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유연 전자소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018011070
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유연 전자소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자소자 동작 시 발생하는 열을 분산 및 방출시켜 전자소자의 온도를 전반적으로 낮출 수 있으며, 이로부터 온도 상승에 따른 전자소자의 전기적 특성 변화의 방지가 가능하여 전자소자의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유연 전자소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76864(2013.01) H01L 21/76864(2013.01) H01L 21/76864(2013.01) H01L 21/76864(2013.01) H01L 21/76864(2013.01)
출원번호/일자 1020170014956 (2017.02.02)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1989808-0000 (2019.06.11)
공개번호/일자 10-2018-0090049 (2018.08.10) 문서열기
공고번호/일자 (20190930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.02)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조병진 대한민국 대전광역시 유성구
2 봉재훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0111867-17
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0112322-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0043236-59
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0205671-84
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0486215-09
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0486184-71
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0553435-33
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-1016077-72
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1016097-85
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2019.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0140108-88
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0223610-19
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.03.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0223595-11
14 등록결정서
Decision to grant		 2019.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0184703-54
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5025653-11
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연 고분자 기판, 열분산층, 매몰산화물층 및 반도체층이 순차적으로 적층되는 구조를 포함하며, 상기 열분산층은 25℃에서의 열전도도가 30 Wm-1K-1 이상인 것을 특징으로 하는 유연 전자소자
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 열분산층의 두께는 100 ㎚ 내지 10 ㎛인, 유연 전자소자
4 4
제 1항에 있어서,상기 열분산층은 금속, 탄소동소체 또는 이들의 혼합물로부터 형성된 것인, 유연 전자소자
5 5
제 4항에 있어서,상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 철(Fe), 납(Pb), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 카드뮴(Cd), 인듐(In) 및 주석(Sn)에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상이며,상기 탄소동소체는 그래핀, 그래핀 산화물, 흑연, 탄소나노튜브, 탄소섬유 및 다이아몬드에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인, 유연 전자소자
6 6
제 1항에 있어서,상기 유연 전자소자는 열분산층의 외측면에 물리적으로 접합된 열방출기를 더 포함하는, 유연 전자소자
7 7
a) 희생기판, 매몰산화물층 및 반도체층을 순차적으로 적층하는 제1적층체 제조단계, b) 상기 희생기판을 제거하는 제거단계,c) 상기 희생기판의 제거에 의해 드러난 상기 매몰산화물층의 일면에 25℃에서의 열전도도가 30 Wm-1K-1 이상인 열분산층을 형성하는 제2적층체 제조단계 및d) 상기 제2적층체를 유연 고분자 기판 상에 전사하는 전사단계를 포함하는 유연 전자소자의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 c)단계는 화학 증착법, 물리 증착법 및 전기도금법에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 방법으로 수행되는, 유연 전자소자의 제조방법
9 9
제 7항에 있어서,상기 열분산층의 두께는 100 ㎚ 내지 10 ㎛인, 유연 전자소자의 제조방법
10 10
제 7항에 있어서,상기 제조방법은 d)단계 후,e) 상기 제2적층체의 열분산층의 외측면에 열방출기를 물리적으로 접합시키는 단계를 더 포함하는, 유연 전자소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 원천기술개발사업 (EZBARO)고성능 소프트 집적회로 기술(2016)