요약 | 적층 칩 패키지는 제1 반도체 칩 및 제2 반도체 칩을 포함한다. 제1 반도체 칩은 제1 반도체 다이, 제1 반도체 다이에 접합되는 히트 싱크(heat sink) 및 제1 반도체 다이와 히트 싱크를 관통하는 복수의 제1 관통 실리콘 비아(Through Silicon Via; TSV)들을 구비한다. 제2 반도체 칩은 제2 반도체 다이 및 제2 반도체 다이를 관통하는 복수의 제2 TSV들을 각각 구비하고 제1 반도체 칩 상에 적층된다. 제1 반도체 다이는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면과 제 1 면 및 제 2 면을 연결하는 복수의 측면들을 구비하고, 히트 싱크는 제1 반도체 다이의 제 1 면에 접합된다. |
---|---|
Int. CL | H01L 23/34 (2006.01) H01L 23/12 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020100130540 (2010.12.20) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-1153222-0000 (2012.05.30) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20120607) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.12.20) |
심사청구항수 | 15 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김정호 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | 이만호 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
3 | 박준서 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
4 | 김주희 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박영우 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.12.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0838111-74 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.02.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.03.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0023862-73 |
4 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.05.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0302701-46 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 제1 반도체 다이, 상기 제1 반도체 다이에 접합되는 히트 싱크(heat sink) 및 상기 제1 반도체 다이와 상기 히트 싱크를 관통하는 복수의 제1 관통 실리콘 비아(Through Silicon Via; TSV)들을 구비하는 제1 반도체 칩; 및제2 반도체 다이 및 상기 제2 반도체 다이를 관통하는 복수의 제2 TSV들을 각각 구비하고 상기 제1 반도체 칩 상에 적층되는 복수의 제2 반도체 칩들을 포함하고,상기 제1 반도체 다이는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면과 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면을 연결하는 복수의 측면들을 구비하고, 상기 히트 싱크는 상기 제1 반도체 다이의 제 1 면에 접합되는 적층 칩 패키지 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 히트 싱크는 베이스 방열판 및 상기 베이스 방열판의 외면들 중 상기 제1 반도체 다이와 접합되는 일면에 돌출되는 복수의 방열 핀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 칩 패키지 |
3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 제1 반도체 다이의 제 1 면에는 상기 복수의 방열 핀들의 형상 및 배치에 상응하는 패턴들이 형성되는 것을 특징으로 하는 적층 칩 패키지 |
4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 제1 반도체 칩은 상기 제1 반도체 다이와 상기 히트 싱크 사이에 형성되는 전도성 접착층(conductive adhesive layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 칩 패키지 |
5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 제1 반도체 칩과 상기 복수의 제2 반도체 칩들 사이에 배치되는 인터포저(interposer)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 칩 패키지 |
6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 제1 반도체 칩은 프로세서이고, 상기 복수의 제2 반도체 칩들은 메모리 칩들인 것을 특징으로 하는 적층 칩 패키지 |
7 |
7 제1 반도체 다이, 상기 제1 반도체 다이를 관통하는 복수의 제1 관통 실리콘 비아(Through Silicon Via; TSV)들 및 상기 제1 반도체 다이에 접합되는 복수의 히트 싱크(heat sink)들을 구비하는 제1 반도체 칩; 및제2 반도체 다이 및 상기 제2 반도체 다이를 관통하는 복수의 제2 TSV들을 각각 구비하고 상기 제1 반도체 칩 상에 적층되는 복수의 제2 반도체 칩들을 포함하고,상기 제1 반도체 다이는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면과 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면을 연결하는 복수의 측면들을 구비하고, 상기 복수의 히트 싱크들은 상기 제1 반도체 다이의 상응하는 복수의 측면들에 각각 접합되는 적층 칩 패키지 |
8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 복수의 히트 싱크들은 베이스 방열판 및 상기 베이스 방열판의 외면들 중 상기 제1 반도체 다이와 접합되는 일면에 돌출되는 복수의 방열 핀들을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 칩 패키지 |
9 |
9 제 8 항에 있어서, 상기 제1 반도체 다이의 복수의 측면들에는 상기 복수의 방열 핀들의 형상 및 배치에 상응하는 패턴들이 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 적층 칩 패키지 |
10 |
10 제 7 항에 있어서, 상기 제1 반도체 칩은 상기 제1 반도체 다이와 상기 복수의 히트 싱크들 사이에 형성되는 전도성 접착층(conductive adhesive layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 칩 패키지 |
11 |
11 제1 반도체 다이, 상기 제1 반도체 다이에 접합되는 히트 싱크(heat sink) 및 상기 제1 반도체 다이와 상기 히트 싱크를 관통하는 복수의 제1 관통 실리콘 비아(Through Silicon Via; TSV)들을 구비하는 제1 반도체 칩을 제공하는 단계;제2 반도체 다이 및 상기 제2 반도체 다이를 관통하는 복수의 제2 TSV들을 각각 구비하는 복수의 제2 반도체 칩들을 제공하는 단계; 및상기 복수의 제2 반도체 칩들을 상기 제1 반도체 칩 상에 적층시키는 단계를 포함하고,상기 제1 반도체 다이는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면과 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면을 연결하는 복수의 측면들을 구비하고, 상기 히트 싱크는 상기 제1 반도체 다이의 제 1 면에 접합되는 적층 칩 패키지의 제조 방법 |
12 |
12 제 11 항에 있어서, 상기 히트 싱크는 베이스 방열판 및 상기 베이스 방열판의 외면들 중 상기 제1 반도체 다이와 접합되는 일면에 돌출되는 복수의 방열 핀들을 포함하고,상기 제1 반도체 칩을 제공하는 단계는,상기 제1 반도체 다이의 제 1 면에 상기 복수의 방열 핀들의 형상 및 배치에 상응하는 패턴들을 형성하는 단계;상기 제1 반도체 다이의 제 1 면에 전도성 접착층(conductive adhesive layer)을 형성하는 단계;상기 제1 반도체 다이의 제 1 면에 상기 히트 싱크를 접합하는 단계; 및상기 제1 반도체 다이와 상기 히트 싱크를 관통하는 상기 복수의 제1 TSV들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 칩 패키지의 제조 방법 |
13 |
13 제1 반도체 다이, 상기 제1 반도체 다이를 관통하는 복수의 제1 관통 실리콘 비아(Through Silicon Via; TSV)들 및 상기 제1 반도체 다이에 접합되는 복수의 히트 싱크(heat sink)들을 포함하는 제1 반도체 칩을 제공하는 단계;제2 반도체 다이 및 상기 제2 반도체 다이를 관통하는 복수의 제2 TSV들을 각각 구비하는 복수의 제2 반도체 칩들을 제공하는 단계; 및상기 복수의 제2 반도체 칩들을 상기 제1 반도체 칩 상에 적층시키는 단계를 포함하고,상기 제1 반도체 다이는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면과 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면을 연결하는 복수의 측면들을 구비하고, 상기 복수의 히트 싱크들은 상기 제1 반도체 다이의 상응하는 복수의 측면들에 각각 접합되는 적층 칩 패키지의 제조 방법 |
14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 복수의 히트 싱크들은 베이스 방열판 및 상기 베이스 방열판의 외면들 중 상기 제1 반도체 다이와 접합되는 일면에 돌출되는 복수의 방열 핀들을 각각 포함하고,상기 제1 반도체 칩을 제공하는 단계는,상기 제1 반도체 다이의 복수의 측면들에 상기 복수의 방열 핀들의 형상 및 배치에 상응하는 패턴들을 각각 형성하는 단계;상기 제1 반도체 다이의 복수의 측면들에 전도성 접착층(conductive adhesive layer)을 각각 형성하는 단계;상기 제1 반도체 다이의 복수의 측면들에 상기 복수의 히트 싱크들을 각각 접합하는 단계; 및상기 제1 반도체 다이를 관통하는 상기 복수의 제1 TSV들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 칩 패키지의 제조 방법 |
15 |
15 베이스 기판; 및상기 베이스 기판 상에 장착되는 적층 칩 패키지를 포함하고,상기 적층 칩 패키지는,제1 반도체 다이, 상기 제1 반도체 다이를 관통하는 복수의 제1 관통 실리콘 비아(Through Silicon Via; TSV)들 및 상기 제1 반도체 다이에 접합되는 적어도 하나의 히트 싱크(heat sink)를 포함하는 제1 반도체 칩; 및제2 반도체 다이 및 상기 제2 반도체 다이를 관통하는 복수의 제2 TSV들을 각각 구비하고 상기 제1 반도체 칩 상에 적층되는 복수의 제2 반도체 칩들을 포함하고,상기 제1 반도체 다이는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면과 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면을 연결하는 복수의 측면들을 구비하고, 상기 적어도 하나의 히트 싱크는 상기 제1 반도체 다이의 제 1 면 또는 상기 제1 반도체 다이의 복수의 측면들에 접합되는 반도체 모듈 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 한국과학기술원 | 산업원천기술개발사업 | 웨이퍼레벨 3차원 IC 설계 및 집적기술 |
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1153222-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20101220 출원 번호 : 1020100130540 공고 연월일 : 20120607 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120523 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 23/34 발명의 명칭 : 적층 칩 패키지, 이를 포함하는 반도체 모듈 및 적층 칩 패키지의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 315,000 원 | 2012년 05월 31일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2015년 04월 29일 | 납입 |
제 5 - 7 년분 | 금 액 | 1,128,600 원 | 2016년 04월 27일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2019년 12월 30일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 385,250 원 | 2020년 10월 15일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.12.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0838111-74 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.02.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2012.03.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0023862-73 |
4 | 등록결정서 | 2012.05.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0302701-46 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
기술번호 | KST2014047102 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한국과학기술원 |
기술명 | 적층 칩 패키지, 이를 포함하는 반도체 모듈 및 적층 칩 패키지의 제조 방법 |
기술개요 |
적층 칩 패키지는 제1 반도체 칩 및 제2 반도체 칩을 포함한다. 제1 반도체 칩은 제1 반도체 다이, 제1 반도체 다이에 접합되는 히트 싱크(heat sink) 및 제1 반도체 다이와 히트 싱크를 관통하는 복수의 제1 관통 실리콘 비아(Through Silicon Via; TSV)들을 구비한다. 제2 반도체 칩은 제2 반도체 다이 및 제2 반도체 다이를 관통하는 복수의 제2 TSV들을 각각 구비하고 제1 반도체 칩 상에 적층된다. 제1 반도체 다이는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면과 제 1 면 및 제 2 면을 연결하는 복수의 측면들을 구비하고, 히트 싱크는 제1 반도체 다이의 제 1 면에 접합된다. |
개발상태 | 기술개발완료 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 기타 반도체 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415107582 |
---|---|
세부과제번호 | KI002134 |
연구과제명 | 웨이퍼레벨 3차원 IC 설계 및 집적기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200903~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415122249 |
---|---|
세부과제번호 | KI002134 |
연구과제명 | 웨이퍼레벨 3차원 IC 설계 및 집적기술 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200903~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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