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기판 상부에 코팅물질을 증착하여 박막을 형성하는 단계와;상기 박막의 상부에 금속촉매를 증착하여 금속촉매층을 형성하는 단계와;상기 금속촉매층 상부에 포토레지스트 층을 형성하고 포토리소그라피 공정에 의해 원하는 위치에 원하는 모양의 패턴으로 에미터 성장부들을 형성하고 나머지 부분의 포토레지스트를 제거한 후, 에미터 성장부들 이외의 금속촉매층을 에칭하여 금속촉매 패턴을 형성하는 단계와;상기 에미터 성장부들을 포밍(forming)하는 단계와;상기 에미터 성장부들을 성장시키는 에미터 성장단계를 포함하여 이루어지는 것으로, 상기 박막을 형성하기 전, 기판 상부에 전극물질로 촉매가 될 수 없는 금속으로 몰리브덴(Mo) 또는 질화티탄(TiN)을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 열증착(Thermal evaporation)법으로 50~300nm의 두께로 증착하는 단계를 더 포함하고,상기 성장단계에서 에미터의 성장과 박막의 에칭이 동시에 이루어지며, 에칭된 코팅물질이 에미터에 코팅되어 성장시간이 지날수록 코팅층이 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 박막 형성단계에서 코팅물질의 증착은 스퍼터링(sputtering)법, 열증착(Thermal evaporation)법 또는 화학기상증착(Chamical vapor deposition, CVD)법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 1nm~5㎛의 두께로 박막을 형성한 것을 특징으로 하는 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 코팅물질은 비정질 실리콘(a-Si), 비정질 게르마늄(a-Ge) 또는 실리콘게르마늄(SiGe) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매를 증착하는 단계에서 금속촉매층은 스퍼터링(sputtering)법 또는 열증착(Thermal evaporation)법을 이용하여 1~30nm의 두께로 형성한 것을 특징으로 하는 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매는 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co)와 같은 전이금속 중 어느 하나이거나, 코발트-니켈, 코발트-철, 니켈-철 또는 코발트-니켈-철 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속촉매 패턴을 형성하는 단계는 금속촉매층 상부에 포토레지스트를 스핀코팅방법 또는 슬릿코팅법으로 0
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제 1 항에 있어서,상기 형성된 에미터 성장부들의 패턴은 원형, 다각형 또는 도넛형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 에미터 성장부들의 크기는 0
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제 1 항에 있어서,상기 에미터 성장부들의 배열은 다각패턴을 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 에미터 성장부들을 포밍(forming)하는 단계는 300~600℃의 온도를 유지한 상태에서 10~120분간 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 형성방법
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11
제 1 항에 있어서,상기 에미터 성장부들을 성장시키는 단계는 플라즈마 화학기상증착(PECVD: plasma enhanced chemical vapor deposition)의 플라즈마 반응로에 아세틸렌(C2H2) 가스 1~60sccm, 암모니아(NH3)가스 10~600sccm의 유량으로 아세틸렌과 암모니아가스를 일정비율로 동시 공급하여 성장온도 300~800℃의 온도로 0
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제 1 항에 있어서,상기 성장된 에미터는 탄소나노튜브(CNT)인 것을 특징으로 하는 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 성장된 에미터의 하단부 직경은 0
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 코팅물질을 증착하여 박막을 형성하는 단계에서,상기 박막의 상부에 포토레지스트를 스핀코팅 방법 또는 슬릿코팅법으로 0
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제 16 항에 있어서,상기 패턴의 크기는 10㎛이상의 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 코팅물질은 기판 상부 전면, N line, M line 또는 M*N의 배열 중 하나로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 형성방법
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제 1 항 내지 제 13 항, 제 16 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 성장한 에미터는 콘형상인 것을 특징으로 하는 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 형성방법
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제 1 항 내지 제 13항, 제 16 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항의 기재의 제조방법에 의해 제조되는 표면에 코팅층이 형성된 것을 특징으로 하는 에미터
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청구항 제 19 항의 제조방법에 의해 제조되는 표면에 코팅층이 형성된 것을 특징으로 하는 에미터
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제 20 항에 있어서,상기 에미터의 표면의 코팅층은 비정질실리콘(a-Si), 비정질게르마늄(a-Ge) 또는 실리콘게르마늄(SiGe)중 어느 하나의 물질로 형성된 박막이 에미터 성장중에 에칭되어 그 물질이 표면에 코팅되어 형성된 것을 특징으로 하는 에미터
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