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박막 트랜지스터 제조 방법
- 기술번호 : KST2015134855
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명은 용액 공정이 가능한 졸-겔 무기물을 이용하여 반도체 층 및/또는 절연막을 형성하는 기법에 관한 것으로, 무기물을 사용하는 전통적인 리소그라피 방법 또는 유기물을 사용하는 고온 공정의 비전통적인 리소그라피 방법으로 박막 트랜지스터를 제조하는 종래 방식과는 달리, 용액 공정이 가능한 졸-겔 무기물을 반도체 층 또는 반도체 층과 절연막으로 사용하며, 졸-겔 무기물로서 고온 경화가 가능한 졸-겔 용액과 저온 경화가 가능한 졸-겔 용액을 혼합한 혼합 졸-겔 용액을 이용함으로써, 무기물 박막 트랜지스터의 우수한 장점인 성능과 안정성을 확보하면서도 제조 공정의 간소화와 동시에 그 제조 비용의 절감을 실현할 수 있으며, 또한 공정 온도를 대폭 낮춤으로써 박막 트랜지스터 제조 공법의 다양한 활용 가능성과 적용 확장성을 확보할 수 있는 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | G02F 1/136 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080087585 (2008.09.05) |
| 출원인 | 이홍희, 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0982714-0000 (2010.09.10) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0028726 (2010.03.15) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20100916) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.09.05) |
| 심사청구항수 | 15 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이홍희 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 2 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이홍희 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 2 | 권태근 | 대한민국 | 부산광역시 금정구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 장성구 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유)) |
| 2 | 김원준 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유)) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이홍희 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 2 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.09.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0632176-07 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.10.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.11.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0061866-42 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.03.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0106155-05 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.05.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0301698-02 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0301699-47 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.08.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0358973-13 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
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| 12 |
12 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 과정과, 상기 기판 상에 형성된 상기 게이트 전극을 매립하는 형태로 절연막을 형성하는 과정과, 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 실시하여 상기 절연막 상에 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 반도체 층의 상부를 노출시키는 형태로 소오스·드레인 전극을 형성하는 과정 을 포함하고, 상기 무기물은 졸-겔 용액을 이용하여 형성한 유기물을 포함하는 금속산화물인 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 13 |
13 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 과정과, 기 기판 상에 형성된 상기 게이트 전극을 매립하는 형태로 절연막을 형성하는 과정과, 기물을 이용하는 졸-겔 공정을 실시하여 상기 절연막 상에 반도체 층을 형성하는 과정과, 기 반도체 층의 상부를 노출시키는 형태로 소오스·드레인 전극을 형성하는 과정 포함하고, 상기 무기물은 졸-겔 용액을 이용하여 형성한 유기물을 포함하는 두 종류의 금속산화물의 혼합물인 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 14 |
14 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 유기물은, 이중 결합 또는 삼중 결합을 갖는 작용기, 아크릴레이트기, 에폭시기, 옥세탄기 및 알킬기 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 15 |
15 삭제 |
| 16 |
16 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 과정과, 상기 기판 상에 형성된 상기 게이트 전극을 매립하는 형태로 절연막을 형성하는 과정과, 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 실시하여 상기 절연막 상에 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 반도체 층의 상부를 노출시키는 형태로 소오스·드레인 전극을 형성하는 과정 을 포함하고, 상기 반도체 층은 n차 졸-겔 공정을 통해 형성한 n층 구조의 반도체 층인 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 17 |
17 제 16 항에 있어서, 상기 n층 구조의 각 반도체 층은, 종류가 동일한 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 18 |
18 제 16 항에 있어서, 상기 n층 구조의 각 반도체 층은, 종류가 서로 다른 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 과정과, 상기 기판 상에 형성된 상기 게이트 전극을 매립하는 형태로 절연막을 형성하는 과정과, 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 실시하여 상기 절연막 상에 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 반도체 층의 상부를 노출시키는 형태로 소오스·드레인 전극을 형성하는 과정 을 포함하고, 상기 게이트 전극과 소오스·드레인 전극 각각은, 무기 전극 또는 유기 전극인 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 21 |
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| 25 |
25 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 과정과, 상기 기판 상에 형성된 상기 게이트 전극을 매립하는 형태로 절연막을 형성하는 과정과, 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 실시하여 상기 절연막 상에 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 반도체 층의 상부를 노출시키는 형태로 소오스·드레인 전극을 형성하는 과정 을 포함하고, 상기 절연막은 상기 반도체 층에 사용된 무기질과는 종류가 다른 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 통해 형성되고, 상기 다른 무기물은 졸-겔 용액을 이용하여 형성한 유기물을 포함하는 금속산화물인 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 26 |
26 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 과정과, 상기 기판 상에 형성된 상기 게이트 전극을 매립하는 형태로 절연막을 형성하는 과정과, 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 실시하여 상기 절연막 상에 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 반도체 층의 상부를 노출시키는 형태로 소오스·드레인 전극을 형성하는 과정 을 포함하고, 상기 절연막은 상기 반도체 층에 사용된 무기질과는 종류가 다른 무기질을 이용하는 졸-겔 공정을 통해 형성되고, 상기 다른 무기물은 졸-겔 용액을 이용하여 형성한 유기물을 포함하는 두 종류의 금속산화물의 혼합물인 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 27 |
27 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서, 상기 유기물은, 이중 결합 또는 삼중 결합을 갖는 작용기, 아크릴레이트기, 에폭시기, 옥세탄기 및 알킬기 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 28 |
28 삭제 |
| 29 |
29 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 과정과, 상기 기판 상에 형성된 상기 게이트 전극을 매립하는 형태로 절연막을 형성하는 과정과, 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 실시하여 상기 절연막 상에 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 반도체 층의 상부를 노출시키는 형태로 소오스·드레인 전극을 형성하는 과정 을 포함하고, 상기 절연막은 상기 반도체 층에 사용된 무기질과는 종류가 다른 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 통해 형성되며, n차 졸-겔 공정을 통해 형성한 n층 구조의 절연막인 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 30 |
30 삭제 |
| 31 |
31 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 실시하여 기판 상에 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 반도체 층의 상부를 노출시키는 형태로 소오스·드레인 전극을 형성하는 과정과, 상기 소오스·드레인 전극을 매립하는 형태로 절연막을 형성하는 과정과, 상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 과정 을 포함하고, 상기 졸-겔 공정은 고온 경화가 가능한 졸-겔 용액과 저온 경화가 가능한 졸-겔 용액을 혼합한 혼합 졸-겔 용액을 이용하는 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 32 |
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| 33 |
33 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 실시하여 기판 상에 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 반도체 층의 상부를 노출시키는 형태로 소오스·드레인 전극을 형성하는 과정과, 상기 소오스·드레인 전극을 매립하는 형태로 절연막을 형성하는 과정과, 상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 과정 을 포함하고, 상기 반도체 층은 n차 졸-겔 공정을 통해 형성한 n층 구조의 반도체 층인 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 34 |
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| 35 |
35 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 실시하여 기판 상에 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 반도체 층의 상부를 노출시키는 형태로 소오스·드레인 전극을 형성하는 과정과, 상기 소오스·드레인 전극을 매립하는 형태로 절연막을 형성하는 과정과, 상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 과정 을 포함하고, 상기 게이트 전극과 소오스·드레인 전극 각각은 무기 전극 또는 유기 전극인 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 36 |
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| 37 |
37 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 실시하여 기판 상에 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 반도체 층의 상부를 노출시키는 형태로 소오스·드레인 전극을 형성하는 과정과, 상기 소오스·드레인 전극을 매립하는 형태로 절연막을 형성하는 과정과, 상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 과정 을 포함하고, 상기 절연막은 상기 반도체 층에 사용된 무기질과는 종류가 다른 무기물을 이용하는 졸-겔 공정을 통해 형성되며, n차 졸-겔 공정을 통해 형성한 n층 구조의 절연막인 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
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| 패밀리정보가 없습니다 |
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| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
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- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-0982714-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080905 출원 번호 : 1020080087585 공고 연월일 : 20100916 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100818 청구범위의 항수 : 15 유별 : G02F 1/136 발명의 명칭 : 박막 트랜지스터 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170911 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 이홍희 서울 관악구... |
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 315,000 원 | 2010년 09월 13일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2013년 08월 26일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2014년 08월 22일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2015년 08월 31일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2016년 02월 15일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.09.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0632176-07 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.10.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2009.11.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0061866-42 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2010.03.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0106155-05 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.05.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0301698-02 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0301699-47 |
| 7 | 등록결정서 | 2010.08.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0358973-13 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071015 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1903 |
| 연구과제명 | 화공분야연구인력양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
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