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반도체 기판상에 SiO2보다 유전율이 낮은 저유전율 물질로 터널 절연막이 형성되고, 상기 터널 절연막위에 전하 포획층, 블로킹 절연막, 및 게이트 전극층이 순차적으로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 터널 절연막은 SiOF, PI(polymide), PAE(poly arylene), HSSQ(hydrogen silsesquioxane), MSSQ(methyl silsesquioxane), Parylene, FAC(fluorinated amorphous carbon) 중 어느 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 블로킹 절연막은 상기 터널 절연막과 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 터널 절연막은 1 내지 4 nm 의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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5
제 1 항에 있어서,
상기 전하 포획층은 질화막, SiO2보다 고유전상수를 갖는 물질, 및 비정질 폴리 실리콘 물질 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 전하 포획층은 텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 니켈, 백금, 로듐, 팔라듐 및 이리듐으로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 금속 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 전하 포획층은 실리콘, 게르마늄, 실리콘과 게르마늄의 혼합물, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 반도체 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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(a) 반도체 기판상에 SiO2보다 유전율이 낮은 저유전율 물질로 터널 절연막을 형성하는 단계;
(b) 상기 터널 절연막 위에 전하 포획층, 블로킹 절연막 및 게이트 전극층을 형성하는 단계;
(c) 상기 게이트 전극층상에 하드 마스크막 패턴을 형성하고, 상기 하드 마스크막을 식각 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판이 드러날때까지 식각하는 단계; 및
(d) 상기 반도체 기판에 소오스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서,
상기 터널 절연막은 SiOF, PI(polymide), PAE(poly arylene), HSSQ(hydrogen silsesquioxane), MSSQ(methyl silsesquioxane), Parylene, FAC(fluorinated amorphous carbon) 중 어느 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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10
제 8 항에 있어서,
상기 블로킹 절연막은 상기 터널 절연막과 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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11
제 8 항에 있어서,
상기 터널 절연막은 1 내지 4 nm 의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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12
제 8 항에 있어서,
상기 전하 포획층은 질화막, SiO2보다 고유전상수를 갖는 물질, 및 비정질 폴리 실리콘 물질 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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13
제 8 항에 있어서,
상기 전하 포획층은 텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 니켈, 백금, 로듐, 팔라듐 및 이리듐으로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 금속 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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14
제 8 항에 있어서,
상기 전하 포획층은 실리콘, 게르마늄, 실리콘과 게르마늄의 혼합물, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 반도체 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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