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(a) 관능기가 결합 가능한 고분자 블록을 포함하는 제1 블록공중합체를 제조하는 단계;(b) 상기 제1 블록공중합체의 상기 고분자 블록에 상기 관능기가 결합된 제2 블록공중합체를 제조하는 단계;(c) 상기 제2 블록공중합체의 상기 관능기에 반도체 양자점이 결합된 반도체 양자점 블록공중합체를 제조하는 단계; 및(d) 상기 제1 블록공중합체와 상기 반도체 양자점 블록공중합체를 혼합하는 단계를 포함하며,상기 (b) 단계는,상기 제1 블록공중합체를 용매에 용해시켜 제1 블록공중합체 용액을 제조하는 단계; 및상기 제1 블록공중합체 용액에, 티올(thiol)기와 아민(amine)기를 포함하는 치환제를 첨가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제1항에 있어서,상기 관능기는 티올(thiol)기인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제1항에 있어서,상기 제1 블록공중합체의 상기 고분자 블록은 에스테르(ester)기를 포함하는 PPFPMA(poly(pentafluorophenyl methacrylate)), PNHSA(poly(N-hydroxy succinimide acrylate)), PNHSMA(poly(N-hydroxy succinimide methacrylate)) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제1항에 있어서,상기 제1 블록공중합체는 PMMA(poly(methyl methacrylate)) - PPFPMA(poly(pentafluorophenyl methacrylate))인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제1항에 있어서,상기 제2 블록공중합체는 PMMA(poly(methyl methacrylate))-P(PFPMA-SH)(poly(pentafluorophenyl methacrylate-SH))인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제1항에 있어서,상기 제1 블록공중합체의 상기 고분자 블록과 상기 치환제의 치환 반응에 의하여 상기 제1 블록공중합체의 상기 고분자 블록에 상기 관능기가 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제7항에 있어서,상기 치환제는 시스테아민(cysteamine) 인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 양자점은 CdSe, CdS, CdTe, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgTe, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계는,상기 제2 블록공중합체를 용매에 용해시켜 제2 블록공중합체 용액을 제조하는 단계; 및상기 제2 블록공중합체 용액에 반도체 양자점을 첨가하여 반도체 양자점 블록공중합체 용액을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제10항에 있어서,상기 반도체 양자점은 상기 제2 블록공중합체에 대하여 1 내지 10 wt% 범위 내에서 첨가되는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제10항에 있어서,상기 제2 블록공중합체 용액에 반도체 양자점을 첨가하기 전에 상기 반도체 양자점의 표면을 소수화 처리시키는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제12항에 있어서,상기 소수화 처리 방법은 상기 반도체 양자점의 표면에 소수성의 리간드를 부착시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제10항에 있어서,상기 (d) 단계는,상기 반도체 양자점 블록공중합체 용액에 상기 제1 블록공중합체를 첨가하여 제1 블록공중합체- 반도체 양자점 블록공중합체 용액을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제14항에 있어서,상기 제1 블록공중합체와 상기 반도체 양자점 블록공중합체의 중량비는 1:1인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제14항에 있어서,(e) 기판에 상기 제1 블록공중합체-반도체 양자점 블록공중합체 용액을 도포하는 단계;(f) 상기 용매를 제거하는 단계; 및(g) 어닐링 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점 분산방법
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제1항 내지 제5항, 및 제7항 내지 제16항 중 어느 한 항의 반도체 양자점 분산방법을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 제1 블록공중합체-반도체 양자점 복합체
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제1항 내지 제5항, 및 제7항 내지 제16항 중 어느 한 항의 반도체 양자점 분산방법을 이용하여 제조된 제1 블록공중합체-반도체 양자점 복합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자막
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