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a) 하나 이상의 금속 촉매 박막(220)이 일면에 구비된 베이스부(210)를 포함하는 나노 구조물 제조용 스탬프(201)를 기판(100)에 밀착시켜, 상기 베이스부와 상기 기판 사이에 상기 금속 촉매 박막이 끼여있는 샌드위치 형태의 결합체를 형성하는 단계; 및b) 상기 샌드위치 형태의 결합체를 기판 식각용액에 침지하여, 상기 금속 촉매 박막의 가장자리(300)에 유발된 식각 현상에 의해 상기 기판에 상기 금속 촉매 박막 가장자리의 경계선을 따라 나노 채널(110)을 형성시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 베이스부(210)는 적어도 하나의 돌출부(212)를 가진 요철부(211)를 포함하며,상기 돌출부(212)의 단부에 상기 금속 촉매 박막(220)이 구비되고,상기 돌출부(212)의 평면도는 형성시키고자 하는 상기 나노 채널의 패턴인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 요철부(211)의 깊이는 15μm~30μm인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 촉매 박막(220)과 상기 베이스부(210) 사이에 접착제층(221)이 구비된 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 접착제층(221)은 티타늄, 크롬, 니켈 및 이들이 포함된 혼합물로부터 선택된 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 접착제층(221)은 두께가 3nm~7nm인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 b) 단계 이후에c) 상기 샌드위치 형태의 결합체에서 상기 스탬프(201)를 분리하고, 상기 기판에 잔존하는 금속 촉매를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 촉매 박막(220)은 금, 은, 백금, 철, 니켈, 코발트, 구리, 납, 알루미늄, 팔라듐 및 이들이 포함된 혼합물로부터 선택된 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 촉매 박막(220)은 두께가 20nm~50nm인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판(100)은 단결정 반도체 기판, III-V 화합물 반도체 기판, SOI(silicon on insulator) 기판, 게르마늄 기판, 실리콘-게르마늄 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 베이스부(210)는 단결정 반도체 기판, III-V 화합물 반도체 기판, 중합체기판, 유리기판, 금속기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판 식각용액은 불산, 황산, 과산화수소, 질산은, 염화금산칼륨, 염화금산, 염화백금산칼륨, 염화백금산, 제2질산철, 질산니켈, 질산마그네슘, 과황산나트륨, 과망간산칼륨, 중크롬산칼륨이 포함된 혼합용액인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조 방법
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a) 스탬프 기판(200) 상에 마스크 패턴(230)을 형성하는 단계;b) 상기 스탬프 기판(200)을 스탬프 기판 식각용액으로 식각하여 적어도 하나의 돌출부(212)를 가진 요철부(211)와 이를 포함하는 베이스부(210)를 형성하는 단계;c) 상기 스탬프 기판(200)의 상기 마스크 패턴(230)을 제거하는 단계; 및d) 상기 돌출부(212)의 단부에 금속 촉매 박막(220)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조용 스탬프 제조방법
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제 13 항에 있어서,c)단계와 d)단계의 사이에 상기 스탬프 기판(200)에 접착제층(221)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조용 스탬프 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 접착제층(221)은 티타늄, 크롬, 니켈 및 이들이 포함된 혼합물로부터 선택된 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조용 스탬프 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 접착제층(221)은 두께가 3nm~7nm인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조용 스탬프 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 스탬프 기판(200)은 단결정 반도체 기판, III-V 화합물 반도체 기판, 중합체기판, 유리기판, 금속기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조용 스탬프 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 스탬프 기판 식각용액은 불산, 황산, 염산, 질산, 붕산, 인산 및 이들이 포함된 혼합용액 인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조용 스탬프 제조방법
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제 13 항에 있어서,b) 단계에서 형성된 상기 요철부(211)는상기 요철부의 깊이가 15μm~30μm인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조용 스탬프 제조방법
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제 13 항에 있어서,d) 단계에서 형성된 상기 금속 촉매 박막(220)은금, 은, 백금, 철, 니켈, 코발트, 구리, 납, 알루미늄, 팔라듐 및 이들이 포함된 혼합물로부터 선택된 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조용 스탬프 제조방법
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제 13 항에 있어서,d) 단계에서 형성된 상기 금속 촉매 박막(220)은두께가 20nm~50nm인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제조용 스탬프 제조방법
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