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금속산화물 반도체 박막;상기 금속산화물 반도체 박막의 상부 또는 하부를 가로지르는 게이트 전극;상기 금속산화물 반도체 박막과 상기 게이트 전극 사이에 배치된 게이트 절연막;상기 금속산화물 반도체 박막의 양단부에 각각 전기적으로 접속하는 소오스 및 드레인 전극; 및상기 금속산화물 반도체 박막의 상기 게이트 절연막이 인접한 면의 반대 면에 접하여 형성되고 상기 소오스 및 드레인 전극과 전기적으로 절연되는 금속촉매산화물층을 포함하고,상기 금속산화물 반도체 박막은 상기 게이트 절연막과 접하는 면에 가까워질수록 격자 정렬도가 상승하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 금속촉매산화물층은 탄탈륨, 티타늄, 니켈, 하프늄, 텅스텐 및 이들의 합금 중 어느 하나를 포함하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 금속산화물 반도체 박막은 아연 또는 주석을 포함하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 금속산화물 반도체 박막은 InGaZnO, InZnO, InSnO, ZnSnO, InGaO, InZnSnO, HfInZnO, ZrZnSnO 및 HfZnSnO 중 어느 하나를 포함하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 상기 게이트 전극 상에 위치하고, 상기 금속산화물 반도체 박막은 상기 게이트 절연막 상에 위치하고, 상기 소오스 및 드레인 전극은 상기 금속산화물 반도체 박막의 양단부 상에 각각 위치하고,상기 금속촉매산화물층은 상기 금속산화물 반도체 박막 상에 상기 소오스 및 드레인 전극과 이격되어 형성된 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 금속산화물 반도체 박막은 상기 금속촉매산화물층 상에 위치하고,상기 금속산화물 반도체 박막 상의 일부 영역에 상기 게이트 절연막 및 상기 게이트 전극이 위치하고,상기 게이트 절연막 및 상기 게이트 전극으로부터 노출된 상기 금속산화물 반도체 박막의 양 단부는 각각 소오스 영역 및 드레인 영역으로 정의되며,상기 소오스 및 드레인 전극은 각각 상기 소오스 영역 및 상기 드레인 영역과 전기적으로 접속되는 박막 트랜지스터
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금속산화물 반도체 박막, 상기 금속산화물 반도체 박막의 상부 또는 하부를 가로지르는 게이트 전극, 상기 금속산화물 반도체 박막과 상기 게이트 전극 사이에 배치된 게이트 절연막, 상기 금속산화물 반도체 박막의 양단부에 각각 전기적으로 접속하는 소오스 및 드레인 전극 및 상기 금속산화물 반도체 박막의 상기 게이트 절연막이 인접한 면의 반대 면에 접하여 형성되고 상기 소오스 및 드레인 전극과 전기적으로 절연되는 금속촉매산화물층을 포함하는, 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서,상기 금속산화물 반도체 박막에 접하는 금속촉매층을 형성하는 단계; 및상기 금속산화물 반도체 박막 및 상기 금속촉매층을 열처리 하여, 상기 금속산화물 반도체 박막의 상기 게이트 절연막이 인접한 면의 반대 면에 접하여 금속촉매산화물층이 형성되고, 상기 금속산화물 반도체 박막은 상기 게이트 절연막과 접하는 면에 가까워질수록 격자 정렬도가 상승하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 금속촉매층은 탄탈륨, 티타늄, 니켈, 하프늄, 텅스텐 및 이들의 합금 중 어느 하나를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 금속산화물 반도체 박막은 아연 또는 주석을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 상기 금속산화물 반도체 박막을 형성하는 단계;상기 금속산화물 반도체 박막의 일부 영역 상에 금속촉매층을 형성하는 단계;상기 금속산화물 반도체 박막의 양단부에 전기적으로 접속하고, 상기 금속촉매층과 이격된 상기 소오스 및 드레인 전극을 각각 형성하는 단계; 및상기 금속산화물 반도체 박막 및 상기 금속촉매층을 열처리 하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의제조 방법
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제10항에 있어서,상기 금속촉매층을 형성하는 단계;상기 금속촉매층 상에 상기 금속산화물 반도체 박막을 형성하는 단계;상기 금속촉매층 및 상기 금속산화물 반도체 박막을 열처리하는 단계;상기 금속산화물 반도체 박막 상에 절연막층을 형성하는 단계;상기 절연막층 상에 도전층을 형성하는 단계;상기 금속산화물 반도체 박막의 양 단부가 노출되도록 상기 절연막층 및 상기 도전층의 일부 영역을 식각하는 단계; 및상기 절연막층 및 상기 도전층이 식각되어 노출된 상기 금속산화물 반도체의 양 단부에 전기적으로 접속하는 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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