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전자방출소자의 제조방법에 있어서,기판 상부에 희생층을 증착하는 단계와;상기 희생층 상부에 금속촉매층을 증착하는 단계와;상기 금속촉매층 상부에 포토레지스트 층을 형성하고 포토리소그라피 공정에 의해 원하는 위치에 원하는 모양의 패턴으로 전자방출소자 성장부들을 형성하고 나머지 부분의 포토레지스트를 제거한 후, 전자방출소자 성장부들 이외의 금속촉매층을 패터닝(pattening)하여 제거하는 단계와;CNT 성장 전 상기 금속촉매층이 제거된 상기 희생층을 10~80% 비율로 에칭하는 단계와;상기 성장부들을 포밍(forming)하는 단계와;상기 패턴으로 형성된 전자방출소자 성장부들에 전자방출소자를 성장시켜 에미터를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 희생층을 증착하는 단계에서 상기 희생층은 비정질 실리콘(a-Si), 비정질 게르마늄(a-Ge) 또는 실리콘게르마늄(SiGe) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 희생층을 증착하는 단계에서 상기 희생층은 몰리브덴(Mo) 또는 질화티탄(TiN) 중 어느 하나의 촉매가 될 수 없는 금속을 증착하는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 희생층을 증착하는 단계에서 상기 희생층은 1차 희생층과 2차 희생층으로 구성되며, 상기 2차 희생층을 증착 후, 그 상면에 1차 희생층을 순차 적층하며, 상기 1차 희생층은 비정질 실리콘(a-Si), 비정질 게르마늄(a-Ge) 또는 실리콘게르마늄(SiGe) 중 어느 하나이고, 상기 2차 희생층은 몰리브덴(Mo) 또는 질화티탄(TiN)중 어느 하나의 촉매가 될 수 없는 금속인 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 2 또는 3 항에 있어서, 상기 희생층은 스퍼터링(sputtering)법, 열증착(Thermal evaporation)법 또는 화학기상증착(Chemical vapor deposition, CVD)법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 50~300nm의 두께로 형성한 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 2차 희생층은 스퍼터링(sputtering)법 또는 열증착(Thermal evaporation)법을 이용하여 50~300nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 유리 기판, 규소(실리콘 웨이퍼) 기판, 그라파이트(graphite) 기판, 그래핀(graphene) 기판 또는 금속 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매층은 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co)와 같은 전이금속 중 어느 하나이거나, 코발트-니켈, 코발트-철, 니켈-철 또는 코발트-니켈-철 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 금속기판은 서스(SUS) 기판, 몰리브덴(Mo) 기판 또는 알루미나(Al2O3) 기판인 것을 특징으로 하는 50㎛이하 크기의 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매층은 스퍼터링(sputtering)법 또는 열증착(Thermal evaporation)법을 이용하여 1~300nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매를 패터닝하는 단계에서, 상기 성장부들의 모양은 원형, 다각형 또는 도넛형 중 어느 하나의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매를 패터닝하는 단계에서, 상기 포토레지스트는 스핀코팅 방법 또는 슬릿 코팅법으로 0
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매를 패터닝하는 단계에서, 상기 성장부들의 크기는 0
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매를 패터닝하는 단계에서, 상기 성장부들의 배열은 다각형 패턴을 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 성장부들을 포밍하는 단계에서, 상기 에칭되는 희생층의 에칭비율은 10~80% 에칭되어 형성되는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 성장부들을 포밍하는 단계에서, 상기 에칭되는 희생층의 에칭비율은 100% 에칭되어 형성되는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 희생층의 에칭에 사용되는 에칭액은 불화수소(HF) 에칭액 또는 세코(SECO) 에칭액인 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트층을 형성하기 위한 레지스트는 무기 레지스트, 유기 레지스트 및 유-무기 혼합형 레지스트, 또는 감광형 유리페이스트 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 성장부들을 포밍하는 단계는 300~600℃의 온도를 유지되는 상태에서 30~120분간 용융하여 탄소나노튜브 형성을 위한 씨앗(seed)인 전자방출 소자 성장부를 형성하는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전자방출소자를 성장시키는 단계는 플라즈마 화학기상증착(PECVD: plasma enhanced chemical vapor deposition)의 플라즈마 반응로에서 랩(RAP: resist-assisted patterning) 공정에 의해 성장되는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 전자방출소자를 성장시키는 단계는 플라즈마 화학기상증착(PECVD: plasma enhanced chemical vapor deposition)의 플라즈마 반응로에 아세틸렌(C2H2) 가스 1~60sccm 및 암모니아(NH3) 가스 10~600sccm을 동시 공급하여 성장온도 300~800℃로 5~180분간 성장시키는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 포밍하는 단계 전, 상기 성장부의 포토레지스트를 제거(Strip)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 희생층을 에칭하는 단계는 상기 1차 희생층의 전체를 에칭하거나, 상기 1차 희생층의 전체를 에칭한 후, 상기 2차 희생층의 일부 또는 전체를 에칭하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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전자방출소자의 제조방법에 있어서,금속희생층을 기판 상부에 증착하는 단계와;상기 금속희생층 상부에 포토레지스트층을 형성하고, 포토리소그라피 공정에 의해 외부에서 전극 연결이 가능한 원하는 형태의 패턴 노광 과정을 수행한 다음, 이를 현상하여 패턴 이외 부분의 포토레지스트를 제거하여 패터닝하는 단계와;상기 포토레지스트가 제거된 금속희생층을 에칭하는 단계와;상기 형성된 패턴상의 포토레지스트를 스트립(strip)하는 단계와;상기 금속희생층 패턴상에 절연희생층을 증착하는 단계와;상기 절연희생층의 상부에 금속촉매를 증착하는 단계와;포토리소그라피 공법으로 상기 금속촉매를 패터닝하는 단계와;상기 절연희생층을 50~100% 에칭하여 성장부를 형성하고 포밍하는 단계와;상기 성장부를 성장시켜 CNT 에미터를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 희생층을 증착하는 단계는,몰리브덴(Mo) 또는 질화티탄(TiN) 중 어느 하나의 촉매가 될 수 없는 금속을 기판 상부에 증착하는 금속희생층 증착 단계와;상기 금속희생층 상면에 포토레지스트층을 형성하고, 포토리소그라피 공정에 의해 외부에서 전극 연결이 가능한 원하는 형태의 패턴 노광 과정을 수행한 다음, 이를 현상하여 패턴 이외 부분의 포토레지스트를 제거하여 패터닝하는 단계와;상기 포토레지스트가 제거된 상기 금속희생층을 에칭하는 단계와;상기 금속희생층이 에칭된 후, 형성된 패턴상의 포토레지스트를 스트립(strip)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 희생층 상부에 금속촉매층을 증착하는 단계는,상기 패터닝된 금속희생층 상부에 비정질 실리콘(a-Si), 비정질 게르마늄(a-Ge) 또는 실리콘게르마늄(SiGe) 중 어느 하나인 금속촉매를 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 전자방출소자에 형성된 에미터의 하단직경은 0
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제 1 항에 있어서,상기 전자방출소자에 에미터를 형성한 다음, 외부전극을 연결하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 1 항 내지 제 4항, 제 6 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자방출소자는 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 전자방출소자는 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자의 제조방법
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청구항 제 28 항 기재의 제조방법에 의해 제조된 전자방출소자의 크기는 50㎛이하인 것을 특징으로 하는 고해상도 전자방출소자를 포함하는 전자빔
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제 30 항에 있어서,상기 전자방출소자에 형성된 에미터의 하단직경은 0
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