요약 | 본 발명은 수직 자기이방성을 갖는 자유 자성층에 인접한 도선에 면내 전류를 인가하여 자유 자성층의 자화 반전을 유도하고, 이와 동시에 자기터널접합 셀마다 선택적으로 전압을 인가하여 특정 셀마다 선택적으로 자유 자성층의 자화를 반전시킬 수 있는 자기 메모리 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 자기 메모리 소자는 자화반전을 일으키는 스핀 홀 스핀토크가 도선과 자유 자성층의 계면에서 일어나기 때문에 부피를 줄여 소자의 고집적화를 구현할 수 있고, 자성층의 수직 자기이방성을 높여 열적 안정성을 확보함과 동시에 스핀전류의 양을 증가시켜 임계전류밀도를 감소시키는 것이 가능하다. 또한, 두꺼운 절연체로 터널자기저항을 높여 메모리의 읽는 속도를 증가시키면서도 임계전류밀도에 영향을 미치지 않는 메모리 소자이다. |
---|---|
Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01) |
CPC | H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020120105355 (2012.09.21) |
출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1266791-0000 (2013.05.16) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20130527) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2012.09.21) |
심사청구항수 | 16 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이경진 | 대한민국 | 서울 성북구 |
2 | 이서원 | 대한민국 | 서울 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인충현 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 고려대학교 산학협력단 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.09.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0769370-54 |
2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2012.12.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1007946-15 |
3 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2012.12.05 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2012-1007909-25 |
4 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2012.12.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0148555-43 |
5 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search |
2012.12.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search |
2012.12.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0093781-47 |
7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.01.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0016319-66 |
8 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2013.01.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0006533-98 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.02.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0158552-37 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.05.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0315207-31 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 고정 자성층, 절연층 및 자유 자성층을 포함하는 자기 메모리 셀;을 복수 개로 구비하고,상기 자유 자성층에 인접하여 상기 자기 메모리 셀에 면내 전류를 인가하는 도선; 상기 자기 메모리 셀에 제공되는 자기장; 및 상기 자기 메모리 셀 각각에 독립적으로 전압을 공급하는 소자;를 포함하고,상기 고정 자성층은 고정 자화 방향을 갖고, 막면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이고,상기 자유 자성층은 자화 방향이 변하고, 막면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며,상기 인가되는 면내 전류와 상기 자기 메모리 셀에 제공되는 자기장 및 각각의 자기 메모리 셀에 공급되는 전압에 의해서 각각의 자기 메모리 셀의 자화 방향을 선택적으로 변화시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
2 |
2 제1항에 있어서,상기 고정 자성층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Tb, Pd, Cu, W, Ta 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
3 |
3 제2항에 있어서,상기 고정 자성층은 X층 및 Y층으로 이루어진 2중층이 n개 적층되어 이루어진 다층박막((X/Y)n, n≥1)의 다층박막 구조이고,상기 X층 및 Y층은 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Tb, Pd, Cu, W, Ta 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
4 |
4 제1항에 있어서,상기 고정 자성층은 제1 자성층; 비자성층 및 제2 자성층으로 이루어진 반자성체 구조로서,상기 제1 자성층 및 제2 자성층은 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Tb, Pd, Cu, W, Ta 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지고,상기 비자성층은 Ru, Cu 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
5 |
5 제4항에 있어서,상기 제1 자성층 및 제2 자성층 중 적어도 하나 이상은 X층 및 Y층으로 이루어진 2중층이 n개 적층되어 이루어진 다층박막((X/Y)n, n≥1)의 다층박막 구조이고,상기 X층 및 Y층은 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Tb, Pd, Cu, W, Ta 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
6 |
6 제1항에 있어서,상기 고정 자성층은 반강자성층; 제1 자성층; 비자성층; 및 제2 자성층;으로 이루어진 교환바이어스된 반자성체구조로서,상기 반강자성층은 Ir, Pt, Mn 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지고,상기 제1 자성층 및 제2 자성층은 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Tb, Pd, Cu, W, Ta 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지며,상기 비자성층은 Ru, Cu 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
7 |
7 제6항에 있어서,상기 제1 자성층 및 제2 자성층 중 적어도 하나 이상은 X층 및 Y층으로 이루어진 2중층이 n개 적층되어 이루어진 다층박막((X/Y)n, n≥1)의 다층박막 구조이고,상기 X층 및 Y층은 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Tb, Pd, Cu, W, Ta 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
8 |
8 제1항에 있어서,상기 자유 자성층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Tb, Pd, Cu, W, Ta 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
9 |
9 제8항에 있어서,상기 자유 자성층은 X층 및 Y층으로 이루어진 2중층이 n개 적층되어 이루어진 다층박막((X/Y)n, n≥1)의 다층박막 구조이고,상기 X층 및 Y층은 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Tb, Pd, Cu, W, Ta 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
10 |
10 제1항에 있어서,상기 절연층은 AlOx, MgO, TaOx, ZrOx및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
11 |
11 제1항에 있어서,상기 면내 전류를 인가하는 도선은 Cu, Ta, Pt, W, Gd, Bi, Ir 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
12 |
12 제1항에 있어서,상기 자기 메모리 셀 외부에 인접하는 도선을 더 포함하고, 상기 도선에 전류가 인가될 때 형성되는 외르스테드(Oersted) 자기장을 상기 자기 메모리 셀에 제공되는 자기장으로 사용하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
13 |
13 제1항에 있어서,상기 자기 메모리 셀은 고정 자성층, 절연층 및 자유 자성층이 적층된 구조 외부에 수평 자기이방성을 갖는 자성층을 더 포함하고,상기 수평 자기이방성을 갖는 자성층으로부터 발생하는 누설자기장을 상기 자기 메모리 셀에 제공되는 자기장으로 사용하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
14 |
14 제13항에 있어서,상기 수평 자기이방성을 갖는 자성층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
15 |
15 제13항에 있어서,상기 수평 자기이방성을 갖는 자성층에 인접하는 반강자성층을 더 포함하고,상기 반강자성층으로 인하여 상기 수평 자기이방성을 갖는 자성층은 자화가 고정된 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
16 |
16 제15항에 있어서,상기 수평 자기이방성을 갖는 자성층에 인접한 반강자성층은 IrMn, FeMn, PtMn 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | JP06219395 | JP | 일본 | FAMILY |
2 | JP27534272 | JP | 일본 | FAMILY |
3 | US20150236071 | US | 미국 | FAMILY |
4 | WO2014046361 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | JP2015534272 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
2 | JP6219395 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
3 | US2015236071 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
4 | WO2014046361 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1266791-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20120921 출원 번호 : 1020120105355 공고 연월일 : 20130527 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130507 청구범위의 항수 : 16 유별 : G11C 11/15 발명의 명칭 : 면내 전류와 전기장을 이용한 자기메모리 소자 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2013년 05월 20일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2016년 02월 25일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2017년 03월 28일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 196,000 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2019년 04월 11일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2020년 04월 01일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.09.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0769370-54 |
2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2012.12.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1007946-15 |
3 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2012.12.05 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2012-1007909-25 |
4 | 서류반려이유통지서 | 2012.12.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0148555-43 |
5 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 | 2012.12.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 | 2012.12.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0093781-47 |
7 | 의견제출통지서 | 2013.01.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0016319-66 |
8 | 서류반려통지서 | 2013.01.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0006533-98 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.02.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0158552-37 |
10 | 등록결정서 | 2013.05.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0315207-31 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345199421 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0027905 |
연구과제명 | 나노 스핀트로닉스 신기능 RF 소자 기술 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201107~201702 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415131934 |
---|---|
세부과제번호 | 20124030200120 |
연구과제명 | 태양전지 기반기술 고급트랙 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 산업통상자원부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201207~201506 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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