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도핑원소 및 산소를 포함하며, 말단에 불포화기를 포함하는 도핑용 단량체 및 개시제를 기화된 상태로 주입하면서, 상기 개시제를 열분해하여 반도체 기판 상에 고분자 필름을 형성하는 단계를 포함하는 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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제 1항에 있어서,상기 도핑원소는 N, P, As, Sb, Li, Na, K, Ag, Cu, B, Al, Ga 및 In에서 선택되는 것인 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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제 1항에 있어서,상기 불포화기는 비닐기인 것인 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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제 1항에 있어서,상기 도핑용 단량체는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물인 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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제 1항에 있어서,상기 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법은a) 상기 도핑용 단량체 및 개시제를 기화된 상태로 주입하면서, 상기 개시제를 열분해하여 반도체 기판 상에 고분자 필름을 형성하는 단계;b) 상기 고분자 필름이 형성된 반도체 기판을 300 ℃ 이하의 온도로 1차 열처리하는 단계; 및c) 상기 1차 열처리된 반도체 기판을 1000 ℃ 이상의 온도로 2차 열처리하여 도핑하는 단계;를 포함하는 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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제 5항에 있어서,상기 c)단계에서, 열처리 전에 패시베이션 층을 형성하는 과정을 더 포함하는 것인 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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제 6항에 있어서,상기 패시베이션 층은 금속산화물 층 또는 고분자 층인 것인 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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제 7항에 있어서,상기 고분자 층은 상기 도핑용 단량체 및 말단에 불포화기를 포함하는 공단량체를 혼합한 혼합단량체 및 개시제를 이용하여 iCVD 공정으로 형성한 것인 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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제 8항에 있어서,상기 공단량체는 최소 하나 이상의 비닐기를 포함하는 실록산계 단량체, 최소 하나 이상의 비닐기를 포함하는 실라잔계 단량체 및 아크릴계 단량체에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것인 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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제 9항에 있어서,상기 공단량체는 1,3,5-트리메틸-1,3,5-트리비닐 사이클로실록산(V3D3), 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리비닐 사이클로트리실록산, 2,4,6-트리메틸-2,4,6-트리비닐사이클로테트라실라잔, 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐사이클로테트라실록산, 퍼플루오로데실 아크릴레이트, 사이클로헥실 메타크릴레이트, 이소보닐 아크릴레이트에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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제 8항에 있어서,상기 공단량체의 유량/도핑용 단량체의 유량은 0
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제 5항에 있어서,상기 a) 단계 및 b) 단계를 순차적으로 수행한 것을 1사이클로 할 때, 상기 c)단계 전에 적어도 2사이클 이상 수행하는 것인 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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제 1항 또는 제 5항에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘 기판, SiGe 기판, 게르마늄 기판 및 게르마늄 주석 기판에서 선택되는 것인 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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제 1항 또는 제 5항에 있어서,상기 반도체 구조체는 3차원 구조의 반도체 소자인 것인 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법
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