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헬리칼 구조 전류 프로브, 이를 포함하는 반도체 칩 및 전류 산출 방법

  • 기술번호 : KST2015118062
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전류 프로브는 제1 헬리칼 구조 도선 및 제2 헬리칼 구조 도선을 포함한다. 제1 헬리칼 구조 도선은 입력 전류를 전달 받는다. 제2 헬리칼 구조 도선은 제1 헬리칼 구조 도선과 대칭적으로 배치되어 제1 헬리칼 구조 도선 상의 입력 전류에 의해 유도되는 제1 자기장과 반대 방향으로 제2 자기장을 형성하여 제1 자기장을 상쇄시킨다. 제1 자기장에 의하여 제2 헬리칼 구조 도선에 유도되는 유도 전압 노드의 전압에 기초하여 입력 전류를 측정한다. 제안된 전류 프로브를 사용하면 일반적으로 사용되는 커런트 프로브에서와 같이 기생 저항이나 기생 인덕턴스가 발생하지 않으므로 3차원 집적 회로에서의 전류 측정의 정확도를 높일 수 있다.
Int. CL G01R 19/00 (2006.01) G01R 1/067 (2006.01)
CPC G01R 1/06733(2013.01) G01R 1/06733(2013.01) G01R 1/06733(2013.01) G01R 1/06733(2013.01)
출원번호/일자 1020130060735 (2013.05.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1478625-0000 (2014.12.26)
공개번호/일자 10-2014-0140221 (2014.12.09) 문서열기
공고번호/일자 (20150102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.29)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정호 대한민국 대전광역시 유성구
2 공선규 대한민국 대전광역시 유성구
3 조창현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0475508-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0022338-61
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0381774-12
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0529508-75
6 등록결정서
Decision to grant
2014.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0661879-08
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력 전류를 전달 받는 제1 헬리칼 구조 도선; 및 상기 제1 헬리칼 구조 도선과 대칭적으로 배치되어 상기 제1 헬리칼 구조 도선 상의 상기 입력 전류에 의해 유도되는 제1 자기장과 반대 방향으로 제2 자기장을 형성하여 상기 제1 자기장을 상쇄시키는 제2 헬리칼 구조 도선을 포함하고, 상기 제1 자기장에 의하여 상기 제2 헬리칼 구조 도선에 유도되는 유도 전압 노드의 전압에 기초하여 입력 전류를 측정하는 전류 프로브
2 2
제1 항에 있어서,상기 유도 전압 노드의 전압은 상기 제1 헬리칼 구조 도선과 상기 제2 헬리칼 구조 도선 사이의 간격에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 하는 전류 프로브
3 3
제1 항에 있어서,상기 유도 전압 노드의 전압은 상기 제1 헬리칼 구조 도선의 턴-수에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 하는 전류 프로브
4 4
제1 항에 있어서, 상기 유도 전압 노드의 전압은 상기 제2 헬리칼 구조 도선의 턴-수에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 하는 전류 프로브
5 5
제1 항에 있어서, 상기 제2 헬리칼 구조 도선은 재배선 상의 입력 전류를 측정하기 위한 재배선인 것을 특징으로 하는 전류 프로브
6 6
제1 항에 있어서,상기 제2 헬리칼 구조 도선은 인터포저 메탈 상의 입력 전류를 측정하기 위한 인터포저 메탈인 것을 특징으로 하는 전류 프로브
7 7
헬리칼 구조 전류 프로브를 포함하는 메탈 층;상기 메탈 층의 상면에 형성되는 패시배이션 층; 및 상기 메탈 층의 하면에 형성되는 서브스트레이트 층을 포함하고,상기 헬리칼 구조 전류 프로브는 입력 전류를 전달 받는 제1 헬리칼 구조 도선; 및 상기 제1 헬리칼 구조 도선과 대칭적으로 배치되어 상기 제1 헬리칼 구조 도선 상의 상기 입력 전류에 의해 유도되는 제1 자기장과 반대 방향으로 제2 자기장을 형성하여 상기 제1 자기장을 상쇄시키는 제2 헬리칼 구조 도선을 포함하고,상기 제1 자기장에 의하여 상기 제2 헬리칼 구조 도선 상의 유도 전압 노드의 전압을 유도하는 반도체 칩
8 8
제7 항에 있어서, 상기 유도 전압 노드의 전압은 상기 제1 헬리칼 구조 도선과 상기 제2 헬리칼 구조 도선 사이의 간격에 기초하여 결정되고,상기 제2 헬리칼 구조 도선은 재배선 상의 입력 전류를 측정하기 위한 재배선인 것을 특징으로 하는 반도체 칩
9 9
제7 항에 있어서, 상기 유도 전압 노드의 전압은 상기 제1 헬리칼 구조 도선과 상기 제2 헬리칼 구조 도선의 턴-수에 기초하여 결정되고,상기 제2 헬리칼 구조 도선은 인터포저 메탈 상의 입력 전류를 측정하기 위한 인터포저 메탈인 것을 특징으로 하는 반도체 칩
10 10
헬리칼 구조 전류 프로브;상기 헬리칼 구조 전류 프로브의 유도 전압 노드의 전압을 측정하여 전압 스펙트럼을 출력하는 전압 스펙트럼 부; 및 상기 전압 스펙트럼을 수신하고 상기 헬리칼 구조 전류 프로브의 입력 전류 노드와 상기 유도 전압 노드 사이의 임피던스에 기초하여 전류 스펙트럼을 출력하는 전류 스펙트럼 산출부를 포함하고,상기 헬리칼 구조 전류 프로브는,입력 전류를 전달 받는 제1 헬리칼 구조 도선; 및 상기 제1 헬리칼 구조 도선과 대칭적으로 배치되어 상기 제1 헬리칼 구조 도선 상의 상기 입력 전류에 의해 유도되는 제1 자기장과 반대 방향으로 제2 자기장을 형성하여 상기 제1 자기장을 상쇄시키는 제2 헬리칼 구조 도선을 포함하고, 상기 제1 자기장에 의하여 상기 제2 헬리칼 구조 도선 상의 유도 전압 노드의 전압을 유도하는 스펙트럼 분석기
11 11
제10 항에 있어서, 상기 유도 전압 노드의 전압은 상기 제1 헬리칼 구조 도선의 턴-수에 기초하여 결정되고,상기 전류 스펙트럼 산출부에서 출력되는 상기 전류 스펙트럼을 외부에 나타내는 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스펙트럼 분석기
12 12
제10 항에 있어서, 상기 유도 전압 노드의 전압은 상기 제1 헬리칼 구조 도선과 상기 제2 헬리칼 구조 도선 사이의 간격에 기초하여 결정되고,상기 전류 스펙트럼 산출부에서 출력되는 상기 전류 스펙트럼을 외부에 나타내는 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스펙트럼 분석기
13 13
헬리칼 구조 전류 프로브;상기 헬리칼 구조 전류 프로브의 유도 전압 노드의 전압을 측정하여 전압 스펙트럼을 출력하는 전압 스펙트럼 부; 상기 전압 스펙트럼을 수신하고 상기 헬리칼 구조 전류 프로브의 입력 전류 노드와 상기 유도 전압 노드 사이의 임피던스에 기초하여 전류 스펙트럼을 출력하는 전류 스펙트럼 산출부; 및 상기 전류 스펙트럼을 수신하고 인버스 패스트 퓨리에 트랜스폼(IFFT)을 수행하여 입력 전류를 출력하는 역변환 부를 포함하고,상기 헬리칼 구조 전류 프로브는,상기 입력 전류를 전달 받는 제1 헬리칼 구조 도선; 및 상기 제1 헬리칼 구조 도선과 대칭적으로 배치되어 상기 제1 헬리칼 구조 도선 상의 상기 입력 전류에 의해 유도되는 제1 자기장과 반대 방향으로 제2 자기장을 형성하여 상기 제1 자기장을 상쇄시키는 제2 헬리칼 구조 도선을 포함하고, 상기 제1 자기장에 의하여 상기 제2 헬리칼 구조 도선 상의 유도 전압 노드의 전압을 유도하는 전류 측정기
14 14
제13 항에 있어서, 상기 유도 전압 노드의 전압은 상기 제1 헬리칼 구조 도선과 상기 제2 헬리칼 구조 도선 사이의 간격에 기초하여 결정되고,상기 역변환 부에서 출력되는 상기 입력 전류를 외부에 나타내는 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 측정기
15 15
헬리칼 구조 전류 프로브에 유도 전류를 발생하는 단계;상기 헬리칼 구조 전류 프로브의 유도 전압 노드의 전압을 측정하여 전압 스펙트럼을 생성하는 단계;상기 헬리칼 구조 전류 프로브의 입력 전류 노드와 상기 유도 전압 노드 사이의 임피던스를 측정하여 임피던스 스펙트럼을 생성하는 단계;상기 전압 스펙트럼과 상기 임피던스 스펙트럼에 기초하여 전류 스펙트럼을 산출하는 단계; 및 상기 전류 스펙트럼을 인버스 패스트 퓨리에 트랜스폼(IFFT)을 수행하여 입력 전류를 산출하는 단계를 포함하는 전류 산출 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술원 산업원천기술개발사업 웨이퍼레벨 3차원 IC 설계 및 집적기술
2 교육과학기술부 한국과학기술원 기초연구사업 자기장 공진기반 무선에너지 전송 기술