼라인핀홀(110)의 직경은 0 |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서,상기 게이트를 구성하는 상기 핀(210)의 직경은 0 |
| 16 |
16 제 1 항에 있어서, 상기 핀고정부재는 금속, 유리 또는 세라믹으로 제조된 것으로, 그 외부직경은 0 |
| 17 |
17 제 1 항에 있어서,상기 핀고정부재는 상기 케소드와의 접촉면을 용접, 납땜(brazing) 또는 스크류(screw)결합, 또는 열압착에 의해 결합되어 상기 케소드와 게이트를 고정하는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 18 |
18 제 1 항에 있어서,상기 케소드의 얼라인핀홀의 직경과 상기 게이트의 핀의 직경의 차이는 3㎜이하인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 19 |
19 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전계방출소자에 구성되는 에미터의 직경은 0 |
| 20 |
20 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전계방출소자에 형성된 에미터군(emiter island)의 에미터 배열은 다각형 패턴배열을 가지는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 21 |
21 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전계방출소자에 형성된 에미터군과 에미터군의 간격(line width)은 0 |
| 22 |
22 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전계방출소자에 형성된 에미터군과 에미터군의 피치(pitch)는 0 |
| 23 |
23 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전계방출소자에 형성된 에미터군의 모양은 원형, 다각형, 도넛형 중 어는 하나의 모양으로 형성된 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 24 |
24 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 케소드와 게이트 또는 포커싱렌즈에 구성되는 전극들의 길이는 5mm이상인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 25 |
25 제 2, 3, 4 또는 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 인슐레이터부재(500, 800, 900, 18)는 세라믹 또는 유리재의 절연체인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 26 |
26 제 1 또는 2 항에 있어서,상기 게이트 전극과 케소드의 이격거리(d1)는 1mm이상인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 27 |
27 제 2 항에 있어서,상기 케소드의 얼라인홀의 직경과 상기 픽스부재의 핀부(610)의 직경의 차이는 3mm이하인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 28 |
28 제 3 항에 있어서,상기 케소드의 얼라인홀의 직경과 상기 인슐레이터부재의 제2핀부(830)의 직경의 차이는 3mm이하인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 29 |
29 제 3 항에 있어서,상기 케소드와 상기 포커싱렌즈의 전극과 이격거리(d2) 및 상기 게이트전극과 이격거리(d1)는 1mm이상인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 30 |
30 제 3 또는 5항에 있어서,상기 포커싱렌즈의 포커싱홀의 모양은 원형 또는 다각형이며, 그 크기는 0 |
| 31 |
31 제 3 또는 5항에 있어서,상기 포커싱렌즈와 게이트의 메쉬와의 이격거리는 0 |
| 32 |
32 제 4 항에 있어서,상기 결합부재(950)는 금속, 세라믹 또는 유리재 중 어느 하나의 재질로 제조된 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 33 |
33 제 4 항에 있어서,상기 케소드의 얼라인홀의 직경과 인슐레이터부재의 핀부(920)의 직경 차이는 3mm이하인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 34 |
34 제 5 항에 있어서,상기 제 1 의 인슐레이터 스페이서는 금속, 세라믹 또는 유리재 중 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 35 |
35 제 5 항에 있어서,상기 제2의 인슐레이터 스페이서는 세라믹 또는 유리재의 절연체인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 36 |
36 제 6 항에 있어서,상기 게이트는 금속재로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 |
| 37 |
37 제 6 항에 있어서,상기 베이스부재는 세라믹 또는 유리재의 절연체로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 38 |
38 제 6 항에 있어서,상기 얼라인홀(54)의 직경과 삽입되는 전극의 직경의 차이는 3mm이하인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 |
| 39 |
39 전자빔의 제조방법에 있어서,중앙에 전계방출홀이 형성되고, 상기 전계방출홀의 양측으로 결합용 핀부(pin)가 형성된 게이트바디를 준비하고, 상기 전계방출홀의 하측으로 다수개의 메쉬홀이 형성된 메쉬를 결합시켜 구성되는 게이트를 준비하는 단계와;중앙에 전계방출소자 안착부가 형성고, 상기 안착부의 양측으로 핀홀이 형성된 케소드를 준비하고, 상기 전계방출소자 안착부에 다수개의 에미터군이 형성된 전계방출소자를 결합시킨 케소드를 준비하는 단계와;상기 게이트의 결합용 핀부에 절연체로 되는 인슐레이터를 삽입하여 고정시키고, 상기 핀부가 상기 케소드의 핀홀에 삽입시켜 게이트와 케소드를 결합하는 단계와;상기 케소드와 결합된 게이트의 핀부하측으로 픽스부재를 결합하여 케소드와 고정하는 단계와;상기 게이트 고정 후, 게이트를 전후좌우 수평방향으로 이동하여 전계방출소자의 에미터군과 메쉬홀을 정렬하는 얼라인 단계와;상기 얼라인이 완료된 후, 상기 픽스부재를 케소드에 고정결합하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 전자빔의 제조방법 |
| 40 |
40 전자빕의 제조방법에 있어서,중앙에 전계방출홀이 형성되고, 그 양측으로 핀홀이 형성된 게이트바디를 준비하고, 상기 전계방출홀의 하측에 위치되도록 다수개의 메쉬홀이 형성된 메쉬를 고정결합시켜 구성되는 게이트를 준비하는 단계와;중앙부에 전계방출소자 안착부가 형성되고, 그 양측으로 중앙에 얼라인홀이 형성된 케소드홈을 형성시키고, 상기 전계방출소자 안착부에 전계방출소자를 안착시켜 결합시킨 케소드를 준비하는 단계와;상기 게이트를 지지하는 지지부몸체와 상기 게이트의 핀홀에 삽입되는 핀부가 형성되고, 상기 핀부 하측 중심에 결합홈이 형성된 인슐레이터부재를 준비하고, 상기 인슐레이터부재의 핀부를 상기 핀홀에 삽입시켜 결합시켜 고정하는 단계와;상기 인슐레이터부재가 고정된 게이트를 상기 인슐레이터부재의 지지부몸체가 상기 케소드의 케소드홈에 안착되도록 조립하고, 상기 인슐레이터부재의 결합홈에 픽스부재를 결합시켜 케소드와 게이크를 조립하는 단계와;상기 게이트 또는 케소드를 수평방향으로 움직여 메쉬홀과 에미터군을 정렬하는 얼라인 단계와;상기 얼라인 단계 후, 상기 인슐레이터부재와 픽스부재를 고정결합하고, 상기 픽스부재를 케소드와 고정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔의 제조방법 |
| 41 |
41 제 40 항에 있어서,상기 게이트 준비전, 중앙에 포커싱홀이 형성되고, 상기 포커싱홀의 양측으로 핀홀이 형성된 포커싱렌즈를 준비하고, 상기 포커싱렌즈와 게이를 조립하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔의 제조방법 |
| 42 |
42 전자빔의 제조방법에 있어서,중심에 케소드 안착부가 형성되고, 사이 케소드 안착부의 중앙에 제1의전극결합통공이 형성되고, 상기 제1의 전극결합통공의 양측으로 대칭되게 제 2 및 3의 전극결합통공이 형성된 베이스 부재를 준비하고, 상기 전극결합통공에 전극을 상측으로 일정길이 돌출되도록 삽입하여 결합하는 단계와;상기 케소드 안착부에 전계방출소자가 일체로 결합되며, 중앙에 전극결합공이 형성된 케소드를 결합시키고, 상기 전극결합공에 상기 제1의 전극결합통공에 결합된 전극이 삽입되도록 결합하는 단계와;상기 케소드의 상측으로 중앙에 전계방출홀이 형성되고, 그 전계방출홀의 하측으로 다수개의 메쉬홀이 형성된 메쉬가 결합되어 구성되며, 복수개의 전극결합공이 형성된 게이트를 준비하고, 상기 게이트의 전극결합공에 상기 제2 및 제3의 전극결합통공에 결합된 전극이 삽입되도록 결합하는 단계와;상기 게이트에 결합된 전극의 상측으로 픽스부재를 결합시켜 고정하고, 상기 게이트를 수평방향으로 이동하여 정렬하는 얼라인 단계와;상기 얼라인 단계 후, 상기 게이트에 연결되는 전극과 게이트와 픽스부재의 접합부를 용접하고, 픽스부재와 상기 전극의 외부결합부를 용접하여 고정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔의 제조방법 |
| 43 |
43 제 42 항에 있어서, 상기 게이트에 형성되는 전극결합공의 직경과 삽입되는 전극의 직경의 차는 3mm이하인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔의 제조방법 |
| 44 |
44 제 42 항에 있어서, 상기 베이스부재는 세라믹 또는 유리재의 절연체인 것을 특징으로 하는 나노기술을 이용한 고성능 전자빔의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2016.07.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0658102-14 |
| 2 | 보정요구서 | 2016.07.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2016-0107750-94 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2016.08.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0789538-34 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2016.08.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5119911-67 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2017.01.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0022369-26 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.04.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5051859-42 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5086301-08 |
| 8 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2017.08.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0816973-40 |
| 9 | 의견제출통지서 | 2018.01.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0048655-69 |
| 10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2018.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0231203-48 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2018.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0374451-18 |
| 12 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2018.05.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0498889-76 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 | 2018.06.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-0591211-57 |
| 14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2018.06.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0591212-03 |
| 15 | 최후의견제출통지서 | 2018.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0739948-50 |
| 16 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2018.12.28 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2018-1317028-72 |
| 17 | 보정요구서 | 2019.01.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2019-0006999-67 |
| 18 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2019.01.31 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2019-0114626-15 |
| 19 | 무효처분통지서 | 2019.02.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2019-0029638-84 |
| 20 | 서류반려이유통지서 | 2019.02.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2019-0030357-84 |
| 21 | 서류반려통지서 | 2019.03.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2019-0048043-18 |
| 22 | 거절결정서 | 2019.04.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0241958-50 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164254-26 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제정보가 없습니다 |
|---|
중요키워드
| [KST2014026165][경희대학교 국제캠퍼스] | 전자방출 특성이 향상된 필드 에미터의 제조방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2015167206][경희대학교 국제캠퍼스] | 그라파이트를 이용한 전계방출 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2018013143][경희대학교 국제캠퍼스] | 전자방출 소스유닛 및 이를 구비하는 디지털 엑스레이 소스 | 새창보기 |
| [KST2018000273][경희대학교 국제캠퍼스] | 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 제조방법 및 그 에미터(Method for manufacturing the high-performance emitter using thin film) | 새창보기 |
| [KST2015167477][경희대학교 국제캠퍼스] | 전자방출 소자의 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출디스플레이 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2022004974][경희대학교 국제캠퍼스] | 엑스레이 튜브용 에미터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014032957][경희대학교 국제캠퍼스] | 높은 전자방출 특성을 갖는 필드 에미터의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015008460][경희대학교 국제캠퍼스] | 전자방출의 특성이 향상된 전계방출소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015002063][경희대학교 국제캠퍼스] | 은나노 와이어를 이용한 투명 전극 코팅 장치 | 새창보기 |
| [KST2014026166][경희대학교 국제캠퍼스] | 전자방출 특성이 향상된 필드 에미터의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2020010112][경희대학교 국제캠퍼스] | 엑스레이 튜브용 에미터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014026175][경희대학교 국제캠퍼스] | 전자방출 특성이 향상된 필드 에미터의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015008490][경희대학교 국제캠퍼스] | 램프 모듈 및 이를 이용한 조명장치 | 새창보기 |
| [KST2014056083][경희대학교 국제캠퍼스] | 전자방출 특성이 향상된 에미터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015166549][경희대학교 국제캠퍼스] | 전자방출 소자의 제조에 사용되는 스탬프 제조방법 및 그스탬프를 이용한 전자방출 소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2020010117][경희대학교 국제캠퍼스] | 파장 조절 자외선 방출 장치 | 새창보기 |
| [KST2021010675][경희대학교 국제캠퍼스] | 전자빔을 이용한 자외선 광원 장치 | 새창보기 |
| [KST2018000271][경희대학교 국제캠퍼스] | 고해상도 전자방출소자의 제조방법 및 그 전자방출소자(Method for manufacturing a high-definition field emission device and the field emission device) | 새창보기 |
| [KST2014026163][경희대학교 국제캠퍼스] | 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자 및 그 광소자의제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014029022][경희대학교 국제캠퍼스] | 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출 소자 형성방법 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|