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금속 나노 입자를 포함하는 플래시 기억 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140916
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 나노 입자를 포함하는 플래시 기억 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 플래시 기억 소자는 제1 도전성 영역 및 제2 도전성 영역을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 비정질 금속 실리콘 산화물 박막인 플로팅 게이트를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막은 상기 반도체 기판 위에 금속 산화물박막을 증착하고 열처리함으로써 형성되고, 상기 플로팅 게이트는 상기 플로팅 게이트에 전자빔을 조사하여 생성된 금속 나노 입자를 포함할 수 있다. 본 발명에 의하여 전자빔의 크기, 조사 시간, 조사 위치 등을 조절함으로써 금속 나노 입자의 크기, 밀도, 위치 등을 제어할 수 있고, 금속 나노 입자의 표면에 절연층이 둘러 쌓여 있어 우수한 전하 포획 능력을 가진 금속 나노 입자를 포함하는 플래시 기억 소자를 제공할 수 있다.나노, 절연층, 증착
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 29/788(2013.01) H01L 29/788(2013.01) H01L 29/788(2013.01) H01L 29/788(2013.01) H01L 29/788(2013.01)
출원번호/일자 1020070074789 (2007.07.25)
출원인 한양대학교 산학협력단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0011334 (2009.02.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020090003811;
심사청구여부/일자 Y (2007.07.25)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 정재훈 대한민국 서울특별시 광진구
3 신재원 대한민국 대전광역시 유성구
4 이정용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0541648-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0022918-35
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0279893-24
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0543974-59
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0543983-60
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0656278-17
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0673154-08
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0580851-01
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.12.18 보정각하 (Rejection of amendment) 7-1-2008-0059077-39
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2009.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0029994-84
13 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2009.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0070463-50
14 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2009.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0070464-06
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전성 영역 및 제2 도전성 영역을 포함하는 반도체 기판; 및상기 반도체 기판 상에 형성된 비정질 금속 실리콘 산화물 박막인 플로팅 게이트를 포함하되, 상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막은 상기 반도체 기판 위에 금속 산화물박막을 증착하고 열처리함으로써 형성되고,상기 플로팅 게이트에는 전자빔 조사에 의해 생성된 금속 나노 입자들이 포함되는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 플로팅 게이트 상에 형성된 게이트 전극;상기 제1 도전성 영역 상에 형성된 제1 전극;상기 제2 도전성 영역상에 형성된 제2 전극; 및상기 플로팅 게이트와 게이트 전극 사이에 형성된 절연막을 더 포함하는 플래시 기억 소자
3 3
제 1항에 있어서,상기 금속 나노 입자의 금속은 아연(Zn), 구리(Cu), 인듐(In), 은(Ag), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni) 및 철(Fe) 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 금속 나노 입자는 상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막 내의 금속 입자와 실리콘 산화물이 분리됨으로써 실리콘 산화물에 둘러 쌓인 형태인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
5 5
제 1항에 있어서,상기 금속 나노 입자의 크기, 밀도 및 위치는 상기 전자빔의 초점 크기, 조사 시간 및 조사 위치를 각각 조절함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
6 6
제 1항에 있어서,상기 플로팅 게이트의 두께는 상기 열처리 시간을 조절함으로써 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
7 7
제 1항에 있어서,상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막은 Zn2XSi1-YO2, Cu2XSi1-YO2, In2XSi1-YO2, Ag2XSi1-YO2, Sn2XSi1-YO2, Sb2XSi1-YO2, Ni2XSi1-YO2 및 Fe2XSi1-YO2 박막 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
8 8
반도체 기판 상에 금속 산화물 박막을 형성하는 단계;상기 금속 산화물 박막이 형성된 반도체 기판을 열처리하여 비정질 금속 실리콘 산화물 박막인 플로팅 게이트를 형성하는 단계;상기 플로팅 게이트에 전자빔을 조사하여 상기 플로팅 게이트 내부에 금속 나노 입자를 형성하는 단계; 및상기 반도체 기판의 양 측부에 제1 전도성 영역 및 제2 전도성 영역을 형성하는 단계를 포함하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막은 상기 반도체 기판과 상기 금속 산화물 박막의 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 금속 산화물 박막을 식각하는 단계를 더 포함하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
11 11
제 8항에 있어서,상기 플로팅 게이트 상에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
12 12
제 8항에 있어서,상기 플로팅 게이트, 제1 전도성 영역 및 제2 전도성 영역 상에 각각 게이트 전극, 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
13 13
제 8항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막 내의 금속 입자와 실리콘 산화물이 분리됨으로써 실리콘 산화물에 둘러 쌓인 형태인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
14 14
제 8항에 있어서,상기 금속 나노 입자의 금속은 아연(Zn), 구리(Cu), 인듐(In), 은(Ag), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni) 및 철(Fe) 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
15 15
제 8항에 있어서,상기 플로팅 게이트 내부의 금속 나노 입자의 크기, 밀도 및 위치는 상기 전자빔의 초점 크기, 조사 시간 및 조사 위치를 각각 조절함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
16 16
제 8항에 있어서,상기 플로팅 게이트의 두께는 상기 열처리 시간을 조절함으로써 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
17 17
제 8항에 있어서,상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막은 상기 반도체 기판과 상기 금속 산화물 박막의 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
18 18
제 8항에 있어서,상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막은 Zn2XSi1-YO2, Cu2XSi1-YO2, In2XSi1-YO2, Ag2XSi1-YO2, Sn2XSi1-YO2, Sb2XSi1-YO2, Ni2XSi1-YO2 및 Fe2XSi1-YO2 박막 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 KR101200813 KR 대한민국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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