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유전체 박막을 포함하는 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015094786
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 복수의 유전체층을 갖는 유전체 박막을 포함하는 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 소자는 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되며, 전하 트랩 밀도가 상이한 복수의 유전체층을 갖는 적어도 하나의 유전체 박막; 및 상기 유전체 박막 상에 형성되는 상부 전극을 포함한다. 이에 따라, 공정이 단순하여 제조가 용이하고, 구조가 단순하여 고집적화 실현이 가능한 메모리 소자를 제공할 수 있다. 메모리, 유전체, 공간전하 제한전류 (space-charge-limited-current, SCLC)
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01)
출원번호/일자 1020060044063 (2006.05.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0769547-0000 (2007.10.17)
공개번호/일자 10-2007-0058939 (2007.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20071023) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050117717   |   2005.12.05
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.17)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대한민국 대전 중구
2 유민기 대한민국 부산 사하구
3 김안순 대한민국 대전 중구
4 아칠성 대한민국 대전 서구
5 유한영 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0342608-81
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0545267-65
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0008182-75
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0292559-16
6 의견서
Written Opinion		 2007.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0451945-10
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0451949-03
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0547806-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되며, 전하 트랩 밀도가 상이한 복수의 유전체층을 갖는 적어도 하나의 유전체 박막; 및상기 유전체 박막 상에 형성되는 상부 전극을 포함하는 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 유전체 박막에는 상기 전하 트랩 밀도에 따라 상이한 공간 전하 제한 전류(space-charge limit current)가 흐르는 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 공간 전하 제한 전류는 상기 유전체층에 첨가되는 불순물에 따라 제어되는 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 유전체층은 TiO2, ZrO2, HfO2, V2O5, Nb2O5, Ta2O5, NiO, 및 PdO 및 이 물질에 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Hf, Nb, Ta, Pd 및 La족 원소 중 하나 이상을 불순물로 첨가한 유전체; ABO3 타입의 유전체; 및 상기 ABO3 타입 이외의 페로브스카이트 구조를 갖는 물질 및 이 물질에 불순물을 첨가하여 제조된 유전체 중 적어도 하나를 이용하는 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 전하 트랩 밀도는 1017 ~ 1021/㎤ 범위인 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 유전체 박막은 3㎚ ~ 100㎚ 범위의 두께로 형성되는 메모리 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 유전체층의 유전율은 3 ~ 1000 범위인 메모리 소자
8 8
하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 전하 트랩 밀도가 상이한 복수의 유전체층을 갖는 적어도 하나의 유전체 박막을 형성하는 단계; 및상기 유전체 박막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 유전체 박막을 형성하는 단계는 상기 하부 전극 상에 하부 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 하부 유전체층 상에 상기 하부 유전체층과 동일한 유전체 또는 상이한 유전체 중 하나를 이용하여 상부 유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 메모리 소자의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 유전체 박막을 형성하는 단계는,상기 하부 전극 상에 형성되는 하부 유전체층과 상기 하부 유전체층 상에 형성되는 상부 유전체층 사이에, 상기 하부 유전체층 및 상기 상부 유전체층 중 적어도 하나와 동일한 유전체 또는 상기 하부 유전체층 및 상기 상부 유전체층과 상이한 유전체를 이용하여 중간 유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 메모리 소자의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 중간 유전체층은 상기 하부 유전체층과 상기 상부 유전체층에 포함되어 있는 트랩의 이동을 방지하는 장벽 역할을 수행하는 메모리 소자의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 하부 유전체층 및 상기 상부 유전체층을 동일한 유전체로 형성하는 경우에는, 상기 각 유전체층의 증착 온도, 증착 시간, 증착률, 증착 방법 중 적어도 하나를 서로 다르게 하여 형성하는 메모리 소자의 제조방법
13 13
제10항에 있어서,상기 하부 유전체층, 상기 중간 유전체층 및 상기 상부 유전체층을 동일한 유전체로 형성하는 경우에는, 상기 각 유전체층의 증착 온도, 증착 시간, 증착률, 증착 방법 중 적어도 하나를 서로 다르게 하여 형성하는 메모리 소자의 제조방법
14 14
제8항에 있어상기 유전체 박막은 3㎚ ~ 100㎚ 범위의 두께를 갖도록 형성하는 메모리 소자의 제조방법
15 15
제8항에 있어서,상기 유전체층은 3 ~ 1000 범위의 유전율을 갖는 유전체를 이용하여 형성하는 메모리 소자의 제조방법
16 16
제8항에 있어서, 상기 유전체층은 TiO2, ZrO2, HfO2, V2O5, Nb2O5, Ta2O5, NiO, 및 PdO 및 이 물질에 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Hf, Nb, Ta, Pd 및 La족 원소 중 하나 이상을 불순물로 첨가한 유전체; ABO3 타입의 유전체; 및 상기 ABO3 타입 이외의 페로브스카이트 구조를 갖는 물질 및 이 물질에 불순물을 첨가하여 제조된 유전체중 적어도 하나를 이용하는 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07960774 US 미국 FAMILY
2 US20070126045 US 미국 FAMILY
3 US20110212612 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2007126045 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7960774 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.