요약 | 2차원 전사층을 이용한 나노구조체 제조방법으로, 기판상에 2차원 전사층을 적층하는 단계; 상기 적층된 2차원 전사층상에 주형 필름을 적층한 후, 이를 패터닝하여 나노주형을 제조하는 단계; 및 상기 형성된 나노주형에 나노물질을 적층하여, 나노구조체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조방법이 제공된다. |
---|---|
Int. CL | B29C 67/00 (2006.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) |
CPC | B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020120061923 (2012.06.11) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-1356010-0000 (2014.01.21) |
공개번호/일자 | 10-2013-0138398 (2013.12.19) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20140128) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2012.06.11) |
심사청구항수 | 19 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김상욱 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | 김주영 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
3 | 김봉훈 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
4 | 황진옥 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
5 | 정성준 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
6 | 신동옥 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
7 | 최영주 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인 다해 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.06.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0460246-98 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2012.06.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0076799-54 |
3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.06.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0498307-19 |
4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0578605-64 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0603443-22 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.09.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0812094-91 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.09.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0812092-00 |
9 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.11.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0802373-92 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 2차원 전사층을 이용한 나노구조체 제조방법으로, 상기 나노구조체 제조방법은,기판상에 2차원 전사층을 적층하는 단계;상기 2차원 전사층을 적층한 후, 상기 2차원 전사층의 표면에너지를 조절하는 단계; 상기 적층된 2차원 전사층상에 주형 필름을 적층한 후, 이를 패터닝하여 나노주형을 제조하는 단계; 및상기 형성된 나노주형에 나노물질을 적층하여, 나노구조체를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조방법 |
2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 주형 필름은 자기조립 방식 또는 리쏘그래피 방식으로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조방법 |
3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 주형 필름은 블록공중합체이며, 상기 나노주형을 제조하는 단계는, 상기 2차원 전사층 적층 후, 상기 블록공중합체를 적층하는 단계; 및 상기 적층된 블록공중합체를 자기조립하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조방법 |
4 |
4 제 3항에 있어서, 상기 나노주형을 제조하는 단계는,상기 자기조립된 블록공중합체의 중합체 중 일부를 선택적으로 제거하여, 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조방법 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 2차원 전사층 표면에는 산소 기능기가 결합되며, 상기 2차원 전사층의 표면에너지를 조절하는 단계는 상기 산소 기능기를 환원시키는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조방법 |
7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 2차원 전사층은 그래핀 필름, 유무기 클레이 구조 필름, CN 나노시트 및 MOS2 나노시트 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조방법 |
8 |
8 제 1항에 있어서, 상기 나노구조체는 나노와이어, 나노로드 또는 나노점인 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조방법 |
9 |
9 제 1항에 있어서, 상기 나노구조체를 형성하는 단계 후, 상기 기판 상에 형성된 나노구조체를 또 다른 기판으로 전사시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조방법 |
10 |
10 제 9항에 있어서, 상기 또 다른 기판은 플렉서블, 비평탄 기판 및 고분자 기판 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조방법 |
11 |
11 제 1항 내지 제 4항, 제 6항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 나노구조체 |
12 |
12 기판; 상기 기판 상에 적층된 제 1 나노구조체; 상기 제 1 나노구조체 상에 적층된 중간층; 및상기 중간층 상에 적층된 제 2 나노구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 층상 구조의 나노구조체 |
13 |
13 제 12항에 있어서, 상기 제 1 나노구조체는 제 1항 내지 제 4항, 제 6항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 층상 구조의 나노구조체 |
14 |
14 제 13항에 있어서, 상기 2차원 전사층과 상기 중간층은 동일 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 층상 구조의 나노구조체 |
15 |
15 제 14항에 있어서, 상기 제 2 나노구조체는 상기 중간층 상에 패턴된 블록공중합체를 주형으로 사용하여 상기 중간층 상에 적층된 것을 특징으로 하는 층상 구조의 나노구조체 |
16 |
16 제 15항에 있어서,상기 중간층은 그래핀 필름, CN 나노시트, MOS2 나노시트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 층상 구조의 나노구조체 |
17 |
17 기판 상에 전사층을 적층하는 단계;상기 전사층 상에 패턴된 제 1 블록공중합체 함유 마스크를 형성하는 단계;상기 제 1 블록공중합체 함유 마스크로부터 노출되는 기판을 제 1 식각하는 단계;상기 제 1 블록공중합체 함유 마스크를 제거하는 단계;상기 전사층상에 상기 패턴된 제 2 블록공중합체 함유 마스크를 형성하는 단계;상기 제 2 블록공중합체 함유 마스크로부터 노출되는 기판을 제 2 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노웰 제조방법 |
18 |
18 제 17항에 있어서, 상기 제 1 블록공중합체 함유 마스크 및 제 2 블록공중합체 함유 마스크는 서로 직교하는 트렌치 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 나노웰 제조방법 |
19 |
19 제 18항에 있어서, 상기 전사층은 그래핀 필름, CN 나노시트, MOS2 나노시트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노웰 제조방법 |
20 |
20 제 17항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 나노웰 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
---|
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | (재)다차원 스마트 IT 융합 시스템 연구단 | 글로벌프론티어사업(다차원 스마트 IT 융합 시스템 연구) | 초집적 나노 공정 |
특허 등록번호 | 10-1356010-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20120611 출원 번호 : 1020120061923 공고 연월일 : 20140128 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131120 청구범위의 항수 : 19 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 2차원 전사층 및 블록공중합체를 이용한 나노구조체 제조방법, 이에 의하여 제조된 나노구조체 및 그 응용소자 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 393,000 원 | 2014년 01월 22일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2016년 12월 27일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2018년 01월 16일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 229,000 원 | 2019년 01월 07일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 411,000 원 | 2020년 01월 22일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.06.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0460246-98 |
2 | 보정요구서 | 2012.06.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0076799-54 |
3 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.06.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0498307-19 |
4 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0578605-64 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
6 | 의견제출통지서 | 2013.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0603443-22 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.09.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0812094-91 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.09.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0812092-00 |
9 | 등록결정서 | 2013.11.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0802373-92 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345164023 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0031852 |
연구과제명 | 초집적 나노 공정 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201109~202008 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | 기타 |
과제고유번호 | 1345169616 |
---|---|
세부과제번호 | 2008-0060005 |
연구과제명 | 연성소재 분자조립제어를 통한 대면적 나노소자어레이 기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200806~201305 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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