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박막 트랜지스터 기판 및 표시 장치

  • 기술번호 : KST2018009622
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 출원의 일 예는, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치된 제 1 보호막, 상기 제 1 보호막 상에 배치된 산화물 반도체층, 상기 산화물 반도체층과 절연되어, 상기 산화물 반도체층과 적어도 일부 중첩하는 게이트 전극, 상기 산화물 반도체층과 연결된 소스 전극 및 상기 소스 전극과 이격되어 상기 산화물 반도체층과 연결된 드레인 전극을 포함하며, 상기 산화물 반도체층은 2.4 at%(atomic %) 내지 2.6 at%(atomic %)의 수소 함량을 갖는 박막 트랜지스터 기판을 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) G02F 1/1368 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01) H01L 27/12 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020160184512 (2016.12.30)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0079114 (2018.07.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진성 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 배종욱 대한민국 서울특별시 양천구
3 이승민 대한민국 서울특별시 강남구
4 백주혁 대한민국 서울특별시 양천구
5 옥경철 대한민국 경기도 안양시 만안구
6 한기림 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인천문 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신성빌딩)
2 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1298349-52
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2019.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0353472-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판;상기 베이스 기판 상에 배치된 제 1 보호막;상기 제 1 보호막 상에 배치된 산화물 반도체층;상기 산화물 반도체층과 절연되어, 상기 산화물 반도체층과 적어도 일부 중첩하는 게이트 전극;상기 산화물 반도체층과 연결된 소스 전극; 및상기 소스 전극과 이격되어 상기 산화물 반도체층과 연결된 드레인 전극을 포함하며,상기 산화물 반도체층은 2
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제 1 보호막은 실리콘 산화물을 포함하는, 박막 트랜지스터 기판
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 1 보호막은 실리콘 질화물을 포함하는, 박막 트랜지스터 기판
4 4
제 1항에 있어서,상기 제 1 보호막은, 적어도 하나의 실리콘 산화물층; 및 상기 적어도 하나의 실리콘 산화물층과 교호적으로(alternately) 배치된 적어도 하나의 실리콘 질화물층을 포함하는, 박막 트랜지스터 기판
5 5
제 4항에 있어서, 상기 적어도 하나의 실리콘 산화물층 중 어느 하나는 상기 산화물 반도체층과 접촉하고, 상기 산화물 반도체층과 접촉하는 실리콘 산화물층은 100nm 내지 500nm의 두께를 갖는, 박막 트랜지스터 기판
6 6
제 1항에 있어서, 상기 산화물 반도체층 상에 배치된 제 2 보호막을 더 포함하는, 박막 트랜지스터 기판
7 7
제 6항에 있어서, 상기 제 1 보호막 및 상기 제 2 보호막 중 어느 하나는 0
8 8
베이스 기판 상에 제 1 보호막을 형성하는 단계;상기 제 1 보호막 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;서로 이격되어 배치되며 각각 상기 산화물 반도체층과 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 산화물 반도체층과 절연되어, 상기 산화물 반도체층과 적어도 일부 중첩하는 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 산화물 반도체층은 2
9 9
제 8항에 있어서, 상기 산화물 반도체층에 수소를 주입하는 단계를 더 포함하는, 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
10 10
제 8항에 있어서, 상기 산화물 반도체층 상에 제 2 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는, 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 제 1 보호막 및 상기 제 2 보호막 중 어느 하나는 0
12 12
제 10항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 형성하는 단계 후 열처리 하는 단계를 더 포함하는, 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
13 13
기판;상기 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터; 및상기 박막 트랜지스터 상에 배치된 광량 조절층을 포함하고,상기 박막 트랜지스터는,상기 기판 상에 배치된 제 1 보호막;상기 제 1 보호막 상에 배치된 산화물 반도체층;상기 산화물 반도체층과 절연되어, 상기 산화물 반도체층과 적어도 일부 중첩하는 게이트 전극;상기 산화물 반도체층과 연결된 소스 전극; 및상기 소스 전극과 이격되어 상기 산화물 반도체층과 연결된 드레인 전극을 포함하며,상기 산화물 반도체층은 2
14 14
제 13항에 있어서,상기 광량 조절층은 유기 발광 소자 또는 액정층인, 표시 장치
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN108269854 CN 중국 FAMILY
2 JP06654770 JP 일본 FAMILY
3 JP30110226 JP 일본 FAMILY
4 US10461198 US 미국 FAMILY
5 US20180190822 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 CN108269854 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2018110226 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP6654770 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US10461198 US 미국 DOCDBFAMILY
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