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메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015083192
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트랩 조절형 공간전하제한전류(trap-controlled Space Charge Limit Current)를 이용한 저항 변화형 비휘발성(non-volatile) 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 메모리 소자는 하부전극; 상기 하부전극 상부에 형성된 전극-유전체박막간 확산방지막; 상기 전극-유전체박막간 확산방지막 상부에 형성되고, 전하트랩 밀도가 상이한 복수개의 층 구조를 갖는 유전체박막 및 상기 유전체박막 상부에 형성된 상부전극을 포함하고 있으며, 상술한 본 발명에 따르면, 구조가 단순하여 고집적화가 용이하며, 이를 통하여 생산성을 향상시킬 수 있는 비휘발성 메모리 소자를 제공하는 효과가 있다. 메모리, 비휘발성, 전하트랩, 공간전하제한전류
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01)
출원번호/일자 1020070084717 (2007.08.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0913395-0000 (2009.08.14)
공개번호/일자 10-2008-0050989 (2008.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20090821) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060121755   |   2006.12.04
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.23)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대한민국 대전광역시 중구
2 유민기 대한민국 서울 노원구
3 정후영 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0609414-05
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0290376-45
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0413100-12
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0413098-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0590877-66
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0014119-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0014121-13
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0200840-21
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.06.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0028835-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 등록결정서
Decision to grant		 2009.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0331795-03
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부전극; 상기 하부전극 상부에 형성된 전극-유전체박막간 확산방지막; 상기 전극-유전체박막간 확산방지막 상부에 형성되고, 전하트랩 밀도가 상이한 복수개의 층 구조를 가지며, 내부의 층간에 전하트랩의 이동을 방지하기 위한 내부확산방지막을 갖는 유전체박막; 및 상기 유전체박막 상부에 형성된 상부전극 을 포함하는 메모리 소자
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 유전체박막내의 복수개의 층은 동일한 유전체 물질 또는 서로 상이한 유전체 물질로 형성된 메모리 소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 유전체박막에서 상기 전하트랩 밀도에 따라 상이한 공간전하제한전류(Space Charge Limit Current)가 흐르는 메모리 소자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 유전체박막은 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오브(Nb), 납(Pb), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 및 팔라듐(Pb)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 금속과 산소의 결합으로 이루어진 유전성 금속산화물 중 어느 하나로 형성된 메모리 소자
6 6
제 5항에 있어서, 상기 유전체박막은 상기 유전성 금속산화물에 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 니오브(Nb), 탄탈륨(Ta), 납(Pd) 및 란탄(La)족 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 불순물로 첨가한 메모리 소자
7 7
제 1항에 있어서, 상기 전극-유전체 박막간 확산방지막 및 내부확산방지막은 산화물 또는 질화물인 메모리 소자
8 8
제 1항에 있어서, 상기 전극-유전체박막간 확산방지막 및 내부확산방지막은 유기물 자기조립분자막(self-assembled monolayer)으로 형성된 메모리 소자
9 9
제 1항에 있어서, 상기 전극-유전체박막간 확산방지막 및 내부확산방지막은 0
10 10
제 1항에 있어서, 상기 전극-유전체박막간 확산방지막은 Al2O3, SiO2, ZnO2, AlN 및 Si3N4로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 형성된 메모리 소자
11 11
제 1항에 있어서, 상기 유전체박막은 3nm ~ 100nm 범위의 두께를 갖도록 형성된 메모리 소자
12 12
제 1항에 있어서, 상기 유전체박막을 형성하는 물질은 3 ~ 1000 범위의 유전율을 갖는 메모리 소자
13 13
제 1항에 있어서, 상기 상부전극 및 하부전극은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 백금(Pt) 및 금(Au)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 금속원소로 형성된 메모리 소자
14 14
제 1항에 있어서, 상기 상부전극 및 하부전극은 ITO, IZO, RuO2 및 IrO2로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 도전성산화물로 형성된 메모리 소자
15 15
하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상부에 전극-유전체박막간 확산방지막을 형성하는 단계; 상기 전극-유전체박막간 확산방지막 상부에 전하트랩 밀도가 상이한 복수개의 층 구조를 가지며, 내부의 층간에 전하트랩의 이동을 방지하기 위한 내부확산방지막을 갖는 유전체박막을 형성하는 단계; 및 상기 유전체박막 상부에 상부전극을 형성하는 단계 를 포함하는 메모리 소자 제조방법
16 16
삭제
17 17
제 15항에 있어서, 상기 유전체박막내의 복수개의 층은 동일한 유전체 물질 또는 서로 상이한 유전체 물질로 형성하는 메모리 소자 제조방법
18 18
제 15항에 있어서, 상기 유전체박막을 형성하는 단계에서, 증착조건을 조절하여 유전체박막내의 층간 전하트랩 밀도가 상이하도록 형성하는 메모리 소자 제조방법
19 19
삭제
20 20
제 18항에 있어서, 상기 유전체박막을 형성하는 방법은 ALD(Amotic Layer Deposition)법, PE-ALD(Plasma Enhanced Amotic Layer Deposition)법, CVD(Chamical Vapor Deposition)법, PE-CVD(Plasma-Enhanced Chamical Vapor Deposition)법, PLD(Pulsed Laser Deposition)법, MBE( Molecular Beam Epitaxy)법 및 스퍼터링(sputtering)법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 이용하는 메모리 소자 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02132775 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP22512018 JP 일본 FAMILY
3 US20100065803 US 미국 FAMILY
4 WO2008069489 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2132775 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2132775 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2010512018 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2010512018 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2010512018 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2010065803 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2008069489 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.