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갭필 공정 없이 고집적화할 수 있는 상변화 메모리 소자의제조방법

  • 기술번호 : KST2015082357
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 상변화 메모리 소자의 제조방법은 반도체 기판 상에 하부 전극을 형성하는 것을 포함한다. 하부 전극 상에 발열 전극을 형성한다. 발열 전극은 반도체 기판 상에 도전막을 형성한 후 사진식각공정으로 패터닝하여 형성할 수 있다. 하부 전극 및 발열 전극이 형성된 반도체 기판의 전면에 발열 전극의 최상부의 높이보다 두껍게 층간 절연층을 형성한다. 발열 전극이 노출되도록 층간 절연층을 평탄화하여 매몰 절연층을 형성한다. 발열 전극 상에 발열 전극에 접하여 상변화층을 형성한다. 상변화층 상에 상부 전극을 형성한다. 상변화층 상에 비어를 형성하여 상부 전극은 비어를 통하여 상변화층과 연결될 수 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060122550 (2006.12.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0785807-0000 (2007.12.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영삼 대한민국 대전 서구
2 윤성민 대한민국 대전 서구
3 이승윤 대한민국 대전 유성구
4 이남열 대한민국 대전 유성구
5 유병곤 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0902365-61
2 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0603738-99
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 발열 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 및 발열 전극이 형성된 반도체 기판의 전면에 상기 발열 전극의 최상부의 높이보다 두껍게 층간 절연층을 형성하는 단계;상기 발열 전극이 노출되도록 상기 층간 절연층을 평탄화하여 매몰 절연층을 형성하는 단계;상기 발열 전극 상에 상기 발열 전극에 접하여 상변화층을 형성하는 단계; 및 상기 상변화층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 발열 전극은 상기 반도체 기판 상에 도전막을 형성한 후 사진식각공정으로 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 층간 절연층의 평탄화에 의해 상기 매몰 절연층은 상기 발열 전극의 양측의 하부 전극 및 상기 반도체 기판 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 발열 전극은 Ti계 물질층, Ta계 물질층, SiGe계 물질층 및 그 조합층 중에서 선택된 어느 하나의 물질층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 상변화층은 주기율표에서 VI족 물질을 적어도 하나 이상 포함하는 칼코게나이드로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 상변화층 상에 비어를 형성하여 상기 상부 전극은 상기 비어를 통하여 상기 상변화층과 연결하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.