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기판 상의 패턴 형성방법 및 이에 따라 제조되는 패턴이 형성된 기판

  • 기술번호 : KST2020010096
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 기판 상에 패턴을 형성하는 방법, 특히 표면 증강 라만 분광 기판의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 패턴이 형성된 기판, 특히 표면 증강 라만 분광 기판을 제공하는데 있다. 이를 위하여 본 발명은 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 기판 상에 패턴화된 마스크를 형성하는 단계; 액상 레이저 융제를 이용하여 나노입자를 제조하는 단계; 전기영동을 이용하여 상기 나노입자를 상기 패턴화된 마스크를 포함하는 기판 상에 전착시키는 단계; 및 상기 마스크를 제거하는 단계;를 포함하는 기판 상의 패턴 형성방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 이와 같은 방법으로 제조되는 표면에 패턴이 형성된 기판을 제공한다. 본 발명에 따르면, 비진공 상태에서 공정을 수행할 수 있어 공정 비용을 절감할 수 있고, 대면적으로 기판을 제조할 수 있고, 거친 표면으로 패턴을 형성하여 민감도가 증가하고, 재현성이 우수한 기판, 특히 표면 증강 라만 분광 기판을 제공할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G01N 21/65 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) G03F 7/00 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) G01J 3/44 (2006.01.01)
CPC G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01)
출원번호/일자 1020190008287 (2019.01.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0091249 (2020.07.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.01.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민양 대전광역시 유성구
2 황준식 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0079438-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.01.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2020-0009670-51
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0203329-96
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-0542437-89
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0542542-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0723465-49
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2020.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-1256339-50
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-1256132-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 기판 상에 패턴화된 마스크를 형성하는 단계;액상 레이저 융제를 이용하여 나노입자를 제조하는 단계;전기영동을 이용하여 상기 나노입자를 상기 패턴화된 마스크를 포함하는 기판 상에 전착시키는 단계; 및상기 마스크를 제거하는 단계;를 포함하는 기판 상의 패턴 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 표면 증강 라만 분광 기판인 것을 특징으로 하는 기판 상의 패턴 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 방법은 비진공 환경에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 상의 패턴 형성방법
4 4
제1항에 있어서,상기 패턴화된 마스크를 형성하는 단계에서 입사빔과 기판과의 각도를 조절하여 패턴의 피치를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 상의 패턴 형성방법
5 5
제1항에 있어서,상기 패턴화된 마스크를 형성하는 단계에서 입사광의 입사 시간을 조절하여 패턴의 면적을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 상의 패턴 형성방법
6 6
제1항에 있어서,상기 마스크를 제거하는 단계는 물리적 또는 화학적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 상의 패턴 형성방법
7 7
제1항의 방법으로 제조되고, 표면에 패턴이 형성된 기판
8 8
제7항에 있어서, 상기 기판은 표면 증강 라만 분광 기판인 것을 특징으로 하는 기판
9 9
제7항에 따른 기판을 포함하는 표면 증강 라만 분광기
10 10
제9항에 있어서, 상기 표면 증강 라만 분광기는 100 nM 이상 농도의 시료를 검출할 수 있는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 분광기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업 (EZBARO)광 에너지 원용 나노입자의 액상 전위집중 전착공정을 통한 3차원 나노페탈 어레이구조체 제작 및 응용(2018)