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패턴 형성 방법
- 기술번호 : KST2015113791
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법에서는, 서로 다른 표면 성질을 나타내는 제 1 영역과 제 2 영역을 가지는 자기 조립 유도층 상에 블록 공중합체층을 형성하고 상분리를 시켜, 원기둥 형태의 제 1 패턴과 눕혀진 반원기둥 형태의 제 2 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제 1 영역과 제 2 영역의 선폭은 포토리소 그라피 공정에서 구현할 수 있는 최소의 선폭일 수 있으며, 상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴은 각각 제 1 영역과 제 2 영역에서, 각각 제 1 영역과 제 2 영역의 선폭보다 작은 선폭을 가지도록 형성될 수 있다. 상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴을 식각 마스크로 이용하여 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 이로써, 포토리소그라피 공정에서 구현할 수 있는 최소의 선폭보다 작은 선폭을 가지는 미세한 패턴을 형성할 수 있다. 또한 라인 형태와 섬 형태의 패턴을 동시에 형성할 수 있다. 패턴 형성, 자기조립 유도층, 블록공중합체 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/027 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090095268 (2009.10.07) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1602942-0000 (2016.03.07) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0037718 (2011.04.13) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20160315) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2014.09.25) |
| 심사청구항수 | 10 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 윤동기 | 대한민국 | 서울특별시 양천구 |
| 2 | 이시용 | 대한민국 | 경기도 화성시 메타폴리스로 *, 시 |
| 3 | 김경선 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 4 | 최성운 | 대한민국 | 경기 수원시 영통구 |
| 5 | 오석환 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 6 | 김상욱 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
| 7 | 박승학 | 대한민국 | 경기도 부천시 원미구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인 고려 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 | |
| 2 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.10.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0614846-02 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0913415-80 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 8 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2015.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 9 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2015.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0019438-92 |
| 10 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2015.05.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0440830-98 |
| 11 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.10.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0717007-04 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.12.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1215792-52 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.12.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-1215809-40 |
| 14 | 등록결정서 Decision to grant |
2016.01.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0051042-94 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반도체 기판 상에 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하는 자기조립(self-assembly) 유도층을 형성하는 단계; 상기 자기 조립 유도층 상에 블록공중합체층(block copolymer layer)을 코팅하는 단계; 상기 블록공중합체층을 상분리시켜, 제 1 패턴, 제 2 패턴 및 제 3 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1 내지 제 3 패턴 중에 적어도 하나를 제거하는 단계; 상기 제 1 내지 제 3 패턴들 중에 제거되지 않은 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 자기 조립 유도층을 식각하는 식각 공정을 진행하는 단계를 포함하되, 상기 제 1 패턴은 상기 제 2 패턴과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제 3 패턴은 상기 제 1 패턴과 다른 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 자기조립유도층은 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역에서 서로 다른 성질을 가지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 영역에서 상기 자기조립유도층의 표면은 중성을 나타내며 상기 제 2 영역에서 상기 자기조립유도층의 표면은 극성을 나타내는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 자기조립유도층을 형성하는 단계는, 상기 반도체 기판의 전면 상에 극성막(polar layer)를 형성하는 단계; 및 상기 제 2 영역에서 상기 극성막을 노출시키며 상기 제 1 영역에 배치되는 중성막 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 자기조립유도층은 상기 극성막과 상기 중성막 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 식각 공정을 진행하기 전에, 어닐링 공정을 진행하는 단계; 및 상기 제 1 내지 제 3 패턴들 중에 제거되지 않은 패턴의 표면에 금속 입자를 선택적으로 증착시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 패턴은 상기 제 1 영역에서 형성되며 상기 제 1 영역의 폭보다 작은 폭을 가지며, 상기 제 2 패턴은 상기 제 2 영역에서 형성되며 상기 제 2 영역의 폭보다 작은 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 패턴은 상기 자기조립유도층의 표면으로부터 상부로 신장되는 원기둥 형태를 가지며, 상기 제 2 패턴은 상기 자기 조립 유도층의 표면과 접하도록 눕혀진 반원기둥 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 제 3 패턴은 상기 제 2 패턴의 상부면과 상기 제 1 패턴의 측면을 덮되 상기 제 1 패턴의 상부면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 제 1 폭을 가지며, 상기 제 2 영역은 제 2 폭을 가지며, 상기 제 1 폭 대 상기 제 2 폭은 2n+1:1의 관계를 가지며, 여기서 n은 0 이상의 정수인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 블록공중합체층은 폴리스티렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트 (polystyrene-block-polymethylmethacrylate),폴리부타디엔-폴리부틸메타크릴레이트 (polybutadiene-block-polybutylmethacrylate), 폴리부타디엔-블록-폴리디메틸실록산 (polybutadiene-block-polydimethylsiloxane), 폴리부타디엔-블록-폴리메틸메타크릴레이트 (polybutadiene-block-polymethylmethacrylate), 폴리부타디엔-블록-폴리비닐피리딘 (polybutadiene-block-polyvinylpyridine), 폴리부틸아크릴레이트-블록-폴리메틸메타크릴레이트 (polybutylacrylate-block-polymethylmethacrylate), 폴리부틸아크릴레이트-블록-폴리비닐피리딘 (polybutylacrylate-block-polyvinylpyridine), 폴리이소프렌-블록-폴리비닐피리딘 (polyisoprene-block-polyvinylpyridine), 폴리이소프렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트 (polyisoprene-block-polymethylmethacrylate), 폴리헥실아클리레이트-블록-폴리비닐피리딘(polyhexylacrylate-block-polyvinylpyridine), 폴리이소부틸렌-블록-폴리부틸메타크릴레이트(polyisobutylene-block-polybutylmethacrylate), 폴리이소부틸렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트(polyisobutylene-block-polymethylmethacrylate), 폴리이소부틸렌-블록-폴리부틸메타크릴레이트(polyisobutylene-block-polybutylmethacrylate), 폴리이소부틸렌-블록-폴리디메틸실록산 (polyisobtylene-block-polydimethylsiloxane), 폴리부틸메타크릴레이트-블록-폴리부틸아크릴레이트 (polybutylmethacrylate-block-polybutylacrylate), 폴리에틸에틸렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트 (polyethylethylene-block-polymethylmethacrylate), 폴리스티렌-블록-폴리부틸메타크릴레이트 (polystyrene-block-polybutylmethacrylate), 폴리스티렌-블록-폴리부타디엔 (polystyrene-block-polybutadiene), 폴리스티렌-블록-폴리이소프렌 (polystyrene-block-polyisoprene), 폴리스티렌-블록-폴리디메틸실록산 (polystyrene-block-polydimethylsiloxane), 폴리스티렌-블록-폴리비닐피리딘 (polystyrene-block-polyvinylpyridine), 폴리에틸에틸렌-블록-폴리비닐피리딘 (polyethylethylene-block-polyvinylpyridine), 폴리에틸렌-블록-폴리비닐피리딘 (polyethylene-block-polyvinylpyridine), 폴리비닐피리딘-블록-폴리메틸메타크릴레이트 (polyvinylpyridine-block-polymethylmethacrylate), 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리이소프렌 (polyethyleneoxide-block-polyisoprene), 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리부타디엔 (polyethyleneoxide-block-polybutadiene), 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리스티렌 (polyethyleneoxide-block-polystyrene), 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리메틸메타크릴레이트 (polyethyleneoxide-block-polymethylmethacrylate), 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리디메틸실록산 (polyethyleneoxide-block-polydimethylsiloxane), 폴리스티렌-블록-폴리에틸렌옥사이드 (polystyrene-block-polyethyleneoxide), 폴리스티렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리스티렌 (polystyrene-block-polymethylmethacrylate-block-polystyrene), 폴리부타디엔-블록-폴리부틸메타크릴레이트-블록-폴리부타디엔 (polybutadiene-block-polybutylmethacrylate-block-polybutadiene), 폴리부타디엔-블록-폴리디메틸실록산-블록-폴리부타디엔 (polybutadiene-block-polydimethylsiloxane-block-polybutadiene), 폴리부타디엔-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리부타디엔 (polybutadiene-block-polymethylmethacrylate-block-polybutadiene), 폴리부타디엔-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리부타디엔 (polybutadiene-block-polyvinylpyridine-block-polybutadiene), 폴리부틸아크릴레이트-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리부틸아크릴레이트 (polybutylacrylate-block-polymethylmethacrylate-block-polybutylacrylate), 폴리부틸아크릴레이트-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리부틸아크릴레이트 (polybutylacrylate-block-polyvinylpyridine-block-polybutylacrylate), 폴리이소프렌-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리이소프렌 (polyisoprene-block-polyvinylpyridine-block-polyisoprene), 폴리이소프렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리이소프렌 (polyisoprene-block-polymethylmethacrylate-block-polyisoprene), 폴리헥실아크릴레이트-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리헥실아크릴레이트 (polyhexylacrylate-block-polyvinylpyridine-block-polyhexylacrylate), 폴리이소부틸렌-블록-폴리부틸메타크릴레이트-블록-폴리이소부틸렌 (polyisobutylene-block-polybutylmethacrylate-block-polyisobutylene), 폴리이소부틸렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리이소부틸렌 (polyisobutylene-block-polymethylmethacrylate-block-polyisobutylene), 폴리이소부틸렌-블록-폴리부틸메타크릴레이트-블록-폴리이소부틸렌 (polyisobutylene-block-polybutylmethacrylate-block-polyisobutylene), 폴리이소부틸렌-블록-폴리디메틸실록산-블록-폴리이소부틸렌 (polyisobutylene-block-polydimethylsiloxane-block-polyisobutylene), 폴리부틸메타크릴레이트-블록-폴리부틸아크릴레이트-블록-폴리부틸메타크릴레이트 (polybutylmethacrylate-block-polybutylacrylate-block-polybutylmethacrylate), 폴리에틸에틸렌-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리에틸에틸렌 (polyethylethylene-block-polymethylmethacrylate-block-polyethylethylene), 폴리스티렌-블록-폴리부틸메타크릴레이트-블록-폴리스티렌 (polystyrene-block-polybutylmethacrylate-block-polystyrene), 폴리스티렌-블록-폴리부타디엔-블록-폴리스티렌 (polystyrene-block-polybutadiene-block-polystyrene), 폴리스티렌-블록-폴리이소프렌-블록-폴리스티렌 (polystyrene-block-polyisoprene-block-polystyrene), 폴리스티렌-블록-폴리디메틸실록산-블록-폴리스티렌 (polystyrene-block-polydimethylsiloxane-block-polystyrene), 폴리스티렌-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리스티렌 (polystyrene-block-polyvinylpyridine-block-polystyrene), 폴리에틸에틸렌-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리에틸에틸렌 (polyethylethylene-block-polyvinylpyridine-block-polyethylethylene), 폴리에틸렌-블록-폴리비닐피리딘-블록-폴리에틸렌 (polyethylene-block-polyvinylpyridine-block-polyethylene), 폴리비닐피리딘-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리비닐피리딘 (polyvinylpyridine-block-polymethylmethacrylate-block-polyvinylpyridine), 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리이소프렌-블록-폴리에틸렌옥사이드 (polyethyleneoxide-block-polyisoprene-block-polyethyleneoxide), 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리부타디엔-블록-폴리에틸렌옥사이드 (polyethyleneoxide-block-polybutadiene-block-polyethyleneoxide), 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리스티렌-블록-폴리에틸렌옥사이드 (polyethyleneoxide-block-polystyrene-block-polyethyleneoxide), 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리메틸메타크릴레이트-블록-폴리에틸렌옥사이드 (polyethyleneoxide-block-polymethylmethacrylate-block-polyethyleneoxide), 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리디메틸실록산-블록-폴리에틸렌옥사이드 (polyethyleneoxide-block-polydimethylsiloxane-block-polyethyleneoxide), 및 폴리스티렌-블록-폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리스티렌 (polystyrene-block-polyethyleneoxide-block-polystyrene)을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US08273668 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20110081777 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2011081777 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US8273668 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1602942-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20091007 출원 번호 : 1020090095268 공고 연월일 : 20160315 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160120 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 21/027 발명의 명칭 : 패턴 형성 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 435,000 원 | 2016년 03월 08일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2019년 02월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2020년 02월 28일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.10.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0614846-02 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0913415-80 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 8 | 선행기술조사의뢰서 | 2015.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 9 | 선행기술조사보고서 | 2015.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0019438-92 |
| 10 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2015.05.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0440830-98 |
| 11 | 의견제출통지서 | 2015.10.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0717007-04 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.12.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1215792-52 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.12.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-1215809-40 |
| 14 | 등록결정서 | 2016.01.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0051042-94 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345099029 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0093758 |
| 연구과제명 | ‘그래핀기판상3차원나노아키텍쳐링적용BT/IT/ET통합형소자기술’기획연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200910~201004 |
| 기여율 | 0.2 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345100275 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-0060005 |
| 연구과제명 | 연성소재분자조립제어를통한대면적나노소자어레이기술 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200806~201305 |
| 기여율 | 0.2 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345100339 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0085470 |
| 연구과제명 | 나노구조금속산화물을이용한유무기하이브리드발광소자 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 울산과학기술대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200909~201208 |
| 기여율 | 0.2 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345102276 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-0062204 |
| 연구과제명 | 나노패터닝기술을이용한표면형상제어 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200809~201502 |
| 기여율 | 0.2 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415099845 |
|---|---|
| 세부과제번호 | K0001339 |
| 연구과제명 | 융복합기술을이용한초고순도화및입자복합화기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 한국지질자원연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200706~201105 |
| 기여율 | 0.2 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
특허성과
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