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반도체 기판 위의 하부전극;상기 하부전극 위의 제1 절연 패턴;상기 제1 절연 패턴 위에서 상기 하부전극 위까지 연장되어 있되, 일측면이 상기 제1 절연 패턴 위에 놓여있는 발열전극;상기 발열전극층 위에서 상기 발열전극과 동일한 패턴을 형성하고 있는 제2 절연 패턴;상기 제2 절연 패턴 위에서 상기 제1 절연 패턴 위까지 연장되어 있되, 일부가 상기 제1 절연 패턴 위의 상기 발열전극의 일측면과 접하는 상변화층 패턴;상기 상변화층 패턴과 전기적으로 연결된 콘택; 및상기 콘택에 의하여 상기 상변화층 패턴과 전기적으로 연결되는 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자
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제1 항에 있어서, 상기 상부전극 아래에서 상기 하부전극, 상기 1 절연 패턴, 상기 제2 절연 패턴, 상기 상변화층 패턴을 덮으면서 상기 콘택을 포함하는 제3 절연층을 더 포함하는 상변화 메모리 소자
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제1 항에 있어서, 상기 상변화층 패턴 위의 베리어층을 더 포함하는 상변화 메모리 소자
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제3 항에 있어서, 상기 베리어층은 Ti, TiAlN, TiSiN 및 TiN 중의 적어도 어느 하나를 포함하는 상변화 메모리 소자
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제1 항에 있어서, 상기 발열전극은 TiN, TiAlN, TiSiN 및 SiGe 중의 적어도 어느 하나를 포함하는 상변화 메모리 소자
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제1 항에 있어서, 상기 상변화층 패턴은 칼코겐 화합물로 이루어진 상변화 메모리 소자
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제1 항에 있어서, 상기 상변화층 패턴은 GaSb, InSb, InSe, Sb2Te, SbSe, GeTe, Ge2Sb2Te5, InSbTe, GaSeTe, SnSb2Te, IhSbGe, AgInSbTe, (Ge,Sn)SbTe, GeSb(Se,Te) 및 Te81GeI5Sb2S2 중에 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 상변화 메모리 소자
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제1 항에 있어서, 상기 하부전극과 상기 상부전극은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W)을 포함하는 금속 물질, 실리콘, 이러한 물질들의 금속 합금 또는 이러한 물질들의 금속 화합물을 포함하는 상변화 메모리 소자
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반도체 기판 위에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 위에 제1 절연 패턴을 형성하는 단계;상기 하부전극 위에서 상기 제1 절연 패턴 위까지 연장되되, 일측면이 상기 제1 절연 패턴 위에 놓이도록 발열전극과 상기 발열전극 위의 제2 절연 패턴의 적층구조를 형성하는 단계;상기 제1 절연 패턴 위에서 상기 제2 절연 패턴 위까지 연장되어 있되, 일부가 상기 발열전극의 일측면과 접하도록 상변화층 패턴을 형성하는 단계;상기 상변화층 패턴이 형성된 상기 반도체 기판 위에 제3 절연층을 형성하는 단계;상기 제3 절연층 내에 상기 상변화층 패턴과 접촉하도록 콘택을 형성하는 단계; 및상기 제3 절연층 위에 상기 콘택과 접촉하도록 상부전극을 형성하는 단계;를포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제10 항에 있어서, 상기 발열전극과 상기 제2 절연 패턴의 적층구조를 형성하는 단계는 상기 제1 절연 패턴이 형성된 상기 반도체 기판 위에 발열전극층을 형성하는 단계; 상기 발열전극층 위에 제2 절연층을 형성하는 단계;상기 제2 절연층 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 제2 절연층과 상기 발열전극층을 연속적으로 식각하는 단계;를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제11 항에 있어서, 상기 상변화층 패턴 위에 베리어층을 형성하는 단계를 더 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제12 항에 있어서, 상기 베리어층은 Ti, TiAlN, TiSiN 및 TiN 중의 적어도 어느 하나를 포함하도록 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제11 항에 있어서, 상기 발열전극은 TiN, TiAlN, TiSiN 및 SiGe 중의 적어도 어느 하나를 포함하도록 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제11 항에 있어서, 상기 상변화층 패턴은 칼코겐 화합물로 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제11 항에 있어서, 상기 상변화층 패턴은 GaSb, InSb, InSe, Sb2Te, SbSe, GeTe, Ge2Sb2Te5, InSbTe, GaSeTe, SnSb2Te, IhSbGe, AgInSbTe, (Ge,Sn)SbTe, GeSb(Se,Te) 및 Te81GeI5Sb2S2 중에 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하도록 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제11 항에 있어서, 상기 하부전극과 상기 상부전극은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W)을 포함하는 금속 물질, 실리콘, 이러한 물질들의 금속 합금 또는 이러한 물질들의 금속 화합물을 포함하도록 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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