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비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015132484
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 전하트랩형 비휘발성 메모리 장치에 이용되던 실리콘 질화막과 같은 디팩트가 다량으로 존재하는 재질로 저항 변화층을 형성하고, 저항 변화층에 포획되는 전하의 양을 조절하여, 저항 변화층의 저항 상태를 변경함으로써, 프로그램을 수행할 수 있는 효과가 나타난다. 또한, 본 발명의 비휘발성 메모리 장치는, 열처리를 통하여 저항 변화층의 저항 특성을 제어함으로써 On/Off 비율인 전기 저항(변화)비율이 크게 향상되어 소자의 활용성을 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 저항 변화층과 상부 및 하부 전극층 사이에 제 1 절연막 및 제 2 절연막을 형성하여 저항 변화층에 포획된 전하를 유지함으로써 전하의 손실을 줄여, 종래의 ReRAM 소자에 비하여 기억유지시간을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 나타난다. 또한, 본 발명의 비휘발성 메모리 장치는 저항 변화층에 나노 크리스탈을 포함시킴으로써 보다 작은 바이어스 전압으로 신속하게 프로그램을 수행할 수 있는 효과가 나타난다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090062710 (2009.07.09)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1015828-0000 (2011.02.11)
공개번호/일자 10-2011-0005152 (2011.01.17) 문서열기
공고번호/일자 (20110223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.09)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김희동 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0419268-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0560175-34
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0053982-03
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0053979-65
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0068827-21
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 전극층; 상기 하부 전극층 상에 형성된 제 1 절연막; 상기 제 1 절연막 상에 형성된 저항 변화층; 상기 저항 변화층 상에 형성된 제 2 절연막; 및 상기 제 2 절연막 상에 형성된 상부 전극층을 포함하고, 상기 저항 변화층은 상기 하부 전극층 또는 상기 상부 전극층으로부터 유입된 전하를 포획하여, 포획된 전하량에 따라서 저항이 변화되는 것을 특징으로 하는비휘발성 메모리 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 저항 변화층의 내부에는 나노 크리스탈이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 저항 변화층은 Si3N4, AlN, ZrN, TiN, SrZrN, HfN, GaN, NiN, 및 NbN 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 상부 전극층 및 상기 하부 전극층은 Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들의 합금 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 절연막 및 상기 제 2 절연막은 SiO2, Al2O3, ZrO2, TiO2, SrZrO2, HfO2, Ga2O3,NiO, 및 Nb2O5 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
6 6
(a) 반도체 기판위에 하부 전극층을 형성하는 단계; (b) 상기 하부 전극층 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계; (c) 상기 제 1 절연막 상에 저항 변화층을 형성하는 단계; (d) 상기 저항 변화층 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 제 2 절연막 상에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 저항 변화층은 상기 하부 전극층 또는 상기 상부 전극층으로부터 유입된 전하를 포획하여, 포획된 전하량에 따라서 저항이 변화되는 것을 특징으로 하는비휘발성 메모리 장치 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 (d) 단계와 상기 (f) 단계 사이에, (e) 상기 제 2 절연막 상에 보호층을 형성하고, 상기 보호층을 관통하여 나노 크리스탈 입자를 상기 저항 변화층으로 주입한 후, 상기 보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
8 8
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 (d) 단계는, 상기 제 2 절연막을 형성한 후 열처리를 수행하여 상기 저항 변화층의 저항 특성을 제어하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
9 9
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 (c) 단계는, Si3N4, AlN, ZrN, TiN, SrZrN, HfN, GaN, NiN, 및 NbN 중 어느 하나로 상기 저항 변화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
10 10
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 상부 전극층 및 상기 하부 전극층은 Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들의 합금 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
11 11
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 절연막 및 상기 제 2 절연막은 SiO2, Al2O3, ZrO2, TiO2, SrZrO2, HfO2, Ga2O3,NiO, 및 Nb2O5 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.