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인버티드 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

  • 기술번호 : KST2015135939
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 바닥 전극, 상부 전극, 상기 바닥 전극과 상기 상부 전극 사이에 개재된 적어도 하나의 발광층, 상기 발광층과 상기 바닥 전극 사이에 개재된 전자 수송층, 상기 발광층과 상기 상부 전극 사이에 개재된 정공 수송층, 상기 전자 수송층과 상기 바닥 전극 사이에 개재되며 p-도핑층 및 상기 p-도핑층 상에 형성된 n-도핑층을 포함한 pn-접합층, 및 상기 정공 수송층과 상기 상부 전극 사이에 개재된 정공 생성층을 포함하고; 상기 p-도핑층이 제1 정공 수송 재료 및 p-도펀트를 포함하는 유기 발광 소자가 제공된다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) H05B 33/18 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01)
출원번호/일자 1020120018060 (2012.02.22)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1419809-0000 (2014.07.09)
공개번호/일자 10-2013-0096531 (2013.08.30) 문서열기
공고번호/일자 (20140715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.22)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장주 대한민국 서울 종로구
2 이정환 대한민국 서울 관악구
3 김지환 대한민국 서울 동작구
4 김세용 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0144547-02
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0025494-55
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0447516-41
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0781351-14
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0880458-34
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0104915-90
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.03.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0256623-92
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0256621-01
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0251583-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
바닥 전극,상기 바닥 전극과 대향된 상부 전극,상기 바닥 전극과 상기 상부 전극 사이에 개재된 적어도 하나의 발광층,상기 발광층과 상기 바닥 전극 사이에 개재된 전자 수송층,상기 발광층과 상기 상부 전극 사이에 개재된 정공 수송층,상기 전자 수송층과 상기 바닥 전극 사이에 개재되며, p-도핑층 및 상기 p-도핑층 상에 형성된 n-도핑층을 포함한 유기물 pn-접합층, 및상기 정공 수송층과 상기 상부 전극 사이에 개재된 정공 생성층을 포함하고;상기 p-도핑층이 제1 정공 수송 재료 및 p-도펀트를 포함하고,상기 유기물 pn-접합층은 전자 주입층인 유기 발광 소자
2 2
바닥 전극,상기 바닥 전극과 대향된 상부 전극,상기 바닥 전극과 상기 상부 전극 사이에 개재된 적어도 하나의 발광층,상기 발광층과 상기 바닥 전극 사이에 개재된 전자 수송층,상기 발광층과 상기 상부 전극 사이에 개재된 정공 수송층,상기 전자 수송층과 상기 바닥 전극 사이에 개재되며, p-도핑층, 상기 p-도핑층 상에 형성된 p-도펀트층 및 상기 p-도펀트층 상에 형성된 n-도핑층을 포함한 유기물 pn-접합층, 및상기 정공 수송층과 상기 상부 전극 사이에 개재된 정공 생성층을 포함하고;상기 p-도핑층이 제1 정공 수송 재료 및 p-도펀트를 포함하고,상기 유기물 pn-접합층은 전자 주입층인 유기 발광 소자
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 바닥 전극의 일함수가 -3
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 p-도펀트가 MoO3, MoO2, WO3, V2O5, ReO3, NiO, Mo(tfd)3, HAT-CN(헥사아자트리페닐렌 헥사카보니트릴) 및 F4-TCNQ(테트라플루오로-테트라시아노-퀴노디메탄) 중 적어도 1종을 포함하는 유기 발광 소자
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 p-도핑층이 상기 제1 정공 수송 재료 및 상기 p-도펀트를 99
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 정공 수송 재료가 프탈로시아닌 유도체를 포함하는 유기 발광 소자
7 7
제6항에 있어서,상기 프탈로시아닌 유도체가 구리 프탈로시아닌(CuPc), 주석 프탈로시아닌(SnPc), 클로로알루미늄 프탈로시아닌(ClAlPc), 클로로인듐 프탈로시아닌(ClInPc), 서브프탈로시아닌(SubPc), 코발트 프탈로시아닌(CoPc) 및 아연 프탈로시아닌(ZnPc) 중 적어도 1종을 포함하는 유기 발광 소자
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 n-도핑층이 전자 수송 재료 및 n-도펀트를 포함하는 유기 발광 소자
9 9
제8항에 있어서,상기 n-도펀트가 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 란타늄(La), 세륨(Ce), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy) 및 이테르븀(Yb) 중 적어도 1종의 금속; 상기 금속의 질화물; 상기 금속의 탄산염(carbonate); 및 상기 금속의 착물; 중 적어도 1종을 포함하는 유기 발광 소자
10 10
제8항에 있어서,상기 n-도펀트가 Li2CO3, Na2CO3, K2CO3, Cs2CO3, Rb2CO3 및 Ba2CO3 중 적어도 1종을 포함하는 유기 발광 소자
11 11
제8항에 있어서,상기 n-도핑층이 상기 전자 수송 재료 및 상기 n-도펀트를 99
12 12
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 정공 생성층이 제2 정공 수송 재료; 및 MoO3, MoO2, WO3, V2O5, ReO3, NiO, Mo(tfd)3, HAT-CN 및 F4-TCNQ 중 적어도 1종;을 포함하는 유기 발광 소자
13 13
제12항에 있어서,상기 정공 생성층이 상기 제2 정공 수송 재료 및 상기 MoO3, MoO2, WO3, V2O5, ReO3, NiO, Mo(tfd)3, HAT-CN 및 F4-TCNQ 중 적어도 1종을 99
14 14
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 정공 생성층이, 제2 정공 수송 재료를 포함하는 제1층; 및 상기 제1층 상에 형성되며 MoO3, MoO2, WO3, V2O5, ReO3, NiO, Mo(tfd)3, HAT-CN 및 F4-TCNQ 중 적어도 1종으로 이루어진 제2층;을 포함하는 이중층(bilayer)인 유기 발광 소자
15 15
제14항에 있어서,상기 제1층의 두께가 10Å 내지 500Å이고, 상기 제2층의 두께가 10Å 내지 50Å인 유기 발광 소자
16 16
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 바닥 전극이 ITO(인듐주석산화물), IZO(인듐아연산화물), ZnO(아연 산화물), 그래핀(graphene), Ag 및 Al 중 적어도 1종을 포함하는 유기 발광 소자
17 17
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 바닥 전극이 투명한 물질을 포함하는 배면 발광형인 유기 발광 소자
18 18
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 상부 전극이 투명한 물질을 포함하는 전면 발광형인 유기 발광 소자
19 19
기판, 상기 기판 상에 형성되며 소스 전극, 드레인 전극, 산화물 반도체층, 게이트 전극, 및 게이트 절연층을 포함하는 n형 박막 트랜지스터; 상기 n형 박막 트랜지스터 상에 형성된 절연층; 및 상기 절연층 상에 형성된 제1항 또는 제2항의 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 소자의 상기 바닥 전극이 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결된 디스플레이 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발