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유기 쌍안정성 기억 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015140844
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 쌍안정성 기억 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 반도체 기판; 반도체 기판 상에 형성된 제1 전극; 제1 전극 상에 형성된 유기물층; 유기물층 내부의 일 평면 상에 균일하게 분포하는 금속 나노 입자층; 및 유기물층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 유기 쌍안정성 기억 소자가 제공될 수 있다. 본 발명에 의하면, 유기물 박막 내에 형성된 금속 나노 입자를 이용하여 쌍안정성 특성을 구현함으로써 고효율의 유기 쌍안정성 기억 소자의 제작이 가능하며, 제작된 기억 소자의 재현성 및 신뢰성을 높혀 소자 제작 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.기억 소자, 쌍안정성, 유기물층, 금속 나노 입자층.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020070005293 (2007.01.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0888726-0000 (2009.03.06)
공개번호/일자 10-2008-0067857 (2008.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (20090317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 김재호 대한민국 서울특별시 동대문구
3 정재훈 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0049518-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.08 수리 (Accepted) 9-1-2007-0064636-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0674529-06
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0081936-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0081970-63
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0336194-00
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0597343-69
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0597337-95
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0633756-93
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.02.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0007027-49
13 등록결정서
Decision to grant		 2009.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0097104-51
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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6 6
(a) 반도체 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 전극 상에 제1 유기물 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 제1 유기물 박막 상에 금속 나노 입자를 형성할 물질을 증착하는 단계;(d) 상기 금속 나노 입자를 형성할 물질 상에 제2 유기물 박막을 형성하는 단계;(e) 상기 금속 나노 입자를 형성할 물질에 빔을 조사하여 상기 제1 유기물 박막과 상기 제2 유기물 박막의 사이의 일 평면 상에 균일하게 분포된 금속 나노 입자층을 형성하는 단계; 및(f) 상기 제2 유기물 박막 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 쌍안정성 기억 소자의 제조 방법
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8 8
제6항에 있어서,상기 금속 나노 입자를 형성할 물질은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 니켈(Ni), 인듐(In), 갈륨(Ga), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 철(Fe) 및 아연(Zn) 중 어느 하나인 유기 쌍안정성 기억 소자의 제조 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 금속 나노 입자를 형성할 물질에 조사되는 상기 빔은 전자빔 또는 이온빔인 유기 쌍안정성 기억 소자의 제조 방법
10 10
제6항에 있어서,상기 제1 유기물 박막 및 제2 유기물 박막은 2-amino-4,5-imidazoledicarbonitridle(AIDCN)인 유기 쌍안정성 기억 소자의 제조 방법
11 11
제6항에 있어서,상기 단계 (f)에서, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극과 일함수가 상이한 전극 재료에 의해 형성되는 유기 쌍안정성 기억 소자의 제조 방법
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