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나노선과 나노튜브 표면에 원자층 증착방법을 사용하여알루미나 박막을 코팅하는 방법

  • 기술번호 : KST2015131184
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 크기의 지름을 갖는 반도체 나노선(nanowire)과 나노튜브(nanotube) 표면에 나노 두께의 알루미나(Al2O3) 박막을 균일하게 코팅시킬 수 있도록 하기 위한 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 기판상부에 나노선과 나노튜브를 수직 성장시키는 과정; 및 상기 나노선 표면과 나노튜브에 원자층 증착방법을 이용하여 알루미나 박막을 코팅시키는 과정; 으로 이루어진 것을 특징으로 한다. 원자층 증착방법(ALD), 알루미나 박막, 반도체 나노선, 탄소나노튜브
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01)
출원번호/일자 1020030046515 (2003.07.09)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0709112-0000 (2007.04.12)
공개번호/일자 10-2005-0006632 (2005.01.17) 문서열기
공고번호/일자 (20070418) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.07.09)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상식 대한민국 서울특별시 송파구
2 민병돈 대한민국 서울시 성동구
3 황주원 대한민국 대전광역시동구
4 이종수 대한민국 서울특별시 광진구
5 조경아 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2003-0250422-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0019049-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0368887-12
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0550980-84
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0614120-25
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0693223-15
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0778450-88
9 의견서
Written Opinion		 2005.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0778451-23
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2006.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0237593-90
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0441160-73
12 의견서
Written Opinion		 2006.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0441161-18
13 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2006.10.19 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2006-0755148-55
14 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2006.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0770847-58
15 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2006.10.30 무효 (Invalidation) 1-1-2006-0786728-42
16 보정요구서
Request for Amendment		 2006.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0149735-36
17 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2006.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0902745-18
18 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation		 2007.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0002866-96
19 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0018468-00
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상부에 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO 및 Ga2O3 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 나노선과 나노튜브를 수직 성장시키는 성장과정; 및 상기 나노선 표면과 나노튜브에 원자층 증착방법을 이용하여 알루미나 박막을 코팅시키는 코팅과정;으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선과 나노튜브 표면에 원자층 증착방법 방법을 사용하여 알루미나(Al2O3) 박막을 코팅하는 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 원자층 증착방법에 이용되는 전구물질은,Trimethyaluminum(TMA) 및 물(H2O)인 것을 특징으로 하는 나노선과 나노튜브 표면에 원자층 증착방법을 사용하여 알루미나 박막을 코팅하는 방법
5 5
다중벽 탄소나노튜브의 외측면 및 내측면에, 알루미나 박막이 소정 두께로 코팅되도록 하여 원통형태의 알루미나 튜브를 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노선과 나노튜브 표면에 원자층 증착방법을 사용하여 알루미나 박막을 코팅하는 방법
6 6
삭제
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 원자층 증착방법에 이용되는 전구물질은, Trimethyaluminum(TMA) 및 물(H2O)인 것을 특징으로 하는 나노선과 나노튜브 표면에 원자층 증착방법을 사용하여 알루미나 박막을 코팅하는 방법
8 7
제 5 항에 있어서, 상기 원자층 증착방법에 이용되는 전구물질은, Trimethyaluminum(TMA) 및 물(H2O)인 것을 특징으로 하는 나노선과 나노튜브 표면에 원자층 증착방법을 사용하여 알루미나 박막을 코팅하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.